半導體物理學（下冊）

內(nèi)容概要

本書共十七章，分上下兩冊出版。上冊主要涉及一些比較基本的內(nèi)容，包括結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)，半導體中的電子狀態(tài)，載流子的平衡統(tǒng)計，過剩載流子，接觸現(xiàn)象，半導體表而和MIS結(jié)構(gòu)，微結(jié)構(gòu)和超晶格，半導體的光吸收，半導體的光發(fā)射等十章。下冊則收入一些專題，包括載流子的散射，熱現(xiàn)象，復雜能帶輸運，熱載流子，強磁場下的輸運和磁光現(xiàn)象，半導體中自旋相關(guān)的現(xiàn)象，非晶態(tài)半導體等七章。本書可供已學過同體物理的大學生、研究生以及有關(guān)方面的研究人員閱讀、參考。

書籍目錄

符號表第11章 載流子的散射  11.1 散射率  11.2 屏蔽庫侖勢和電離雜質(zhì)散射  11.3 聲學波形變勢散射  11.4 聲學波壓電散射  11.5 光學波形變勢散射和等價谷間散射  11.6 極性光學波及其散射  11.7 等離子體振蕩和等離子體激元散射  11.8 載流子之間的散射  11.9 其它晶格缺陷的散射  11.10 半導體中的各種散射機制  第11章參考文獻第12章 半導體中的熱現(xiàn)象  12.1 半導體的熱導  12.2 熱電效應(yīng)及其相互聯(lián)系  12.3 溫差電動勢率  12.4 熱磁效應(yīng)  12.5 聲子曳引效應(yīng)  第12章參考文獻第13章 復雜能帶中的輸運現(xiàn)象  13.1 多谷帶的電導、霍爾效應(yīng)和磁阻  13.2 半導體中的壓阻效應(yīng)  13.3 聲電效應(yīng)  附錄13.1 Herring-Vogt變換  第13章參考文獻第14章 熱載流子和相關(guān)現(xiàn)象  14.1 熱載流子和載流子溫度模型  14.2 能量弛豫機制和能量損失率  14.3 蒙特卡羅模擬  14.4 和谷間轉(zhuǎn)移相關(guān)的熱載流子輸運現(xiàn)象  14.5 雪崩擊穿和碰撞電離  14.6 熱載流子的擴散  14.7 激光產(chǎn)生的熱載流子的弛豫  14.8 研究載流子動態(tài)過程的超快光譜方法  14.9 量子阱中熱載流子的弛豫  14.10 量子阱中熱激子的動態(tài)過程  14.11 量子點中電子空穴的弛豫  附錄14.1 第二類修正貝塞爾函數(shù)  第14章參考文獻第15章 強磁場輸運和磁光現(xiàn)象  15.1 磁量子化和自旋分裂  15.2 縱向振蕩磁阻  15.3 橫向振蕩磁阻  15.4 量子霍爾效應(yīng)  15.5 回旋共振  15.6 磁-聲子效應(yīng)和強微波輻照場下的零磁阻  15.7 振蕩磁吸收  15.8 幾種其它磁光效應(yīng)  第15章參考文獻第16章 半導體中自旋相關(guān)的現(xiàn)象  16.1 自旋及其在磁場中的行為  16.2 自旋-軌道相互作用  16.3 稀磁半導體及其鐵磁性  16.4 電子自旋的光取向及自旋相關(guān)的光學現(xiàn)象  16.5 自旋霍爾效應(yīng)和其它自旋相關(guān)的輸運現(xiàn)象  16.6 自旋極化的電注入和探測  16.7 自旋極化的弛豫  16.8 核自旋超精細相互作用  16.9 自旋和量子計算  16.10 自旋共振和自旋-核雙共振在半導體中的應(yīng)用  第16章參考文獻第17章 非晶態(tài)半導體  17.1 非晶態(tài)半導體的結(jié)構(gòu)  17.2 非晶態(tài)半導體中的電子狀態(tài)  17.3 非晶態(tài)半導體中的輸運現(xiàn)象  17.4 非晶態(tài)半導體的光吸收  17.5 非晶態(tài)Si、Ge中的隙態(tài)和摻雜效應(yīng)  17.6 硫系非晶態(tài)半導體  第17章參考文獻索引《半導體物理學(上冊)》的若干修改感謝

章節(jié)摘錄

插圖：過去30年中，對熱載流子的動態(tài)弛豫過程進行了大量的研究.這不僅是因為它們在物理上具有基本的重要性，而且因為載流子弛豫過程和電子器件及光電子器件的響應(yīng)速度密切相關(guān)。例如，GaAs場效應(yīng)晶體管和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管可達到的速度取決于電子在導帶中高速區(qū)和低速區(qū)的轉(zhuǎn)換的快慢。在這一節(jié)和下一節(jié)中，我們將討論激光脈沖激發(fā)的能量較高的熱載流子的弛豫過程。實驗方法主要是超快的、時間分辨的光譜方法。這種研究載流子的非平衡現(xiàn)象及和品格相互作用的方法，不同于傳統(tǒng)的通過輸運性質(zhì)進行研究的方法。輸運性質(zhì)反映的是不同能量的載流子的平均性質(zhì)。而采用基于亞ps和fs激光脈沖的時間分辨光譜技術(shù)，使人們可探測到載流子微觀分布及它們在亞ps和fs時間尺度上的演變。由于不同散射機制的散射時間通常分布在幾十fs到幾百fs之間，因而這類方法可展現(xiàn)載流子分布所經(jīng)歷的變化，并可通過分析認識變化過程所涉及的主要散射機制。激發(fā)一探測光譜術(shù)和時間分辨的熒光譜是應(yīng)用得很廣泛的實驗方法。實驗大多在Ⅲ-V化合物，特別是GaAs上進行的。選擇Ⅲ-V化合物而不是Ⅵ族元素半導體，是因為它們是直接禁帶的，其中的光吸收和光發(fā)射過程都較易于解讀。而且在實驗上，對于探測載流子的分布函數(shù)和它們的動態(tài)過程都至關(guān)重要的復合熒光，只有在直接禁帶材料中才易于被觀察到。有關(guān)的實驗方法和具有典型意義的實驗結(jié)果將放在下一節(jié)介紹。我們將主要以GaAs為例來說明，適當輔以其它半導體。

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《半導體物理學(下)》為高等教育出版社出版。

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