低頻電子線路

前言

　　低頻電子線路課程是高職高專(zhuān)院校電子信息類(lèi)、電氣信息類(lèi)、自動(dòng)控制類(lèi)等專(zhuān)業(yè)非常重要的一門(mén)專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)課?！　”緯?shū)根據(jù)新時(shí)期職業(yè)教育的特點(diǎn)和教學(xué)的實(shí)際需求而組織編寫(xiě)。在編寫(xiě)過(guò)程中，本書(shū)著力突出有關(guān)基本概念并避免繁瑣的理論分析；在強(qiáng)調(diào)典型電路的基本組成和原理的同時(shí)，突出實(shí)際應(yīng)用的介紹；注重實(shí)踐應(yīng)用能力的培養(yǎng)，介紹了常用器件的選用，強(qiáng)化實(shí)訓(xùn)，并專(zhuān)門(mén)提供了課程設(shè)計(jì)方面的內(nèi)容。在內(nèi)容的組織上，本書(shū)本著改革、創(chuàng)新的精神，充分考慮學(xué)生后續(xù)課程乃至就業(yè)后相關(guān)工作崗位對(duì)該課程知識(shí)的要求，力求內(nèi)容完整，重點(diǎn)突出，通俗易懂；注重實(shí)踐，應(yīng)用實(shí)例新穎，使學(xué)生通過(guò)學(xué)習(xí)，具備基本的解決實(shí)際問(wèn)題的能力?！　”緯?shū)共分8章，包括常用半導(dǎo)體器件、基本放大電路、放大電路的反饋、集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用、功率放大器、波形發(fā)生器、直流穩(wěn)壓電源、低頻電子線路課程設(shè)計(jì)等。為便于教學(xué)，每章均列有學(xué)習(xí)要求、相關(guān)實(shí)訓(xùn)內(nèi)容、習(xí)題及參考答案。另外在附錄中介紹了半導(dǎo)體器件命名方法及常用半導(dǎo)體器件參數(shù)，供師生查閱。對(duì)于書(shū)中帶有*的章節(jié)，讀者可根據(jù)教學(xué)實(shí)際情況安排?！　”緯?shū)參考學(xué)時(shí)為96學(xué)時(shí)，其中理論知識(shí)68學(xué)時(shí)，實(shí)訓(xùn)實(shí)驗(yàn)28學(xué)時(shí)。由于無(wú)線電及電子技術(shù)的迅速發(fā)展，應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大，而且各個(gè)地區(qū)、學(xué)校的具體情況不同，因此對(duì)低頻電子線路課程的要求不可能完全一樣，在組織教學(xué)時(shí)，教師可根據(jù)實(shí)際情況對(duì)內(nèi)容進(jìn)行取舍?！　”緯?shū)由山東電子職業(yè)技術(shù)學(xué)院紀(jì)靜波擔(dān)任主編，李文革擔(dān)任副主編，張波、田延娟參加編寫(xiě)。其中，第1、2、8章由紀(jì)靜波編寫(xiě)，第3章由李文革編寫(xiě)，第4、5章由田延娟編寫(xiě)，第6、7章由張波編寫(xiě)。全書(shū)由紀(jì)靜波統(tǒng)稿?！　∮捎诰幷叩乃接邢?，書(shū)中難免存在錯(cuò)誤和不妥之處，懇請(qǐng)讀者批評(píng)指正?！　榱伺浜辖虒W(xué)，本書(shū)為讀者提供電子教案，讀者可在機(jī)械工業(yè)出版社網(wǎng)站下載。

