半導(dǎo)體材料研究進(jìn)展

內(nèi)容概要

　　本書(shū)首先回顧了半導(dǎo)體材料的發(fā)展史，簡(jiǎn)述了半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)機(jī)理和現(xiàn)代半導(dǎo)體材料制備與表征新技術(shù)；然后對(duì)元素半導(dǎo)體鍺、硅單晶材料以及硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的制備、物性及其在微電子、光伏電池和光電集成方面的應(yīng)用做了概述；接著介紹以GaAs、InP為代表的Ⅲ-V族化食物單晶襯底材料、趣晶格量子阱、量子線(xiàn)和量子點(diǎn)材料及應(yīng)用，寬禁帶GaN基Ⅲ族氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料和SiC單aaa、外延材料及其相關(guān)器件應(yīng)用；進(jìn)而重點(diǎn)描述近年來(lái)得到迅速發(fā)展的以Zn0為代表的II-VI族半導(dǎo)體材料的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)；最后分別介紹HgCdTe等半導(dǎo)體紅外探測(cè)材料和金剛石與立方氮化硼半導(dǎo)體材料的最新研究進(jìn)展。
　　本書(shū)可作為高等院校、科研院所從事電子科學(xué)與技術(shù)、微電子和光電子學(xué)、電子工程與材料科學(xué)等專(zhuān)業(yè)的研究生和科研工作者的參考讀物。

作者簡(jiǎn)介

　　王占國(guó)，半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家。1938年12月29日生于河南鎮(zhèn)平縣。1962年畢業(yè)于南開(kāi)大學(xué)物理系，同年到中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工作至今。現(xiàn)任中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員，中國(guó)電子學(xué)會(huì)常務(wù)理事、半導(dǎo)體和集成技術(shù)分會(huì)主任，中國(guó)材料研究學(xué)會(huì)榮譽(yù)理事，國(guó)家“973計(jì)劃”材料領(lǐng)域咨詢(xún)專(zhuān)家組組長(zhǎng)，以及多個(gè)國(guó)際會(huì)議顧問(wèn)委員會(huì)委員等。主要從事半導(dǎo)體材料和材料物理以及半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)、性質(zhì)和量子器件研制等方面研究，先后獲國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)、國(guó)家科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)，中國(guó)科學(xué)院自然科學(xué)一等獎(jiǎng)和科技進(jìn)步一、二和三等獎(jiǎng)以及何梁何利科技進(jìn)步獎(jiǎng)等多項(xiàng)，與合作者一起發(fā)表SCI學(xué)術(shù)論文200多篇，培養(yǎng)碩士、博士和博士后工作人員近百人，1995年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士。
　　鄭有炓，南京大學(xué)物理系教授、博士生導(dǎo)師，中國(guó)科學(xué)院院士。1957年畢業(yè)于南京大學(xué)物理系(北京大學(xué)等五校聯(lián)合半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè))。1957年　至今在南京大學(xué)物理系任教。1984年至1986年，參加中、美兩國(guó)物理學(xué)會(huì)“原子、分子和凝聚態(tài)物理合作研究計(jì)劃”，在美國(guó)紐約州立大學(xué)(Buffalo)物理系開(kāi)展半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)研究。近年來(lái)主要從事寬禁帶半導(dǎo)體、Ⅳ族半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料與器件物理研究。他與研究組已發(fā)表學(xué)術(shù)論文400余篇；獲得國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利30多項(xiàng)；主編“寬禁帶半導(dǎo)體及其應(yīng)用”(《中國(guó)材料工程大典》第11卷，第6篇)；獲國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)1項(xiàng)，國(guó)家技術(shù)發(fā)明三等獎(jiǎng)1項(xiàng)，江蘇省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)1項(xiàng)；還獲省部級(jí)科技進(jìn)步獎(jiǎng)8項(xiàng)及光華科技基金一等獎(jiǎng)、國(guó)家“863計(jì)劃”先進(jìn)工作者一等獎(jiǎng)、江蘇省人才培養(yǎng)教學(xué)成果一等獎(jiǎng)。

