微機(jī)電系統(tǒng)設(shè)計(jì)與加工

前言

　　一、制造技術(shù)長(zhǎng)盛永恒　　先進(jìn)制造技術(shù)是20世紀(jì)80年代提出的，由機(jī)械制造技術(shù)發(fā)展而來。通常可以認(rèn)為它是將機(jī)械、電子、信息、材料、能源和管理等方面的技術(shù)，進(jìn)行交叉、融合和集成，綜合應(yīng)用于產(chǎn)品全生命周期的制造全過程，包括市場(chǎng)需求、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、工藝設(shè)計(jì)、加工裝配、檢測(cè)、銷售、使用、維修、報(bào)廢處理、回收利用等，以實(shí)現(xiàn)優(yōu)質(zhì)、敏捷、高效、低耗、清潔生產(chǎn)，快速響應(yīng)市場(chǎng)的需求。因此，當(dāng)前的先進(jìn)制造技術(shù)是以產(chǎn)品為中心，以光機(jī)電一體化的機(jī)械制造技術(shù)為主體，以廣義制造為手段，具有先進(jìn)性和時(shí)代感?！　≈圃旒夹g(shù)是一個(gè)永恒的主題，與社會(huì)發(fā)展密切相關(guān)，是設(shè)想、概念、科學(xué)技術(shù)物化的基礎(chǔ)和手段，是所有工業(yè)的支柱，是國(guó)家經(jīng)濟(jì)與國(guó)肪實(shí)力的體現(xiàn)，是國(guó)家工業(yè)化的關(guān)鍵?，F(xiàn)代制造技術(shù)是當(dāng)前世界各國(guó)研究和發(fā)展的主題，特別是在市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)高度發(fā)展的今天，它更占有十分重要的地位?！　⌒畔⒓夹g(shù)發(fā)展并引入到制造技術(shù)，使制造技術(shù)產(chǎn)生了革命性的變化，出現(xiàn)了制造系統(tǒng)和制造科學(xué)。制造系統(tǒng)由物質(zhì)流、能量流和信息流組成，物質(zhì)流是本質(zhì)，能量流是動(dòng)力，信息流是控制；制造技術(shù)與系統(tǒng)論、方法論、信息論、控制論和協(xié)同論相結(jié)合就形成了新的制造學(xué)科?！　≈圃旒夹g(shù)的覆蓋面極廣，涉及到機(jī)械、電子、計(jì)算機(jī)、冶金、建筑、水利、電子、運(yùn)載、農(nóng)業(yè)以及化學(xué)、物理學(xué)、材料學(xué)、管理科學(xué)等領(lǐng)域。各個(gè)行業(yè)都需要制造業(yè)的支持，制造技術(shù)既有普遍性、基礎(chǔ)性的一面，又有特殊性、專業(yè)性的一面，制造技術(shù)既有共性，又有個(gè)性?！　∥覈?guó)的制造業(yè)涉及以下三方面的領(lǐng)域：　　·機(jī)械、電子制造業(yè)，包括機(jī)床、專用設(shè)備、交通運(yùn)輸工具、機(jī)械設(shè)備、電子通信設(shè)備、儀器等?！　　べY源加工工業(yè)，包括石油化工、化學(xué)纖維、橡膠、塑料等?！　　ぽp紡工業(yè)，包括服裝、紡織、皮革、印刷等。　　目前世界先進(jìn)制造技術(shù)沿著全球化、綠色化、高技術(shù)化、信息化、個(gè)性化和服務(wù)化、集群化六個(gè)方面發(fā)展，在加工技術(shù)上主要有超精密加工技術(shù)、納米加工技術(shù)、數(shù)控加工技術(shù)、極限加工技術(shù)、綠色加工技術(shù)等，在制造模式上主要有自動(dòng)化、集成化、柔性化、敏捷化、虛擬化、網(wǎng)絡(luò)化、智能化、協(xié)作化和綠色化等?！《D書交流源遠(yuǎn)流長(zhǎng)　近年來，國(guó)際間的交流與合作對(duì)制造業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展、技術(shù)進(jìn)步及重大關(guān)鍵技術(shù)的突破起到了積極的促進(jìn)作用，制造業(yè)科技人員需要及時(shí)了解國(guó)外相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的最新發(fā)展?fàn)顩r、成果取得情況及先進(jìn)技術(shù)應(yīng)用情況等。

內(nèi)容概要

本書是MEMS系列圖書的一本，主要介紹MEMS技術(shù)中材料和加工方面的知識(shí)。內(nèi)容包括：MEMS中的材料，MEMS制造，LIGA及其微模壓，基于X射線的加工，EFAB技術(shù)及其應(yīng)用，單晶SiC MEMS制造、特性與可靠性，用于碳化硅體微加工的等離子體反應(yīng)深刻蝕，聚合物微系統(tǒng)：材料和加工，光診斷方法考察微流道的入口長(zhǎng)度，應(yīng)用于航空航天的微化學(xué)傳感器，惡劣環(huán)境下的MEMS器件封裝技術(shù)，納機(jī)電系統(tǒng)制造技術(shù)，分子自組裝基本概念及應(yīng)用。    本書主要面向MEMS專業(yè)的高年級(jí)本科生和研究生，也可供MEMS技術(shù)研究人員參考。

