電子線路

內(nèi)容概要

本書是普通高等教育“十一五”國(guó)家級(jí)規(guī)劃教材。其第三版被列為普通高等教育“九五”國(guó)家教委重點(diǎn)教材；第四版被列為面向21世紀(jì)課程教材。全書由晶體二極管、晶體三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、放大器基礎(chǔ)、放大器中的負(fù)反饋、集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用電路共六章組成。與第四版相比，本版在保持原教材的既有特色、基本內(nèi)容的前提下，增加場(chǎng)效應(yīng)管電路的分析與應(yīng)用，壓縮雙極型管電路的內(nèi)容；增加相關(guān)數(shù)字電路的基本結(jié)構(gòu)以及簡(jiǎn)單分析；強(qiáng)調(diào)基本概念、電路設(shè)計(jì)思想、性能改進(jìn)的理念和方法，壓縮繁瑣的計(jì)算分析。在教材的選材和敘述中重視物理概念、物理解釋，而不局限于數(shù)學(xué)推導(dǎo)。在內(nèi)容的修訂中注意教學(xué)理念的更新，采用循序漸進(jìn)、重復(fù)引用的方式；思路清晰，易教易學(xué)。     本書是高等學(xué)校電子信息、通信類專業(yè)“線性電子線路”、“低頻電子線路”課程的教材，也可供從事電子技術(shù)工作的工程技術(shù)人員參考。

