現(xiàn)代電力電子器件原理與應(yīng)用技術(shù)

內(nèi)容概要

　　《現(xiàn)代電力電子器件原理與應(yīng)用技術(shù)》力圖以通俗易懂的方式，介紹電力電子器件的原理與應(yīng)用技術(shù)，重點介紹了PN結(jié)原理，二極管、功率場效應(yīng)晶體管（MOS．FET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、晶閘管、集成門極換向晶閘管（IGCT）的原理、特性、保護、驅(qū)動等。根據(jù)現(xiàn)代電力電子器件發(fā)展的特點，《現(xiàn)代電力電子器件原理與應(yīng)用技術(shù)》還介紹了NPT、PT、Trench結(jié)構(gòu)，逆阻型IGBT等器件概念和SiC二極管、CoolMOS、同步整流器等新技術(shù)，另外結(jié)合器件的特點，介紹了相應(yīng)的典型功率變換電路?！　　冬F(xiàn)代電力電子器件原理與應(yīng)用技術(shù)》可作為電力電子與電氣傳動專業(yè)及相關(guān)專業(yè)的工程技術(shù)人員和研究生的參考書，也可作為從事開關(guān)電源、變頻器、逆變器、UPS等電力電子裝置開發(fā)、設(shè)計工程技術(shù)人員的參考書。

書籍目錄

前言第1章 緒論1.1 什么是電力電子技術(shù)1.2 電力電子器件簡介1.3 電力電子技術(shù)的發(fā)展與展望第2章 功率二極管2.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)2.1.1 概述2.1.2 能帶2.1.3 N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體2.1.4 半導(dǎo)體中的電流2.1.5 PN結(jié)2.1.6 PN結(jié)的反向擊穿2.1.7 PN結(jié)的電容效應(yīng)2.2 功率二極管2.2.1 功率二極管的性能參數(shù)2.2.2 功率二極管的穩(wěn)態(tài)伏安特性2.2.3 PIN功率二極管的開關(guān)特性2.2.4 快速恢復(fù)二極管的開通關(guān)斷特性2.2.5 改善二極管反向恢復(fù)特性的方法2.2.6 功率二極管的分類2.3 功率碳化硅肖特基二極管在高頻Boost功率因數(shù)校正電路中的應(yīng)用2.4 功率二極管的散熱措施2.4.1 功率二極管的熱平衡2.4.2 功率二極管的散熱2.4.3 散熱器的選擇與設(shè)計2.4.4 散熱器的冷卻方式第3章 功率場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）3.1 結(jié)構(gòu)與工作原理3.1.1 基本結(jié)構(gòu)與工作原理3.1.2 多元集成結(jié)構(gòu)的影響3.2 MOSFET的工作特性3.2.1 靜態(tài)特性3.2.2 動態(tài)特性3.2.3 安全工作區(qū)3.2.4 溫度穩(wěn)定性3.3 柵極的驅(qū)動與保護3.3.1 柵極驅(qū)動特性3.3.2 柵極驅(qū)動電路3.3.3 并聯(lián)應(yīng)用3.3.4 使用中的保護措施3.4 功率MOSFET新進展3.4.1 CoolMOS3.4.2 低壓低通態(tài)電阻MOSFET3.5 功率MOSFET應(yīng)用實例3.5.1 集成PWM控制芯片3.5.2 PWM控制DC—DC變換器基礎(chǔ)3.5.3 LLC諧振變換器3.5.4 單相功率因數(shù)校正3.5.5 板載電源……第4章 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第5章 晶閘管第6章 可關(guān)斷晶閘管（GTO晶閘管與IGCT）參考文獻

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