微電子技術(shù)原理、設(shè)計(jì)與應(yīng)用

內(nèi)容概要

　　《微電子技術(shù)原理、設(shè)計(jì)與應(yīng)用（原書(shū)第2版）》詳細(xì)闡述了微電子技術(shù)的原理，并以技術(shù)原理與系統(tǒng)案例為線(xiàn)索，全面系統(tǒng)地介紹了特定微電子技術(shù)的各個(gè)要點(diǎn)和各種應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)原理。同時(shí)，還分析了特定微電子技術(shù)在推動(dòng)下一代微電子技術(shù)發(fā)展過(guò)程中所占的重要地位?！　　段㈦娮蛹夹g(shù)原理、設(shè)計(jì)與應(yīng)用（原書(shū)第2版）》材料豐富、內(nèi)容翔實(shí)、指導(dǎo)性強(qiáng)，可作為理工科院校電子、信息及相關(guān)專(zhuān)業(yè)的教材，也可作為電子技術(shù)人員和工程人員的技術(shù)參考書(shū)。

書(shū)籍目錄

譯者序原書(shū)前言第1章　半導(dǎo)體材料1.1　引言1.2　晶體結(jié)構(gòu)1.3　能帶及相關(guān)半導(dǎo)體參數(shù)1.4　載流子的轉(zhuǎn)移1.5　晶體缺陷1.6　小結(jié)參考文獻(xiàn)第2章　熱效應(yīng)特性2.1　引言2.2　熱效應(yīng)基本原理2.3　其他材料特性2.4　工程數(shù)據(jù)參考文獻(xiàn)第3章　半導(dǎo)體3.1　引言3.2　二極管參考文獻(xiàn)第4章　MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管4.1　引言4.2　伏安特性4.3　重要器件參數(shù)4.4　元器件微型化的局限性參考文獻(xiàn)第5章　集成電路5.1　引言5.2　高速電路設(shè)計(jì)技巧參考文獻(xiàn)第6章　集成電路設(shè)計(jì)6.1　引言6.2　IC設(shè)計(jì)過(guò)程概述6.3　IC設(shè)計(jì)總則6.4　小規(guī)模和中規(guī)模集成電路的設(shè)計(jì)6.5　LSI和VLSI電路設(shè)計(jì)6.6　MOS電路中不斷增加的封裝密度和不斷減小的功耗6.7　門(mén)陣列6.8　標(biāo)準(zhǔn)單元6.9　可編程邏輯器件6.10　不斷減小的傳輸延時(shí)6.11　輸出緩沖器參考文獻(xiàn)第7章　數(shù)字邏輯系列7.1　引言7.2　晶體管.晶體管邏輯電路7.3　CMOS邏輯電路7.4　發(fā)射極耦合邏輯電路7.5　可編程邏輯電路參考文獻(xiàn)第8章　存儲(chǔ)器8.1　引言8.2　存儲(chǔ)器構(gòu)造8.3　存儲(chǔ)器類(lèi)型8.4　接口存儲(chǔ)器8.5　檢錯(cuò)與糾錯(cuò)參考文獻(xiàn)第9章　微處理器9.1　引言9.2　體系結(jié)構(gòu)的基本要素參考文獻(xiàn)第10章　D/A和A/D轉(zhuǎn)換器10.1　引言10.2　D/A和A/D轉(zhuǎn)換電路參考文獻(xiàn)第11章　專(zhuān)用集成電路11.1　引言11.2　全定制ASIC11.3　半定制ASIC參考文獻(xiàn)第12章　數(shù)字濾波器12.1　引言12.2　FIR濾波器12.3　IIR濾波器12.4　有限字長(zhǎng)效應(yīng)參考文獻(xiàn)第13章　多片組件設(shè)計(jì)技術(shù)13.1　引言13.2　多片組件設(shè)計(jì)技術(shù)的定義13.3　設(shè)計(jì)、修補(bǔ)和測(cè)試13.4　MCM的應(yīng)用13.5　MCM的設(shè)計(jì)要點(diǎn)參考文獻(xiàn)第14章　集成電路的測(cè)試14.1　引言14.2　缺陷類(lèi)型14.3　測(cè)試的概念14.4　測(cè)試中的權(quán)衡參考文獻(xiàn)第15章　半導(dǎo)體故障模式15.1　分立半導(dǎo)體故障模式15.2　集成電路故障模式15.3　混合微電路及故障15.4　存儲(chǔ)IC故障模式15.5　IC封裝及故障15.6　除鉛15.7　篩選測(cè)試及再篩選測(cè)試15.8　靜電放電效應(yīng)參考文獻(xiàn)第16章　基本計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)16.1　