內(nèi)容概要

　　低頻電子線路課程是高職高專(zhuān)院校電子信息類(lèi)、電氣信息類(lèi)、自動(dòng)控制類(lèi)等專(zhuān)業(yè)非常重要的一門(mén)專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)課?！　”緯?shū)根據(jù)新時(shí)期職業(yè)教育的特點(diǎn)和教學(xué)的實(shí)際需求而組織編寫(xiě)。在編寫(xiě)過(guò)程中，本書(shū)著力突出有關(guān)基本概念并避免繁瑣的理論分析；在強(qiáng)調(diào)典型電路的基本組成和原理的同時(shí)，突出實(shí)際應(yīng)用的介紹；注重實(shí)踐應(yīng)用能力的培養(yǎng)，介紹了常用器件的選用，強(qiáng)化實(shí)訓(xùn)，并專(zhuān)門(mén)提供了課程設(shè)計(jì)方面的內(nèi)容。在內(nèi)容的組織上，本書(shū)本著改革、創(chuàng)新的精神，充分考慮學(xué)生后續(xù)課程乃至就業(yè)后相關(guān)工作崗位對(duì)該課程知識(shí)的要求，力求內(nèi)容完整，重點(diǎn)突出，通俗易懂；注重實(shí)踐，應(yīng)用實(shí)例新穎，使學(xué)生通過(guò)學(xué)習(xí)，具備基本的解決實(shí)際問(wèn)題的能力?！　”緯?shū)共分8章，包括常用半導(dǎo)體器件、基本放大電路、放大電路的反饋、集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用、功率放大器、波形發(fā)生器、直流穩(wěn)壓電源、低頻電子線路課程設(shè)計(jì)等。為便于教學(xué)，每章均列有學(xué)習(xí)要求、相關(guān)實(shí)訓(xùn)內(nèi)容、習(xí)題及參考答案。另外在附錄中介紹了半導(dǎo)體器件命名方法及常用半導(dǎo)體器件參數(shù)，供師生查閱。對(duì)于書(shū)中帶有*的章節(jié)，讀者可根據(jù)教學(xué)實(shí)際情況安排。