書籍目錄

譯叢序言 譯者序 第1章 緒論   參考文獻(xiàn) 第2章 MEMS中的材料   2.1 簡(jiǎn)介   2.2 單晶硅   2.3 多晶硅   2.4 二氧化硅   2.5 氮化硅   2.6 鍺基材料   2.7 金屬   2.8 碳化硅   2.9 金剛石   2.10 Ⅲ-V材料   2.11 壓電材料   2.12 結(jié)論   參考文獻(xiàn) 第3章 MEMS制造   3.1 濕法體微加工工藝   3.2 歷史沿革   3.3 硅晶體學(xué)   3.4 硅襯底   3.5 硅作為機(jī)械材料在MEMS中的應(yīng)用   3.6 硅的其他傳感特性   3.7 濕法各向同性及各向異性腐蝕   3.8 半導(dǎo)體在偏壓和光照作用下的腐蝕   3.9 腐蝕停止技術(shù)   3.10 濕法體硅微加工工藝   3.11 計(jì)算機(jī)模擬軟件   3.12 濕法體微加工實(shí)例   3.13 表面微加工簡(jiǎn)介   3.14 表面微加工工藝的歷史沿革   3.15 薄膜的機(jī)械特性   3.16 表面微加工工藝   3.17 表面多晶硅微加工技術(shù)的改進(jìn)   3.18 非多晶硅的表面微加工工藝   3.19 體硅與表面微加工技術(shù)的比較   3.20 材料的制備和特性   3.21 多晶硅表面微加工實(shí)例   參考文獻(xiàn) 第4章 LIGA及其微模壓   4.1 引言   4.2 LIGA-背景   4.3 LIGA及準(zhǔn)LIGA工藝   4.4 應(yīng)用實(shí)例   參考文獻(xiàn) 第5章 基于X射線的加工   5.1 引言   5.2 DXRL基本原理   5.3 制模   5.4 材料特性和改進(jìn)   5.5 平坦化   5.6 突角和凹角的幾何形狀   5.7 多層DXRL工藝   5.8 犧牲層與組裝   5.9 應(yīng)用實(shí)例   5.10 結(jié)論   參考文獻(xiàn) 第6章 EFAB技術(shù)及其應(yīng)用   6.1 引言   6.2 技術(shù)優(yōu)勢(shì)   6.3 EFAB技術(shù)   6.4 EFAB的應(yīng)用   參考文獻(xiàn) 第7章 單晶SiC MEMS制造、特性與可靠性   7.1 引言   7.2 6H-SiC光電化學(xué)制造工藝   7.3 6H-SiC量規(guī)因數(shù)的特征   7.4 高溫金屬化   7.5 傳感器特性   7.6 可靠性評(píng)價(jià)   7.7 結(jié)論   致謝   參考文獻(xiàn) 第8章 用于碳化硅體微加工的等離子體反應(yīng)深刻蝕   8.1 引言   8.2 高密度等離子體刻蝕基本原理   8.3 SiC刻蝕基本原理   8.4 SiC DRIE的應(yīng)用   8.5 結(jié)論   參考文獻(xiàn) 第9章 聚合物微系統(tǒng)：材料和加工   9.1 引言   9.2 MEMS中的聚合物材料   9.3 聚合物微加工技術(shù)   9.4 器件舉例   9.5 未來的方向與挑戰(zhàn)   參考文獻(xiàn) 第10章 光診斷方法考察微流道的入口長(zhǎng)度   10.1 引言   10.2 微尺度流體力學(xué)中的光診斷測(cè)量學(xué)   10.3 μPIV概況   10.4 微流道中流的入口長(zhǎng)度測(cè)量   10.5 μPIV技術(shù)的拓展   參考文獻(xiàn) 第11章 應(yīng)用于航空航天的微化學(xué)傳感器   11.1 引言   11.2 航空航天應(yīng)用   11.3 傳感器制備技術(shù)   11.4 化學(xué)傳感器開發(fā)   11.5 未來方向、傳感器陣列以及商業(yè)化   11.6 商業(yè)應(yīng)用   11.7 結(jié)論   致謝   參考文獻(xiàn) 第12章 惡劣環(huán)境下的MEMS器件封裝技術(shù)   12.1 引言   12.2 封裝材料   12.3 圓片級(jí)封裝   12.4 高溫電氣互連系統(tǒng)   12.5 粘合芯片結(jié)構(gòu)的熱機(jī)械特性   12.6 高溫陶瓷封裝系統(tǒng)   12.7 相關(guān)討論   致謝   參考文獻(xiàn) 第13章 納機(jī)電系統(tǒng)制造技術(shù)   13.1 引言   13.2 NEMS兼容的工藝技術(shù)   13.3 納米機(jī)器的制備：與生物學(xué)的交叉   13.4 結(jié)論   參考文獻(xiàn) 第14章 分子自組裝基本概念及應(yīng)用   14.1 引言   14.2 分子-分子的相互作用力   14.3 分子-基片之間的作用   14.4 功能化表面的應(yīng)用   14.5 結(jié)論和前景展望   參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