引言16.2　計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)的定義16.3　單處理器系統(tǒng)16.4　多處理器系統(tǒng)16.5　存儲(chǔ)器分級(jí)體系16.6　實(shí)現(xiàn)過(guò)程中的注意事項(xiàng)參考文獻(xiàn)第17章　軟件設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)17.1　引言17.2　軟件的概念17.3　軟件工程的實(shí)質(zhì)17.4　一種新的設(shè)計(jì)方式17.5　Apollo板上飛行軟件成果：值得學(xué)習(xí)的課題17.6　“事先預(yù)防”式開(kāi)發(fā)17.7　“事先預(yù)防”理論17.8　設(shè)計(jì)及開(kāi)發(fā)過(guò)程17.9　選擇正確的模式并實(shí)現(xiàn)自動(dòng)操作參考文獻(xiàn)第18章　神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與模糊系統(tǒng)18.1　神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與模糊系統(tǒng)18.2　神經(jīng)單元18.3　前饋神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)18.4　神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的學(xué)習(xí)算法18.5　特殊前饋網(wǎng)絡(luò)18.6　循環(huán)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)18.7　模糊系統(tǒng)18.8　設(shè)計(jì)實(shí)例18.9　遺傳規(guī)則方法參考文獻(xiàn)第19章　機(jī)器視覺(jué)19.1　引言19.2　成像過(guò)程19.3　分割19.4　特征提取和匹配19.5　三維目標(biāo)識(shí)別19.6　動(dòng)態(tài)視覺(jué)19.7　應(yīng)用參考文獻(xiàn)第20章　語(yǔ)音增強(qiáng)技術(shù)概述20.1　引言20.2　信號(hào)子空間法20.3　短期頻譜估計(jì)20.4　多狀態(tài)語(yǔ)音模型20.5　二階統(tǒng)計(jì)估計(jì)20.6　結(jié)束語(yǔ)參考文獻(xiàn)第21章　Ad Hoe網(wǎng)絡(luò)21.1　引言21.2　路由算法21.3　媒體接入?yún)f(xié)議21.4　Ad Hoe網(wǎng)絡(luò)的TCP21.5　Ad Hoe網(wǎng)絡(luò)的容量參考文獻(xiàn)第22章　網(wǎng)絡(luò)通信22.1　網(wǎng)絡(luò)分析與設(shè)計(jì)的一般原則22.2　個(gè)人遠(yuǎn)程連接22.3　局域網(wǎng)22.4　互聯(lián)組網(wǎng)22.5　廣域網(wǎng)參考文獻(xiàn)第23章　印刷技術(shù)及系統(tǒng)23.1　引言23.2　印刷技術(shù)23.3　非擊打式印刷技術(shù)23.4　熱印刷技術(shù)23.5　電子照相印刷技術(shù)23.6　磁成像和離子成像技術(shù)23.7　系統(tǒng)要點(diǎn)參考文獻(xiàn)第24章　數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)24.1　引言24.2　獨(dú)立磁盤(pán)冗余陣列系統(tǒng)參考文獻(xiàn)第25章　光學(xué)存儲(chǔ)系統(tǒng)25.1　引言25.2　光度頭25.3　WORM技術(shù)25.4　磁-光技術(shù)25.5　可記錄壓縮盤(pán)25.6　光學(xué)磁盤(pán)系統(tǒng)參考文獻(xiàn)第26章　糾錯(cuò)技術(shù)26.1　背景知識(shí)26.2　引言26.3　糾錯(cuò)碼的發(fā)展26.4　糾錯(cuò)碼系列26.5　線(xiàn)性塊狀碼26.6　卷積碼26.7　格狀編碼調(diào)制26.8　應(yīng)用參考文獻(xiàn)縮略語(yǔ)

