低頻電子線路

前言

　　低頻電子線路課程是高職高專院校電子信息類、電氣信息類、自動控制類等專業(yè)非常重要的一門專業(yè)基礎課?！　”緯鶕?jù)新時期職業(yè)教育的特點和教學的實際需求而組織編寫。在編寫過程中，本書著力突出有關基本概念并避免繁瑣的理論分析；在強調(diào)典型電路的基本組成和原理的同時，突出實際應用的介紹；注重實踐應用能力的培養(yǎng)，介紹了常用器件的選用，強化實訓，并專門提供了課程設計方面的內(nèi)容。在內(nèi)容的組織上，本書本著改革、創(chuàng)新的精神，充分考慮學生后續(xù)課程乃至就業(yè)后相關工作崗位對該課程知識的要求，力求內(nèi)容完整，重點突出，通俗易懂；注重實踐，應用實例新穎，使學生通過學習，具備基本的解決實際問題的能力?！　”緯卜?章，包括常用半導體器件、基本放大電路、放大電路的反饋、集成運算放大器及其應用、功率放大器、波形發(fā)生器、直流穩(wěn)壓電源、低頻電子線路課程設計等。為便于教學，每章均列有學習要求、相關實訓內(nèi)容、習題及參考答案。另外在附錄中介紹了半導體器件命名方法及常用半導體器件參數(shù)，供師生查閱。對于書中帶有*的章節(jié)，讀者可根據(jù)教學實際情況安排?！　”緯鴧⒖紝W時為96學時，其中理論知識68學時，實訓實驗28學時。由于無線電及電子技術的迅速發(fā)展，應用領域不斷擴大，而且各個地區(qū)、學校的具體情況不同，因此對低頻電子線路課程的要求不可能完全一樣，在組織教學時，教師可根據(jù)實際情況對內(nèi)容進行取舍?！　”緯缮綎|電子職業(yè)技術學院紀靜波擔任主編，李文革擔任副主編，張波、田延娟參加編寫。其中，第1、2、8章由紀靜波編寫，第3章由李文革編寫，第4、5章由田延娟編寫，第6、7章由張波編寫。全書由紀靜波統(tǒng)稿?！　∮捎诰幷叩乃接邢?，書中難免存在錯誤和不妥之處，懇請讀者批評指正。　　為了配合教學，本書為讀者提供電子教案，讀者可在機械工業(yè)出版社網(wǎng)站下載。

內(nèi)容概要

　　低頻電子線路課程是高職高專院校電子信息類、電氣信息類、自動控制類等專業(yè)非常重要的一門專業(yè)基礎課。　　本書根據(jù)新時期職業(yè)教育的特點和教學的實際需求而組織編寫。在編寫過程中，本書著力突出有關基本概念并避免繁瑣的理論分析；在強調(diào)典型電路的基本組成和原理的同時，突出實際應用的介紹；注重實踐應用能力的培養(yǎng)，介紹了常用器件的選用，強化實訓，并專門提供了課程設計方面的內(nèi)容。在內(nèi)容的組織上，本書本著改革、創(chuàng)新的精神，充分考慮學生后續(xù)課程乃至就業(yè)后相關工作崗位對該課程知識的要求，力求內(nèi)容完整，重點突出，通俗易懂；注重實踐，應用實例新穎，使學生通過學習，具備基本的解決實際問題的能力?！　”緯卜?章，包括常用半導體器件、基本放大電路、放大電路的反饋、集成運算放大器及其應用、功率放大器、波形發(fā)生器、直流穩(wěn)壓電源、低頻電子線路課程設計等。為便于教學，每章均列有學習要求、相關實訓內(nèi)容、習題及參考答案。另外在附錄中介紹了半導體器件命名方法及常用半導體器件參數(shù)，供師生查閱。對于書中帶有*的章節(jié)，讀者可根據(jù)教學實際情況安排。

