透明導電氧化物薄膜

前言

半導體物理學在最近幾十年取得了驚人的進展，其動力源于半導體材料及其廣闊的應用背景與理論和應用的有機結(jié)合。這一方面推動了基礎理論的進步，另一方面促進了新型實用材料體系和先進工藝制備技術的不斷涌現(xiàn)。充分體現(xiàn)新材料是支撐現(xiàn)代文明社會的基礎和促進高技術發(fā)展的先導。微電子技術特別是顯示技術和太陽能光電轉(zhuǎn)換技術等熱點領域的巨大需求，使得無論從基礎研究還是應用開發(fā)方面，推動了一個很重要的領域——氧化物半導體透明導電薄膜體系——的蓬勃發(fā)展。

內(nèi)容概要

本書主要論述透明導電薄膜的性能與技術，比較系統(tǒng)全面地介紹了透明導電氧化物薄膜的結(jié)構(gòu)、性能、制備、表征與應用，反映了當前透明導電氧化物薄膜性能與技術研究、發(fā)展的前沿信息。全書共七章，包括了透明導電氧化物薄膜的基本特征、沉積制備、性能分析檢測、微細結(jié)構(gòu)、電學性能、光學性能及應用等內(nèi)容。書中不僅包含作者近年來在國內(nèi)外的最新研究成果，還概括了國內(nèi)外很多學者在透明導電氧化物薄膜研究上的主要成就，是本比較系統(tǒng)全面的透明導電氧化物薄膜論著。

作者簡介

姜辛，德國夫瑯和費薄膜與表面工程研究所高級研究員，材料學專家。1983年畢業(yè)于吉林大學物理系，獲學士學位；1992年在世界上首先獲得金剛石在Si上的異質(zhì)外延生長，該方法在全世界被廣泛采用來制備高質(zhì)量金剛石膜。在15年的科學研究中，在薄膜技術領域，尤其在金剛石外延領域多年處于世界領先地位，成為世界著名學者之一，其發(fā)表文章100余篇，引用總次數(shù)1000余次，國際特邀報告10余次。作為華人，首次在德國獲得教授資格及第二學位（Dr.rer.nat.habil.），并在布倫瑞克大學任教授。目前主要從事薄膜太陽能電池，外延膜的生長，納米復合梯度膜的制備，納米材料等方面的研究。2002年同時受到德國Clausthal技術大學及濟根大學終身教授聘請。