章節(jié)摘錄

　　第1章　半導(dǎo)體材料　　1.1　引言　　半導(dǎo)體是指導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。與電阻材料中的顆粒狀結(jié)構(gòu)不同，半導(dǎo)體材料具有晶體結(jié)構(gòu)，其導(dǎo)電性能是通過(guò)半導(dǎo)體原子中的復(fù)雜量子力學(xué)特性來(lái)確定的，這些原子在半導(dǎo)體中是呈周期性排列的。對(duì)于很多元素來(lái)說(shuō)，晶體結(jié)構(gòu)使原子的受束縛電子和自由電子（例如，不受束縛于原子的電子）能級(jí)之間產(chǎn)生了一個(gè)能帶，該能帶直接影響著晶體中與原子相關(guān)的電子成為載流子（即自由電子）的機(jī)制。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能與載流子的密度成正比，自由載流子密度的變化范圍很廣；我們可以將本征半導(dǎo)體中的很小一部分原子（大約百萬(wàn)分之一）替換成其他不同類(lèi)型的原子（即摻雜原子），這樣就可以改變自由載流子的密度。多數(shù)載流子的密度與摻入的雜質(zhì)密度直接相關(guān)。通過(guò)在晶體中選擇性地?fù)饺肫渌?，晶體就可以實(shí)現(xiàn)不同的導(dǎo)電性能。另外，載流子密度（自由電子的密度）由摻人的施主雜質(zhì)決定，而與自由電子相對(duì)應(yīng)空穴的密度則由摻入的受主雜質(zhì)決定（在這類(lèi)半導(dǎo)體中空穴數(shù)是自由電子數(shù)的兩倍）。因此，可以通過(guò)摻入雜質(zhì)的類(lèi)型來(lái)區(qū)分半導(dǎo)體的類(lèi)型（N型半導(dǎo)體：自由電子密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴密度；P型半導(dǎo)體：空穴密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于自由電子密度）?！　∪绻┘雍线m的電場(chǎng)，半導(dǎo)體中的中間微小區(qū)域可以處于一種所有載流子（電子和空穴）都被電場(chǎng)驅(qū)逐的狀態(tài)，而電場(chǎng)則由裸露的摻雜離子維持。這樣，在導(dǎo)電狀態(tài)（可變的電阻率）和非導(dǎo)電狀態(tài)（導(dǎo)電性隨著載流子的消失而消失）之間就可以形成一個(gè)電子開(kāi)關(guān)。

編輯推薦

　　《微電子技術(shù)原理、設(shè)計(jì)與應(yīng)用（原書(shū)第2版）》討論了微電子技術(shù)中的半導(dǎo)體材料、器件和工藝應(yīng)用；詳細(xì)介紹了IC設(shè)計(jì)過(guò)程VLSI電路。每一章中都介紹了微電子技術(shù)領(lǐng)域中部分相關(guān)技術(shù)的最新發(fā)展；每章中還給出了名詞解釋、參考文獻(xiàn)和給讀者的建議；書(shū)中所有內(nèi)容的基礎(chǔ)都是半導(dǎo)體器件及其基本特性。 《微電子技術(shù)原理、設(shè)計(jì)與應(yīng)用（原書(shū)第2版）》可以作為微電子技術(shù)、電子技術(shù)、電路、系統(tǒng)、半導(dǎo)體、邏輯電路設(shè)計(jì)和微處理器等專(zhuān)業(yè)人員的參考書(shū)籍。

圖書(shū)封面

圖書(shū)標(biāo)簽Tags

無(wú)

評(píng)論、評(píng)分、閱讀與下載

---

    微電子技術(shù)原理、設(shè)計(jì)與應(yīng)用 PDF格式下載

---