書(shū)籍目錄

第一章　緒論
　1.1　半導(dǎo)體材料發(fā)展簡(jiǎn)史
　1.2　半導(dǎo)體材料功能結(jié)構(gòu)的演進(jìn)
　　1.2.1　半導(dǎo)體三維結(jié)構(gòu)材料
　　1.2.2　半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)材料
　1.3　半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)模式
　　1.3.1　半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)方法概述
　　1.3.2　塊狀半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)
　　1.3.3　半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料外延生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)
　　1.3.4　半導(dǎo)體納米材料的氣-液-固(VLS)反應(yīng)生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)
　1.4　碳基材料——石墨烯與碳納米管
　　1.4.1　石墨烯
　　1.4.2　碳納米管
　參考文獻(xiàn)
第二章　現(xiàn)代半導(dǎo)體材料制備和表征技術(shù)
　2.1　現(xiàn)代半導(dǎo)體材料制備技術(shù)
　　2.1.1　引言
　　2.1.2　分子束外延技術(shù)
　　2.1.3　金屬有機(jī)氣相外延技術(shù)
　　2.1.4　其他外延生長(zhǎng)技術(shù)
　2.2　現(xiàn)代半導(dǎo)體材料表征技術(shù)
　　2.2.1　引言
　　2.2.2　掃描探針顯微技術(shù)
　　2.2.3　反射差分譜
　　2.2.4　掃描近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡
　參考文獻(xiàn)
第三章　元素半導(dǎo)體材料鍺和硅
　3.1　鍺的制備技術(shù)和應(yīng)用進(jìn)展
　　3.1.1　鍺的研究和應(yīng)用
　　3.1.2　鍺的基本性質(zhì)
　　3.1.3　金屬鍺的制備
　　3.1.4　高純鍺的制備
　　3.1.5　鍺單晶的制備
　3.2　高純多晶硅的制備技術(shù)
　　3.2.1　硅的基本性質(zhì)和應(yīng)用
　　3.2.2　金屬硅的制備技術(shù)
　　3.2.3　化學(xué)法制備多晶硅技術(shù)
　　3.2.4　物理冶金法制備多晶硅技術(shù)
　3.3　微電子硅材料進(jìn)展
　　3.3.1　微電子硅材料的研究和應(yīng)用
　　3.3.2　大直徑硅晶體的生長(zhǎng)和加工
　　3.3.3　晶體硅的缺陷工程和雜質(zhì)工程
　　3.3.4　外延硅薄膜的生長(zhǎng)
　　3.3.5　新型硅基薄膜
　　3.3.6　納米硅制備及其在納電子的應(yīng)用
　　3.3.7　硅基發(fā)光和硅基光電子
　3.4　太陽(yáng)能硅材料進(jìn)展
　　3.4.1　太陽(yáng)能硅材料的研究及應(yīng)用
　　3.4.2　直拉硅單晶的生長(zhǎng)和加工
　　3.4.3　鑄造多晶硅的生長(zhǎng)和加工
　　3.4.4　非晶硅薄膜的進(jìn)展
　　3.4.5　帶硅的應(yīng)用和進(jìn)展
　　3.4.6　納米硅太陽(yáng)能電池的應(yīng)用
　參考文獻(xiàn)
第四章　硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料
　4.1　引言
　4.2　硅基Ⅳ族異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料
　　4.2.1　SiGe合金材料
　　4.2.2　自組裝Ge量子點(diǎn)材料
　　4.2.3　硅基Ge材料
　　……
第五章　Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料
第六章　m族氮化物半導(dǎo)體材料
第七章　SiC半導(dǎo)體材料
第八章?、蛞虎鲎灏雽?dǎo)體材料
第九章　紅外半導(dǎo)體材料
第十章　半導(dǎo)體金剛石和立方氮化硼材料
參考文獻(xiàn)

圖書(shū)封面

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