開關變換器分析與設計

內(nèi)容概要

關變換器是現(xiàn)代電能變換技術(shù)的核心組成部分，也是各類開關電源、變頻器、UPS、光伏發(fā)電、風能發(fā)電、LED照明等系統(tǒng)的基本組成單元，廣泛應用于電力、通信、家電、鐵路交通、汽車電子、工業(yè)控制、儀器儀表、航空、航天、航海等領域。

書籍目錄

前言第1章　緒論　1.1　電能變換技術(shù)與開關變換器　1.2　開關變換器的基本組成和原理　1.3　開關變換器的調(diào)制技術(shù)及其特點　　1.3.1　PWM技術(shù)　　1.3.2　PFM技術(shù)與混合控制　　1.3.3　SPWM技術(shù)　1.4　開關變換器系統(tǒng)的性能指標和功能要求　　1.4.1　電氣性能指標　　1.4.2　電磁兼容性能指標　　1.4.3　保護功能要求第2章　功率半導體器件及其驅(qū)動電路　2.1　引言　　2.1.1　功率半導體器件的發(fā)展歷程　　2.1.2　功率半導體器件的分類　2.2　功率二極管　　2.2.1　二極管的結(jié)構(gòu)和工作原理　　2.2.2　二極管的開關特性　　2.2.3　二極管的主要參數(shù)　　2.2.4　功率二極管的主要類型、特點和應用場合　2.3　GTR　　2.3.1　GTR的結(jié)構(gòu)、工作原理和分類　　2.3.2　GTR的輸出特性與擊穿特性　　2.3.3　GTR的飽和特性與開關特性　　2.3.4　GTR的大電流特性與二次擊穿　　2.3.5　GTR的最大工作電流與安全工作區(qū)　　2.3.6　GTR的溫度特性與并聯(lián)應用　　2.3.7　GTR的應用注意事項及保護措施　2.4　功率MOSFET　　2.4.1　MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和工作原理　　2.4.2　功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和分類　　2.4.3　功率MOSFET的靜態(tài)特性與動態(tài)特性　　2.4.4　功率MOSFET的導通電阻及體內(nèi)二極管　　2.4.5　功率MOSFET的主要參數(shù)　　2.4.6　功率MOSFET的優(yōu)缺點、應用注意事項及保護措施　2.5　IGBT　　2.5.1　IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理　　2.5.2　IGBT的靜態(tài)特性　　2.5.3　IGBT的動態(tài)特性　　2.5.4　IGBT的閂鎖效應　　2.5.5　IGBT的串聯(lián)和并聯(lián)　　2.5.6　IGBT的應用注意事項及保護措施　2.6　功率開關器件的驅(qū)動電路　　2.6.1　概述　　2.6.2　功率開關器件對驅(qū)動電路的要求　　2.6.3　非隔離（直接）驅(qū)動電路　　2.6.4　集成驅(qū)動電路　　2.6.5　隔離驅(qū)動電路　2.7　其他功率開關器件　　2.7.1　GTO及其驅(qū)動和應用　　2.7.2　IGCT　　2.7.3　MCT　　2.7.4　SIT與SITH的應用　　2.7.5　功率模塊與功率集成電路　　2.7.6　寬禁帶半導體電力電子器件第3章　磁性材料和磁性元件第4章　非隔離開關變換器的分析與設計第5章　隔離開關變換器的分析與設計第6章　開關變換器的緩沖鉗位電路第7章　電壓控制型開關變換器的穩(wěn)定性分析及補償網(wǎng)絡設計第8章　電流控制型開關變換器及其斜坡補償技術(shù)第9章　開關變換器的發(fā)展問題與新技術(shù)參考文獻

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