集成電路芯片制造工藝技術(shù)

內(nèi)容概要

　　《集成電路芯片制造工藝技術(shù)》主要講述集成電路芯片制造工藝技術(shù)，主要有13章，內(nèi)容包括集成電路芯片制造工藝概述、氧化技術(shù)、擴(kuò)散技術(shù)、光刻技術(shù)、刻蝕、離子注入、化學(xué)氣相淀積、金屬化、表面鈍化、電學(xué)隔離技術(shù)、集成電路制造工藝流程、缺陷控制、真空與設(shè)備等內(nèi)容。附錄一中還介紹了硅材料基礎(chǔ)知識和硅材料的制備，附錄二給出了Fab廠常用術(shù)語的中英文對照?！　　都呻娐沸酒圃旃に嚰夹g(shù)》力求在技術(shù)體系合理完整的基礎(chǔ)上，使內(nèi)容由淺人深，從制造技術(shù)的原理出發(fā)，緊密地聯(lián)系生產(chǎn)實際，方便讀者理解這些原本復(fù)雜的工藝和流程。《集成電路芯片制造工藝技術(shù)》可作為高職高專院校微電子技術(shù)及相關(guān)專業(yè)的教學(xué)用書，也可作為工程技術(shù)人員的參考用書。

書籍目錄

第1章　集成電路芯片制造工藝概述1.1　集成電路概述1.1.1　集成電路的概念1.1.2　集成電路的分類1.2　制造工藝技術(shù)在集成電路發(fā)展中的作用1.2.1　集成電路發(fā)展簡史1.2.2　集成電路的發(fā)展規(guī)律1.2.3　集成電路的發(fā)展展望1.2.4　硅微電子技術(shù)發(fā)展的幾個趨勢1.2.5　硅技術(shù)以外的半導(dǎo)體微電子技術(shù)發(fā)展方向1.2.6　集成電路發(fā)展面臨的問題1.3　國內(nèi)半導(dǎo)體工藝技術(shù)現(xiàn)狀1.4　集成電路芯片工藝基本技術(shù)1.4.1　工藝制造中的核心步驟1.4.2　窗口、圖形的確定與掩模板的作用1.4.3　主要工藝技術(shù)思考題第2章　氧化技術(shù)2.1　SiO2的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)及用途2.1.1　SiO2的結(jié)構(gòu)2.1.2　SiO2的主要性質(zhì)和作用2.2　SiO2的掩蔽作用2.2.1　雜質(zhì)在SiO2中的存在形式2.2.2　雜質(zhì)在SiO2中的擴(kuò)散系數(shù)2.2.3　SiO2掩蔽層厚度的確定2.3　高溫氧化（熱氧化）2.4　熱氧化過程2.5　決定氧化速率常數(shù)的各種因素2.5.1　氧化劑分壓的影響2.5.2　氧化溫度的影響2.5.3　硅表面晶向的影響2.5.4　雜質(zhì)的影響2.6　熱氧化過程中雜質(zhì)的再分布2.6.1　雜質(zhì)的再分布2.6.2　再分布對硅表面雜質(zhì)濃度的影響思考題第3章　擴(kuò)散技術(shù)3.1　概述3.2　擴(kuò)散機(jī)構(gòu)3.2.1　間隙式擴(kuò)散3.2.2　替位式擴(kuò)散3.3　半導(dǎo)體中雜質(zhì)原子擴(kuò)散的濃度分布3.4　常用雜質(zhì)的擴(kuò)散方法3.4.1　硼擴(kuò)散3.4.2　磷擴(kuò)散3.4.3　砷擴(kuò)散3.4.4　銻擴(kuò)散3.4.5　金擴(kuò)散3.5　雜質(zhì)擴(kuò)散后結(jié)深和方塊電阻的測量3.5.1　結(jié)深的測量3.5.2　擴(kuò)散層電阻3.5.3　方塊電阻的測量思考題第4章　光刻技術(shù)4.1　概述4.1.1　光刻的基本要求4.1.2　光刻的工藝流程4.2　光刻膠及其特性4.2.1　光刻膠的類型及感光機(jī)理4.2.2　光刻膠的性能4.3　光刻技術(shù)思考題第5章　刻蝕5.1　VLSI對圖形轉(zhuǎn)移的要求和刻蝕方法5.1.1　VLSI對圖形轉(zhuǎn)移的要求5.1.2　刻蝕方法5.2　等離子刻蝕5.2.1　等離子體刻蝕原理5.2.2　等離子刻蝕裝置5.2.3　等離子刻蝕的性能5.3　反應(yīng)離子刻蝕（RIE）與離子束刻蝕思考題第6章　離子注入6.1　離子注入設(shè)備6.2　注人離子的濃度分布與退火6.2.1　注入離子濃度分布6.2.2　晶格損傷和退火6.3　離子注入的特點和應(yīng)用6.3.1　離子注入的特點6.3.2　離子注入的應(yīng)用思考題第7章　化學(xué)氣相淀積7.1　化學(xué)氣相淀積的化學(xué)過程及薄膜分類7.1.1　化學(xué)氣相淀積的過程7.1.2　化學(xué)氣相淀積的薄膜分類及工藝特點7.2　化學(xué)氣相淀積生長動力學(xué)7.2.1　薄膜生長過程7.2.2　