書籍目錄

第1章  晶體二極管  1．1  半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)    1．1．1  本征半導(dǎo)體    1．1．2  雜質(zhì)半導(dǎo)體    1．1．3  兩種導(dǎo)電機(jī)理——漂移和擴(kuò)散    1．1．4  小結(jié)  1．2  PN結(jié)    1．2．1  動(dòng)態(tài)平衡下的PN結(jié)    1．2．2  PN結(jié)的伏安特性    1．2．3  PN結(jié)的擊穿特性    1．2．4  PN結(jié)的溫度特性    1．2．5  PN結(jié)的電容特性    1．2．6  PN結(jié)的開(kāi)關(guān)特性    1．2．7  小結(jié)  1．3  晶體二極管電路的分析方法    1．3．1  晶體二極管模型    1．3．2  晶體二極管電路分析方法  1．4  晶體二極管的應(yīng)用    1．4．1  整流與穩(wěn)壓電路    1．4．2  限幅和鉗位電路    1．4．3  二極管與門、或門  1．5  其它二極管    1．5．1  肖特基表面勢(shì)壘二極管    1．5．2  光電二極管  習(xí)題  附錄  PSPLCE電路分析第2章  晶體三極管  2．1  晶體三極管的工作原理    2．1．1  內(nèi)部載流子的傳輸過(guò)程    2．1．2  電流傳輸方程  2．2  晶體三極管模型    2．2．1  埃伯爾斯-莫爾模型    2．2．2  晶體三極管的共射等效電路模型    2．2．3  晶體三極管的伏安特性曲線    2．2．4  晶體三極管的頻率參數(shù)  2．3  晶體三極管電路分析方法    2．3．1  圖解分析法    2．3．2  等效電路分析法  2．4  晶體三極管的應(yīng)用原理    2．4．1  電流源    2．4．2  放大器    2．4．3  跨導(dǎo)線性電路    2．4．4  TTL電路  2．5  集成工藝    2．5．1  集成工藝的標(biāo)準(zhǔn)流程    2．5．2  集成元器件    2．5．3  集成元器件的特點(diǎn)    2．5．4  SiGe-HBT工藝    習(xí)題    附錄PSPICE電路分析第3章  場(chǎng)效應(yīng)管  3．1  MOS場(chǎng)效應(yīng)管    3．1．1  EMOS場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)    3．1．2  EMOS場(chǎng)效應(yīng)管工作原理    3．1．3  EMOS場(chǎng)效應(yīng)管特性    3．1．4  耗盡型MOS(DMOS)場(chǎng)效應(yīng)管    3．1．5  場(chǎng)效應(yīng)管等效電路    3．1．6  BSIM3模型    3．1．7  場(chǎng)效應(yīng)管器件小結(jié)  3．2  結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管    3．2．1  工作原理    3．2．2  伏安特性曲線  3．3  場(chǎng)效應(yīng)管和雙極型管比較  3．4  場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用原理    3．4．1  有源電阻    3．4．2  MOS開(kāi)關(guān)    3．4．3  邏輯門電路  3．5  集成工藝    3．5．1  標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝    3．5．2  BiCMOS工藝  習(xí)題  附錄  PSPICE電路分析第4章  放大器基礎(chǔ)  4．1  放大器的基本概念    4．1．1  放大的原理和實(shí)質(zhì)    4．1．2  放大器的性能指標(biāo)  4．2  基本放大器    4．2．1  共源、共柵和共漏放大器性能    4．2．2  共射、共基和共集放大器的性能    4．2．3  集成MOS放大器    4．2．4  組合放大器(Combination Amplifier)  4．3  差分放大器    4．3．1  電路結(jié)構(gòu)    4．3．2  性能特點(diǎn)    4．3．3  電路兩邊不對(duì)稱對(duì)性能的影響    4．3．4  差模傳輸特性  4．4  電流源電路及其應(yīng)用    4．4．1  鏡像電流源電路    4．4．2  其它改進(jìn)型電流源電路    4．4．3  電流源的應(yīng)用  4．5  多級(jí)放大器    4．5．1  多級(jí)放大器的基本問(wèn)題    4．5．2  多級(jí)放大器的性能指標(biāo)計(jì)算    4．5．3  一個(gè)實(shí)際的多級(jí)放大器  4．6  放大器的頻率響應(yīng)    4．6．1  復(fù)頻域分析方法    4．6．2  共源、共射放大器的頻率特性    4．6．3  其它組態(tài)放大器的頻率響應(yīng)    4．6．4  寬帶放大器  4．7  放大器的噪聲    4．7．1  起伏噪聲的來(lái)源    4．7．2  放大器噪聲分析  習(xí)題  附錄  PSPICE乜路分析第5章  放大器中的負(fù)反饋  5．1  反饋放大器的基本概念    5．1．1  反饋放大器的組成    5．1．2  四種類型負(fù)反饋放大器    5．1．3  反饋放大器的判別  5．2  負(fù)反饋對(duì)放大器性能的影響    5．2．1  輸入電阻    5．2．2  增益及其穩(wěn)定性    5．2．3  輸出電阻    5．2．4  失真和噪聲  5．3  負(fù)反饋放大器的性能分析    5．3．1  負(fù)反饋放大器的分析方法    5．3．2  負(fù)反饋放大器分析舉例    5．3．3  深度負(fù)反饋  5．4  負(fù)反饋放大器的穩(wěn)定性    5．4．1  判別穩(wěn)定性的準(zhǔn)則    5．4．2  集成運(yùn)放的相位補(bǔ)償技術(shù)  習(xí)題  附錄PSPICE電路分析第6章  集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用電路  6．1  集成運(yùn)算放大器    6．1．1  集成運(yùn)放概述    6．1．2  MOS運(yùn)放核心電路  6．2  集成運(yùn)放應(yīng)用電路的組成原理    6．2．1  集成運(yùn)放的理想化條件    6．2．2  集成運(yùn)放應(yīng)用電路的分類    6．2．3  集成運(yùn)放的基本應(yīng)用電路  6．3  集成運(yùn)放應(yīng)用電路    6．3．1  閉環(huán)應(yīng)用    6．3．2  開(kāi)環(huán)應(yīng)用    6．3．3 混合應(yīng)用  6．4  集成運(yùn)放的性能參數(shù)及其對(duì)應(yīng)用電路的影響    6．4．1  集成運(yùn)放性能參數(shù)及宏模型    6．4．2  直流和低頻參數(shù)對(duì)性能的影響    6．4．3  高頻參數(shù)對(duì)性能的影響  6．5  高精度和高速寬帶集成運(yùn)放    6．5．1  高精度集成運(yùn)放    6．5．2  高速寬帶集成運(yùn)放  習(xí)題附錄  PSPICE電路分析主要參考書目

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