書籍目錄

出版說明前言第1章　常用半導體器件1.1　半導體的基本知識1.1.1　本征半導體1.1.2　雜質(zhì)半導體1.1.3　PN結(jié)的基本特性1.2　二極管1.2.1　二極管的結(jié)構(gòu)、分類及伏安特性1.2.2　二極管的主要參數(shù)1.2.3　二極管的簡易測試1.2.4　手冊的使用1.2.5　特殊二極管簡介1.3　晶體管1.3.1　晶體管的結(jié)構(gòu)1.3.2　晶體管的電流放大作用1.3.3　晶體管的伏安特性及主要參數(shù)1.3.4　晶體管的測試及手冊的使用1.3.5　特殊晶體管簡介1.4　場效應晶體管1.4.1　結(jié)型場效應晶體管1.4.2　絕緣柵型場效應晶體管1.4.3　場效應晶體管的主要參數(shù)1.4.4　場效應晶體管與雙極型晶體管的特點比較及使用注意事項1.5　晶閘管1.5.1　單向晶閘管1.5.2　雙向晶閘管1.6　本章小結(jié)1.7　實訓半導體器件的認識與測量1.8　習題第2章　基本放大電路2.1　基本放大電路概述2.1.1　放大電路的基本知識2.1.2　放大電路的靜態(tài)工作點對輸出波形的影響2.1.3　放大電路的直流偏置方式2.1.4　放大電路的三種組態(tài)2.1.5　放大電路性能指標的估算2.2　多級放大電路2.2.1　多級放大電路的組成2.2.2　多級放大電路性能指標的估算2.2.3　放大電路的頻率特性2.3　場效應晶體管放大電路2.3.1　共源極放大電路2.3.2　共漏極放大電路2.4　本章小結(jié)2.5　實訓2.5.1　實訓1分壓式偏置共發(fā)射極放電路2.5.2　實訓2射極輸出器2.6　習題第3章　放大電路的反饋3.1　反饋的基本概念及分類3.1.1　反饋的基本概念3.1.2　反饋的類型及判別3.2　負反饋對放大電路性能的影響3.2.1　降低放大倍數(shù)及提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性3.2.2　改變放大電路的輸入電阻和輸出電阻3.2.3　減小非線性失真3.2.4　展寬頻帶3.3　深度負反饋放大電路的分析3.3.1　負反饋的一般分析3.3.2　深度負反饋放大電路的分析計算3.4　負反饋放大電路的穩(wěn)定3.4.1　負反饋放大電路的自激振蕩3.4.2　負反饋放大電路的穩(wěn)定方法3.5　本章小結(jié)3.6　實訓負反饋放大電路3.7　習題第4章　集成運算放大器及其應用4.1　差分放大電路4.1.1　電路組成與性能分析？4.1.2　差分放大電路的輸入輸出方式4.2　集成運算放大器4.2.1　集成運算放大器概述4.2.2　集成運算放大器的主要參數(shù)4.3　理想運算放大器4.3.1　理想運算放大器的技術指標4.3.2　理想運算放大器的線性特點4.3.3　理想運算放大器的非線性特點4.4　集成運算放大器的線性應用4.4.1　基本運算電路4.4.2　有源濾波器4.5　集成運算放大器的非線性應用4.5.1　電壓比較器4.5.2　精密整流電路4.6　集成運算放大器的選擇與使用4.6.1　集成運算放大器的種類4.6.2　集成運算放大器的選用4.6.3　集成運算放大器的保護與相位補償4.7　集成運算放大器的實用電路及工藝介紹4.7.1　集成運算放大器的實用電路4.7.2　集成電路工藝簡介4.8　本章小結(jié)4.9　實訓4.9.1　實訓1差分放大電路的參數(shù)測試4.9.2　實訓2集成運算放大器的線性應用4.9.3　實訓3集成運算放大器的非線性應用4.10　習題第5章　功率放大器5.1　功率放大器的特點與分類5.1.1　功率放大器的特點5.1.2　功率放大器的分類5.2　互補對稱功率放大器5.2.1　乙類互補對稱功率放大器5.2.2　甲乙類OCL互補對稱功率放大器5.2.3　單電源互補對稱功率放大器5.2.4　橋式功率放大器5.3　復合互補對稱功率放大電路5.3.1　復合管5.3.2　應用舉例5.4　集成功率放大器5.4.1　集成功率放大器簡介5.4.2　集成功率放大器的應用5.5　本章小結(jié)5.6　實訓集成功率放大器的測試5.7　習題第6章　波形發(fā)生器6.1　正弦波振蕩器6.1.1　正弦波振蕩器的工作原理6.1.2　正弦波振蕩器的組成6.1.3　正弦波振蕩器的分類6.2　RC振蕩器6.2.1　RC串并聯(lián)正弦波振蕩電路6.2.2　RC移相式正弦波振蕩電路6.3　LC正弦波振蕩器6.3.1　LC選頻放大電路6.3.2　電感三點式振蕩電路6.3.3　電容三點式振蕩電路6.3.4　變壓器反饋式振蕩器6.4　石英晶體振蕩器6.4.1　石英晶體簡介6.4.2　石英晶體振蕩電路的分類6.4.3　常見的石英晶體振蕩電路6.5　非正弦波振蕩器6.5.1　矩形波信號產(chǎn)生電路6.5.2　三角波信號產(chǎn)生電路6.5.3　鋸齒波信號產(chǎn)生電路6.6　本章小結(jié)6.7　實訓6.7.1　實訓1RC振蕩器的測試6.7.2　實訓2LC振蕩器的測試6.7.3　實訓3非正弦波振蕩器的測試6.8　習題第7章　直流穩(wěn)壓電源7.1　直流穩(wěn)壓電源概述7.1.1　直流穩(wěn)壓電源的組成與分類7.1.2　直流穩(wěn)壓電源的技術指標7.2　整流電路7.2.1　二極管整流電路7.2.2　晶閘管整流電路及晶閘管調(diào)壓電路7.3　濾波電路7.3.1　電容濾波電路7.3.2　其他形式的濾波電路7.4　穩(wěn)壓電路7.4.1　穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路7.4.2　串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路7.4.3　三端集成穩(wěn)壓器7.5　開關電源7.5.1　開關電源的特點與分類7.5.2　開關電源的結(jié)構(gòu)與原理7.5.3　開關電源舉例7.6　其他電源電路7.6.1　直流一直流電路7.6.2　充電電路7.7　本章小結(jié)7.8　實訓串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電源7.9　習題第8章　低頻電子線路課程設計8.1　晶體管放大器的實驗電路設計8.2　音頻功率放大器的設計8.3　集成運算放大器及其基本應用（函數(shù)發(fā)生器的設計）8.4　光控節(jié)能燈電路的設計8.5　有源濾波器的設計8.6　電子配料秤的設計附錄附錄A 半導體器件的命名方法附錄B 常用器件的參數(shù)習題參考答案參考文獻