　　在MEMS應(yīng)用中，單晶硅起到了幾個(gè)最關(guān)鍵的作用。單晶硅是最通用的體加工材料，因?yàn)樗辛己玫母飨虍愋愿g特性以及與掩膜材料的兼容性。在表面微機(jī)械加工中，不管器件結(jié)構(gòu)本身是不是硅材料，單晶硅襯底都是最理想的MEMS結(jié)構(gòu)平臺(tái)。而在硅基集成MEMS器件中，單晶硅又是IC器件中的首要載體材料?！　◇w硅加工技術(shù)，是指使用干法刻蝕和濕法腐蝕工藝，結(jié)合刻蝕掩膜和材料的自停止腐蝕特性在硅襯底上“雕刻”出微結(jié)構(gòu)。從材料特性的角度來看，兩個(gè)主要的材料特性造就了體硅加工技術(shù)的多樣化：①選用各向異性腐蝕劑，比如EDP和KOH，它們主要腐蝕單晶硅材料特定的晶面；②選擇不同的掩膜材料和自停止腐蝕材料并結(jié)合腐蝕劑，就可以在襯底的特定區(qū)域形成保護(hù)，不被腐蝕?！　】涛g工藝的一個(gè)最重要的參數(shù)就是刻蝕的方向性（即側(cè)壁形貌）。如果刻蝕在任意方向的刻蝕速率都是相同的，就稱為各向同性刻蝕；相反，各向異性刻蝕通常指垂直方向的刻蝕速率要遠(yuǎn)大于水平方向的。值得注意的是，在硅襯底上通過各向異性刻蝕形成的側(cè)壁形貌，同樣可以通過反應(yīng)離子深刻蝕、離子束轟擊、激光鉆孔等方法實(shí)現(xiàn)?！　「飨蛲詽穹ǜg的主要作用是去除表面缺陷、形成單晶結(jié)構(gòu)、轉(zhuǎn)移單晶或多晶薄膜圖形。常見的硅各向同性腐蝕液有：氫氟酸（HF）、硝酸（HNO2）和水或醋酸（cH3COOH）的混合物，通常稱硅各向同性腐蝕為HNA方法?！　」璧母飨虍愋愿g液對(duì)（100）面和（110）面的刻蝕速率要遠(yuǎn)大于（111）面。例如典型的KOH腐蝕（100）和（111）面的刻蝕速率比大約是400：1。SiO2、si1N4和其他金屬[如鉻（cr）、銅（cu）等]都是硅各向異性腐蝕的良好掩膜。si3N4因?yàn)榫哂辛己玫幕瘜W(xué)穩(wěn)定性，而常被用作長(zhǎng)時(shí)間KOH腐蝕時(shí)的掩膜?！　≡谧酝Ｖ垢g技術(shù)中，重?fù)诫s硼元素（大于7×109／cm3）的硅材料對(duì)某些腐蝕劑可以形成有效阻擋，被稱為p+摻雜自停止技術(shù)。實(shí)質(zhì)上，腐蝕是電荷轉(zhuǎn)移的過程，腐蝕速率依賴于摻雜類型和濃度。由此推斷，重?fù)诫s的材料可能會(huì)有更高的刻蝕速率，因?yàn)樗鼡碛懈嗟目蓜?dòng)載流子。這在各向同性刻蝕劑（如HNA）中是正確的，如在p型或n型摻雜濃度大于1018／cm3時(shí)的速率為1～3Um／min，而在摻雜濃度小于1017／cm3時(shí)的速率幾乎為零。但是，在各向異性腐蝕（如EDP和KOH）中，結(jié)果大不相同。重?fù)诫s硼（大于7×1019／cm3）的硅在KOH中的腐蝕速率比未摻雜的硅慢大概5～100倍，在EDP中甚至達(dá)到250倍。通過p自停止技術(shù)形成的自停止層深度一般都小于101Um，因?yàn)榕饟诫s是通過擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)的。通過高溫（1175℃）和長(zhǎng)時(shí)間（15～20h）擴(kuò)散，自停止層深度可達(dá)到2011Um。在硅表面進(jìn)行離子注入同樣可以形成自停止層，但是注入深度可能只有幾微米，且需要高能量和大電流粒子加速。雖然通過在自停止層上再外延生長(zhǎng)摻硼的硅可以增加厚度，但是外延的成本很高，因此這種方法通常很少使用。

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