書(shū)籍目錄

出版說(shuō)明前言第1章　常用半導(dǎo)體器件1.1　半導(dǎo)體的基本知識(shí)1.1.1　本征半導(dǎo)體1.1.2　雜質(zhì)半導(dǎo)體1.1.3　PN結(jié)的基本特性1.2　二極管1.2.1　二極管的結(jié)構(gòu)、分類(lèi)及伏安特性1.2.2　二極管的主要參數(shù)1.2.3　二極管的簡(jiǎn)易測(cè)試1.2.4　手冊(cè)的使用1.2.5　特殊二極管簡(jiǎn)介1.3　晶體管1.3.1　晶體管的結(jié)構(gòu)1.3.2　晶體管的電流放大作用1.3.3　晶體管的伏安特性及主要參數(shù)1.3.4　晶體管的測(cè)試及手冊(cè)的使用1.3.5　特殊晶體管簡(jiǎn)介1.4　場(chǎng)效應(yīng)晶體管1.4.1　結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管1.4.2　絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管1.4.3　場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)1.4.4　場(chǎng)效應(yīng)晶體管與雙極型晶體管的特點(diǎn)比較及使用注意事項(xiàng)1.5　晶閘管1.5.1　單向晶閘管1.5.2　雙向晶閘管1.6　本章小結(jié)1.7　實(shí)訓(xùn)半導(dǎo)體器件的認(rèn)識(shí)與測(cè)量1.8　習(xí)題第2章　基本放大電路2.1　基本放大電路概述2.1.1　放大電路的基本知識(shí)2.1.2　放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)對(duì)輸出波形的影響2.1.3　放大電路的直流偏置方式2.1.4　放大電路的三種組態(tài)2.1.5　放大電路性能指標(biāo)的估算2.2　多級(jí)放大電路2.2.1　多級(jí)放大電路的組成2.2.2　多級(jí)放大電路性能指標(biāo)的估算2.2.3　放大電路的頻率特性2.3　場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路2.3.1　共源極放大電路2.3.2　共漏極放大電路2.4　本章小結(jié)2.5　實(shí)訓(xùn)2.5.1　實(shí)訓(xùn)1分壓式偏置共發(fā)射極放電路2.5.2　實(shí)訓(xùn)2射極輸出器2.6　習(xí)題第3章　放大電路的反饋3.1　反饋的基本概念及分類(lèi)3.1.1　反饋的基本概念3.1.2　反饋的類(lèi)型及判別3.2　負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響3.2.1　降低放大倍數(shù)及提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性3.2.2　改變放大電路的輸入電阻和輸出電阻3.2.3　減小非線性失真3.2.4　展寬頻帶3.3　深度負(fù)反饋放大電路的分析3.3.1　負(fù)反饋的一般分析3.3.2　深度負(fù)反饋放大電路的分析計(jì)算3.4　負(fù)反饋放大電路的穩(wěn)定3.4.1　負(fù)反饋放大電路的自激振蕩3.4.2　負(fù)反饋放大電路的穩(wěn)定方法3.5　本章小結(jié)3.6　實(shí)訓(xùn)負(fù)反饋放大電路3.7　習(xí)題第4章　集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用4.1　差分放大電路4.1.1　電路組成與性能分析？4.1.2　差分放大電路的輸入輸出方式4.2　集成運(yùn)算放大器4.2.1　集成運(yùn)算放大器概述4.2.2　集成運(yùn)算放大器的主要參數(shù)4.3　理想運(yùn)算放大器4.3.1　理想運(yùn)算放大器的技術(shù)指標(biāo)4.3.2　理想運(yùn)算放大器的線性特點(diǎn)4.3.3　理想運(yùn)算放大器的非線性特點(diǎn)4.4　集成運(yùn)算放大器的線性應(yīng)用4.4.1　基本運(yùn)算電路4.4.2　有源濾波器4.5　集成運(yùn)算放大器的非線性應(yīng)用4.5.1　電壓比較器4.5.2　精密整流電路4.6　集成運(yùn)算放大器的選擇與使用4.6.1　集成運(yùn)算放大器的種類(lèi)4.6.2　集成運(yùn)算放大器的選用4.6.3　集成運(yùn)算放大器的保護(hù)與相位補(bǔ)償4.7　集成運(yùn)算放大器的實(shí)用電路及工藝介紹4.7.1　集成運(yùn)算放大器的實(shí)用電路4.7.2　集成電路工藝簡(jiǎn)介4.8　本章小結(jié)4.9　實(shí)訓(xùn)4.9.1　實(shí)訓(xùn)1差分放大電路的參數(shù)測(cè)試4.9.2　實(shí)訓(xùn)2集成運(yùn)算放大器的線性應(yīng)用4.9.3　實(shí)訓(xùn)3集成運(yùn)算放大器的非線性應(yīng)用4.10　習(xí)題第5章　功率放大器5.1　功率放大器的特點(diǎn)與分類(lèi)5.1.1　功率放大器的特點(diǎn)5.1.2　功率放大器的分類(lèi)5.2　互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大器5.2.1　乙類(lèi)互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大器5.2.2　甲乙類(lèi)OCL互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大器5.2.3　單電源互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大器5.2.4　橋式功率放大器5.3　復(fù)合互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大電路5.3.1　復(fù)合管5.3.2　應(yīng)用舉例5.4　集成功率放大器5.4.1　集成功率放大器簡(jiǎn)介5.4.2　集成功率放大器的應(yīng)用5.5　本章小結(jié)5.6　實(shí)訓(xùn)集成功率放大器的測(cè)試5.7　習(xí)題第6章　波形發(fā)生器6.1　正弦波振蕩器6.1.1　正弦波振蕩器的工作原理6.1.2　正弦波振蕩器的組成6.1.3　正弦波振蕩器的分類(lèi)6.2　RC振蕩器6.2.1　RC串并聯(lián)正弦波振蕩電路6.2.2　RC移相式正弦波振蕩電路6.3　LC正弦波振蕩器6.3.1　LC選頻放大電路6.3.2　電感三點(diǎn)式振蕩電路6.3.3　電容三點(diǎn)式振蕩電路6.3.4　變壓器反饋式振蕩器6.4　石英晶體振蕩器6.4.1　石英晶體簡(jiǎn)介6.4.2　石英晶體振蕩電路的分類(lèi)6.4.3　常見(jiàn)的石英晶體振蕩電路6.5　非正弦波振蕩器6.5.1　矩形波信號(hào)產(chǎn)生電路6.5.2　三角波信號(hào)產(chǎn)生電路6.5.3　鋸齒波信號(hào)產(chǎn)生電路6.6　本章小結(jié)6.7　實(shí)訓(xùn)6.7.1　實(shí)訓(xùn)1RC振蕩器的測(cè)試6.7.2　實(shí)訓(xùn)2LC振蕩器的測(cè)試6.7.3　實(shí)訓(xùn)3非正弦波振蕩器的測(cè)試6.8　習(xí)題第7章　直流穩(wěn)壓電源7.1　直流穩(wěn)壓電源概述7.1.1　直流穩(wěn)壓電源的組成與分類(lèi)7.1.2　直流穩(wěn)壓電源的技術(shù)指標(biāo)7.2　整流電路7.2.1　二極管整流電路7.2.2　晶閘管整流電路及晶閘管調(diào)壓電路7.3　濾波電路7.3.1　電容濾波電路7.3.2　其他形式的濾波電路7.4　穩(wěn)壓電路7.4.1　穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路7.4.2　串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路7.4.3　三端集成穩(wěn)壓器7.5　開(kāi)關(guān)電源7.5.1　開(kāi)關(guān)電源的特點(diǎn)與分類(lèi)7.5.2　開(kāi)關(guān)電源的結(jié)構(gòu)與原理7.5.3　開(kāi)關(guān)電源舉例7.6　其他電源電路7.6.1　直流一直流電路7.6.2　充電電路7.7　本章小結(jié)7.8　實(shí)訓(xùn)串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電源7.9　習(xí)題第8章　低頻電子線路課程設(shè)計(jì)8.1　晶體管放大器的實(shí)驗(yàn)電路設(shè)計(jì)8.2　音頻功率放大器的設(shè)計(jì)8.3　集成運(yùn)算放大器及其基本應(yīng)用（函數(shù)發(fā)生器的設(shè)計(jì)）8.4　光控節(jié)能燈電路的設(shè)計(jì)8.5　有源濾波器的設(shè)計(jì)8.6　電子配料秤的設(shè)計(jì)附錄附錄A 半導(dǎo)體器件的命名方法附錄B 常用器件的參數(shù)習(xí)題參考答案參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