化學(xué)氣相淀積模型7.2.3　襯底表面氣體邊界層厚度δ（附面層）與hc的關(guān)系7.3　化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)7.3.1　APCVD工藝7.3.2　LPCVD工藝7.3.3　PECVD工藝（Plasma—Enhanced Chemical Vapor Deposition）思考題第8章　金屬化8.1　概述8.1.1　金屬化工藝的作用8.1.2　集成電路對金屬化系統(tǒng)的要求8.1.3　金屬-半導(dǎo)體接觸8.2　金屬化薄膜的制備8.2.1　真空蒸發(fā)8.2.2　濺射8.2.3　其他淀積技術(shù)8.3　金屬化互連技術(shù)8.3.1　金屬化系統(tǒng)8.3.2　常用金屬化系統(tǒng)及其特點8.3.3　金屬化互連系統(tǒng)中的失效及改進(jìn)措施思考題第9章　表面鈍化9.1　概述9.1.1　介質(zhì)膜（絕緣膜）的作用9.1.2　介質(zhì)膜的一般要求9.1.3　介質(zhì)膜的種類9.2　Si-SiO2系統(tǒng)9.2.1　Si-SiO2系統(tǒng)中的電荷9.2.2　Si-SiO2系統(tǒng)中的電荷對器件性能的影響9.2.3　Si-SiO2結(jié)構(gòu)性質(zhì)的測試分析9.3　主要的鈍化方法9.3.1　含氯氧化9.3.2　磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）鈍化9.3.3　氮化硅（Si3N4）鈍化膜9.3.4　氧化鋁（Al2O3）鈍化膜9.3.5　聚酰亞胺（PI）鈍化膜9.4　鈍化膜結(jié)構(gòu)9.4.1　雙層結(jié)構(gòu)9.4.2　多層鈍化結(jié)構(gòu)思考題第10章　電學(xué)隔離技術(shù)10.1　二極管的結(jié)構(gòu)10.2　雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)10.3　CMOS場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)10.3.1　場氧化層的作用10.3.2　CMOS電路的結(jié)構(gòu)10.4　電阻的結(jié)構(gòu)10.5　電容的結(jié)構(gòu)10.6　接觸孔、通孔和連線思考題第11章　集成電路制造工藝流程11.1　典型的雙極集成電路工藝11.2　CMOS集成電路工藝11.3　0.13μm/0.18μmCMOS工藝流程改進(jìn)思考題第12章　缺陷控制12.1　缺陷的概述12.1.1　缺陷的定義12.1.2　缺陷的分類12.1.3　缺陷的來源12.1.4　缺陷的危害12.2　缺陷的檢測12.2.1　檢測原理12.2.2　檢測機(jī)臺12.2.3　缺陷來源的調(diào)查方法12.3　缺陷的控制方法及成品率提升12.3.1　缺陷的控制方法12.3.2　缺陷的改善與成品率的提升12.4　潔凈室思考題第13章　真空與設(shè)備13.1　引言13.2　真空13.2.1　真空范圍13.2.2　平均自由程13.3　真空泵13.3.1　初級泵13.3.2　高級真空泵13.3.3　集成工具中的真空13.4　工藝腔內(nèi)的氣流13.5　殘余氣體分析器13.5.1　RGA基礎(chǔ)13.5.2　實時監(jiān)控的RGA13.6　等離子體13.7　工藝腔的沾污思考題附錄一　芯片制造材料第A1章　硅材料基礎(chǔ)知識A1.1　硅的性質(zhì)A1.2　晶體基礎(chǔ)知識A1.3　摻雜半導(dǎo)體的導(dǎo)電性第A2章　硅材料的制備A2.1　多晶硅的制備A2.1.1　冶金級硅材料的制備A2.1.2　高純度多晶硅的制備A2.2　單晶硅的制備A2.2.1　晶體生長的概念A(yù)2.2.2　單晶硅的生產(chǎn)方法A2.2.3　單晶硅的性能測試A2.3　硅片的生產(chǎn)思考題附錄二　Fab廠常用術(shù)語的中英文對照參考文獻(xiàn)

編輯推薦

　　進(jìn)入21世紀(jì)，隨著人類對集成電路的深入認(rèn)識和廣泛應(yīng)用，不僅帶來了世界經(jīng)濟(jì)與技術(shù)的飛速發(fā)展，而且也帶來了整個社會的深刻變革，它日益改變著人們的生活方式和交流方式，使人類進(jìn)入了一個新的信息化文明時代。大到飛入太空的“宇宙飛船”，小到我們身邊的電子手表，里面都有集成電路。

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