章節(jié)摘錄

　　第1章　常用半導體器件　　1.1　半導體的基本知識　　1.1.1　本征半導體　　物質(zhì)按照導電能力的不同可分為導體（conductor）、絕緣體（nonconductor）和半導體（semiconductor）。其中，半導體的導電能力介于導體和絕緣體之間。常用的半導體材料有硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）等。半導體具有摻雜特性、熱敏特性、光敏特性等，因而得到廣泛應用。　　純凈的半導體稱為本征半導體（Intrinsic Semiconductor）?！　」韬玩N都是四價元素，即它們原子的最外層電子數(shù)都是4個，因而原子間以共價鍵形式結(jié)合。在絕對溫度零度（OK）以下時，由于本征半導體硅和鍺的最外層電子無法掙脫共價鍵的束縛，所以不能導電。當溫度升高或有光照射時，受共價鍵束縛的部分電子獲得足夠的能量后掙脫共價鍵的束縛成為自由電子（Free Electron），同時在共價鍵中留下空位，稱為空穴（hole）。這種由于光或熱的作用使半導體中產(chǎn)生電子空穴對的現(xiàn)象，稱為本征激發(fā)。這里的自由電子和空穴也稱為電子載流子和空穴載流子?！　”菊骷ぐl(fā)產(chǎn)生電子空穴對的同時，自由電子和空穴在運動過程中又會相遇而重新形成共價鍵，這個過程稱為復合。當環(huán)境溫度一定時，本征半導體中的本征激發(fā)和復合現(xiàn)象并存，且速率一定，使本征半導體內(nèi)維持一定數(shù)目的電子空穴對，稱為熱平衡?！　嶋H上，由于本征半導體的導電能力很弱，因而不能直接用于制作半導體器件。在制作半導體器件時，使用的是雜質(zhì)半導體。　　……

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