模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)

內(nèi)容概要

　　《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》根據(jù)教育部電子電氣基礎(chǔ)課程教學(xué)指導(dǎo)分委員會(huì)制定的“模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)”課程教學(xué)基本要求和模擬電子技術(shù)課程的特點(diǎn)編寫?！　≈饕獌?nèi)容包括：半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)、放大電路基礎(chǔ)和集成電路基礎(chǔ)三篇，半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)介紹二極管、晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管的基本原理，強(qiáng)調(diào)外部特征和應(yīng)用.放大電路基礎(chǔ)闡述基本放大電路的構(gòu)成、特點(diǎn)和應(yīng)用，強(qiáng)調(diào)工程近似概念；集成電路基礎(chǔ)包含集成運(yùn)放構(gòu)成、反饋、信號(hào)處理與產(chǎn)生、直流電源等內(nèi)容，強(qiáng)調(diào)運(yùn)放的工程應(yīng)用?！　　赌M電子技術(shù)基礎(chǔ)》可以作為高等院校電氣信息、電子信息類各專業(yè)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課程的教材，也可作為工程技術(shù)人員的參考書。

書籍目錄

第一篇 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)1 半導(dǎo)體二極管1.1 半導(dǎo)體的基本知識(shí)1.1.1 半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)1.1.2 本征半導(dǎo)體及其本征激發(fā)1.1.3 雜質(zhì)半導(dǎo)體1.2 PN結(jié)的形成及特性1.2.1 載流子的擴(kuò)散及漂移1.2.2 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.2.3 PN結(jié)的伏安特性1.2.4 PN結(jié)的反向擊穿1.2.5 PN結(jié)的電容效應(yīng)1.3 二極管1.3.1 二極管的結(jié)構(gòu)1.3.2 二極管的伏安特性1.3.3 二極管的主要參數(shù)1.4 二極管電路例題1.5 特殊二極管1.5.1 穩(wěn)壓管1.5.2 發(fā)光二極管1.5.3 光電二極管1.5.4 光電耦合器件1.5.5 肖特基二極管1.5.6 變?nèi)荻O管本章小結(jié)自我檢測(cè)題習(xí)題2 晶體管2.1 BJT2.1.1 BJT結(jié)構(gòu)簡介2.1.2 放大狀態(tài)下載流子的傳輸過程及電流分配關(guān)系2.1.3 晶體管共射接法時(shí)的伏安特性2.1.4 晶體管的主要參數(shù)2.2 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管2.2.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)2.2.2 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理2.2.3 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線2.3 金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管2.3.1 N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)2.3.2 N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理2.3.3 N溝道增強(qiáng)型MOSFET的特性曲線2.3.4 N溝道耗盡型MOSFET2.3.5 P溝道MOSFET2.4 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)2.4.1 直流參數(shù)2.4.2 交流參數(shù)2.4.3 極限參數(shù)本章小結(jié)自我檢測(cè)題習(xí)題第二篇 放大電路基礎(chǔ)3 模擬電子系統(tǒng)的基本問題3.1 電信號(hào)3.1.1 電信號(hào)的戴維寧等效和諾頓等效3.1.2 模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)3.2 模擬電子系統(tǒng)的基本分析方法3.2.1 模擬電子系統(tǒng)的基本構(gòu)成3.2.2 模擬電子系統(tǒng)的圖解分析法3.2.3 模擬電子系統(tǒng)的簡化模型分析法3.3 放大電路3.3.1 放大電路模型3.3.2 放大電路的主要性能指標(biāo)本章小結(jié)自我檢測(cè)題習(xí)題4 基本放大電路4.1 基本共射極放大電路4.1 1電路組成與工作原理4.1.2 共射極放大電路的圖解分析法4.1.3 放大電路的簡化模型分析法4.2 放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定問題4.2.1 溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響4.2.2 射極偏置電路4.3 共集和共基放大電路4.3.1 共集放大電路4.3.2 共基放大電路4.3.3 三種組態(tài)放大電路的性能比較4.4 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路4.4.1 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的靜態(tài)分析4.4.2 場(chǎng)效應(yīng)管的微變等效模型4.4.3 共源極放大電路4.4.4 共漏極放大電路4.4.5 共柵極放大電路4.5 多級(jí)放大電路4.5.1 多級(jí)放大電路的構(gòu)成與耦合方式4.5.2 多級(jí)放大電路的動(dòng)態(tài)分析4.5.3 幾種組合放大電路本章小結(jié)自我檢測(cè)題習(xí)題5 放大電路的頻率響應(yīng)5.1 頻率響應(yīng)的基本概念5.1.1 頻率響應(yīng)和通頻帶5.1.2 幅度失真與相位失真5.2 基本RC電路的頻率響應(yīng)5.2.1 RC低通電路的頻率響應(yīng)5.2.2 RC高通電路的頻率響應(yīng)5.3 晶體管的頻率參數(shù)及其高頻小信號(hào)模型5.3.1 晶體管的頻率參數(shù)5.3.2 晶體管的高頻小信號(hào)模型5.4 共射極放大電路的頻率響應(yīng)5.4.1 共射極放大電路的高頻響應(yīng)5.4.2 共射極放大電路的低頻響應(yīng)5.5 共基極放大電路的高頻響應(yīng)5.6 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的高頻響應(yīng)5.7 多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)本章小結(jié)自我檢測(cè)題習(xí)題6 功率放大電路6.1 功率放大電路的一般問題6.1.1 功率放大電路的特點(diǎn)6.1.2 功率放大電路提高效率的主要途徑6.2 乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路6.2.1 電路組成6.2.2 電路分析6.2.3 功放管的選擇6.3 甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路6.3.1 乙類功率放大電路的交越失真問題6.3.2 甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路6.3.3 甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路6.4 場(chǎng)效應(yīng)管功率放大電路本章小結(jié)自我檢測(cè)題習(xí)題第三篇 集成電路基礎(chǔ)部分習(xí)題參考答案參考文獻(xiàn)

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