開(kāi)關(guān)變換器分析與設(shè)計(jì)

內(nèi)容概要

關(guān)變換器是現(xiàn)代電能變換技術(shù)的核心組成部分，也是各類開(kāi)關(guān)電源、變頻器、UPS、光伏發(fā)電、風(fēng)能發(fā)電、LED照明等系統(tǒng)的基本組成單元，廣泛應(yīng)用于電力、通信、家電、鐵路交通、汽車電子、工業(yè)控制、儀器儀表、航空、航天、航海等領(lǐng)域。

書(shū)籍目錄

前言第1章　緒論　1.1　電能變換技術(shù)與開(kāi)關(guān)變換器　1.2　開(kāi)關(guān)變換器的基本組成和原理　1.3　開(kāi)關(guān)變換器的調(diào)制技術(shù)及其特點(diǎn)　　1.3.1　PWM技術(shù)　　1.3.2　PFM技術(shù)與混合控制　　1.3.3　SPWM技術(shù)　1.4　開(kāi)關(guān)變換器系統(tǒng)的性能指標(biāo)和功能要求　　1.4.1　電氣性能指標(biāo)　　1.4.2　電磁兼容性能指標(biāo)　　1.4.3　保護(hù)功能要求第2章　功率半導(dǎo)體器件及其驅(qū)動(dòng)電路　2.1　引言　　2.1.1　功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展歷程　　2.1.2　功率半導(dǎo)體器件的分類　2.2　功率二極管　　2.2.1　二極管的結(jié)構(gòu)和工作原理　　2.2.2　二極管的開(kāi)關(guān)特性　　2.2.3　二極管的主要參數(shù)　　2.2.4　功率二極管的主要類型、特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)合　2.3　GTR　　2.3.1　GTR的結(jié)構(gòu)、工作原理和分類　　2.3.2　GTR的輸出特性與擊穿特性　　2.3.3　GTR的飽和特性與開(kāi)關(guān)特性　　2.3.4　GTR的大電流特性與二次擊穿　　2.3.5　GTR的最大工作電流與安全工作區(qū)　　2.3.6　GTR的溫度特性與并聯(lián)應(yīng)用　　2.3.7　GTR的應(yīng)用注意事項(xiàng)及保護(hù)措施　2.4　功率MOSFET　　2.4.1　MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和工作原理　　2.4.2　功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和分類　　2.4.3　功率MOSFET的靜態(tài)特性與動(dòng)態(tài)特性　　2.4.4　功率MOSFET的導(dǎo)通電阻及體內(nèi)二極管　　2.4.5　功率MOSFET的主要參數(shù)　　2.4.6　功率MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)、應(yīng)用注意事項(xiàng)及保護(hù)措施　2.5　IGBT　　2.5.1　IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理　　2.5.2　IGBT的靜態(tài)特性　　2.5.3　IGBT的動(dòng)態(tài)特性　　2.5.4　IGBT的閂鎖效應(yīng)　　2.5.5　IGBT的串聯(lián)和并聯(lián)　　2.5.6　IGBT的應(yīng)用注意事項(xiàng)及保護(hù)措施　2.6　功率開(kāi)關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電路　　2.6.1　概述　　2.6.2　功率開(kāi)關(guān)器件對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求　　2.6.3　非隔離（直接）驅(qū)動(dòng)電路　　2.6.4　集成驅(qū)動(dòng)電路　　2.6.5　隔離驅(qū)動(dòng)電路　2.7　其他功率開(kāi)關(guān)器件　　2.7.1　GTO及其驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用　　2.7.2　IGCT　　2.7.3　MCT　　2.7.4　SIT與SITH的應(yīng)用　　2.7.5　功率模塊與功率集成電路　　2.7.6　寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件第3章　磁性材料和磁性元件第4章　非隔離開(kāi)關(guān)變換器的分析與設(shè)計(jì)第5章　隔離開(kāi)關(guān)變換器的分析與設(shè)計(jì)第6章　開(kāi)關(guān)變換器的緩沖鉗位電路第7章　電壓控制型開(kāi)關(guān)變換器的穩(wěn)定性分析及補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)第8章　電流控制型開(kāi)關(guān)變換器及其斜坡補(bǔ)償技術(shù)第9章　開(kāi)關(guān)變換器的發(fā)展問(wèn)題與新技術(shù)參考文獻(xiàn)

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