　　第1章　常用半導(dǎo)體器件　　1.1　半導(dǎo)體的基本知識(shí)　　1.1.1　本征半導(dǎo)體　　物質(zhì)按照導(dǎo)電能力的不同可分為導(dǎo)體（conductor）、絕緣體（nonconductor）和半導(dǎo)體（semiconductor）。其中，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間。常用的半導(dǎo)體材料有硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）等。半導(dǎo)體具有摻雜特性、熱敏特性、光敏特性等，因而得到廣泛應(yīng)用?！　〖儍舻陌雽?dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體（Intrinsic Semiconductor）?！　」韬玩N都是四價(jià)元素，即它們?cè)拥淖钔鈱与娮訑?shù)都是4個(gè)，因而原子間以共價(jià)鍵形式結(jié)合。在絕對(duì)溫度零度（OK）以下時(shí)，由于本征半導(dǎo)體硅和鍺的最外層電子無(wú)法掙脫共價(jià)鍵的束縛，所以不能導(dǎo)電。當(dāng)溫度升高或有光照射時(shí)，受共價(jià)鍵束縛的部分電子獲得足夠的能量后掙脫共價(jià)鍵的束縛成為自由電子（Free Electron），同時(shí)在共價(jià)鍵中留下空位，稱(chēng)為空穴（hole）。這種由于光或熱的作用使半導(dǎo)體中產(chǎn)生電子空穴對(duì)的現(xiàn)象，稱(chēng)為本征激發(fā)。這里的自由電子和空穴也稱(chēng)為電子載流子和空穴載流子?！　”菊骷ぐl(fā)產(chǎn)生電子空穴對(duì)的同時(shí)，自由電子和空穴在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中又會(huì)相遇而重新形成共價(jià)鍵，這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為復(fù)合。當(dāng)環(huán)境溫度一定時(shí)，本征半導(dǎo)體中的本征激發(fā)和復(fù)合現(xiàn)象并存，且速率一定，使本征半導(dǎo)體內(nèi)維持一定數(shù)目的電子空穴對(duì)，稱(chēng)為熱平衡?！　?shí)際上，由于本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱，因而不能直接用于制作半導(dǎo)體器件。在制作半導(dǎo)體器件時(shí)，使用的是雜質(zhì)半導(dǎo)體?！　　?/pre>








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