書籍目錄

第一章  透明導電薄膜概述  1.1  概述  1.2  透明導電薄膜的分類  1.3  透明導電薄膜的基本特性    1.3.1  透明導電金屬薄膜    1.3.2  透明導電氧化物薄膜  1.4  透明導電氧化物薄膜的研究現(xiàn)狀    1.4.1  SnO2薄膜及其摻雜體系    1.4.2  Cd2SnO4薄膜體系    1.4.3  In2O3薄膜及其摻雜體系    1.4.4  ZnO薄膜及其摻雜體系  1.5  透明導電氧化物薄膜的應用    1.5.1  ITO薄膜的主要應用    1.5.2  ZnO薄膜的主要應用    1.5.3  透明導電薄膜的其他應用  參考文獻第二章  透明導電氧化物薄膜的制備技術  2.1  概述  2.2  真空蒸發(fā)鍍膜    2.2.1  真空蒸發(fā)鍍膜原理    2.2.2  真空蒸發(fā)的方式和設備  2.3  濺射鍍膜    2.3.1  概述    2.3.2  濺射鍍膜原理    2.3.3  濺射鍍膜的特點    2.3.4  濺射鍍膜裝置    2.3.5  磁控濺射沉積ITO薄膜    2.3.6  ITO鍍膜生產(chǎn)實例    2.3.7  磁控濺射沉積ZnO薄膜  2.4  化學氣相沉積    2.4.1  化學氣相沉積的原理    2.4.2  化學氣相沉積的分類與特點    2.4.3  化學氣相沉積ITO薄膜工藝    2.4.4  化學氣相沉積的ZnO薄膜制備工藝  2.5  其他化學沉積方法    2.5.1  溶膠-凝膠法制備透明導電薄膜    2.5.2  噴涂熱分解法制備透明導電薄膜  2.6  透明導電薄膜制備技術的比較    2.6.1  不同技術沉積的ITO薄膜的性能比較    2.6.2  不同技術沉積的ZnO薄膜的性能比較    2.6.3  其他透明導電薄膜的制備技術  參考文獻第三章  薄膜的分析和性能檢測技術  3.1  概述  3.2  薄膜形貌分析    3.2.1  掃描電子顯微鏡    3.2.2  透射電子顯微鏡    3.2.3  掃描探針顯微鏡  3.3薄  膜相結(jié)構(gòu)分析    3.3.1  X射線衍射    3.3.2  電子衍射  3.4  薄膜成分分析    3.4.1  概述    3.4.2  電子探針X射線顯微分析    3.4.3  電子能譜分析    3.4.4  二次離子質(zhì)譜(SIMS)  3.5  表面電子態(tài)分析  3.6  表面原子態(tài)分析  3.7  薄膜厚度測量    3.7.1  薄膜厚度的概念    3.7.2  薄膜厚度的測量方法  3.8  薄膜電學性能測量    3.8.1  四點探針法    3.8.2  霍爾效應  3.9  薄膜光學性能測量    3.9.1  透射率和反射率測量    3.9.2  橢圓偏振測量技術  參考文獻第四章  透明導電薄膜的結(jié)構(gòu)特性  4.1  概述  4.2  ITO薄膜的結(jié)構(gòu)特性    4.2.1  ITO薄膜的相結(jié)構(gòu)    4.2.2  ITO薄膜的成分分布及化學態(tài)    4.2.3  ITO薄膜的組織形貌  4.3  ZnO：Al薄膜的結(jié)構(gòu)特性    4.3.1  ZnO薄膜的相結(jié)構(gòu)    4.3.2  ZnO薄膜的晶體生長模式    4.3.3  ZnO薄膜的成分分布及化學態(tài)    4.3.4  ZnO薄膜的能帶結(jié)構(gòu)及表面功函數(shù)  參考文獻第五章  透明導電薄膜的電學性能  5.1  概述  5.2  半導體薄膜中的電荷輸運現(xiàn)象    5.2.1  單晶半導體材料中的電傳導    5.2.2  多晶材料中的電傳導    5.2.3  非晶材料中的傳導機制  5.3  未摻雜透明導電薄膜的電學性能    5.3.1  沉積工藝參數(shù)的影響    5.3.2  薄膜厚度的影響    5.3.3  沉積后退火處理的影響  5.4  摻雜透明導電膜的電學性能    5.4.1  摻雜量的影響    5.4.2  沉積工藝參數(shù)的影響    5.4.3  沉積后退火處理的影響  5.5  透明導電薄膜導電機制的實驗研究  5.6  透明導電氧化物薄膜電學性能的幾個值得關注的問題  參考文獻第六章  透明導電薄膜的光學性能  6.1  概述  6.2  光學常數(shù)    6.2.1  折射系數(shù)和消光系數(shù)    6.2.2  禁帶寬度  6.3  光學和電學性質(zhì)的關聯(lián)性  6.4  半導體氧化物薄膜的光學性質(zhì)    6.4.1  禁帶寬度    6.4.2  折射系數(shù)和消光系數(shù)    6.4.3  透射、反射和吸收  6.5  提高透明導電氧化物薄膜光學性能值得關注的技術  參考文獻第七章  透明導電薄膜的應用研究  7.1  概述  7.2  透明導電薄膜的性能指數(shù)  7.3  波長(頻率)選擇特性應用    7.3.1  波長(頻率)選擇特性    7.3.2  摻雜對光學性能的影響  7.4  在薄膜太陽能電池上的應用    7.4.1  薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)    7.4.2  透明導電氧化物薄膜太陽能電池    7.4.3  透明導電薄膜用于太陽能電池的面電極  7.5  在顯示器件上的應用    7.5.1  透明導電薄膜在發(fā)光二極管上的應用    7.5.2  ITO透明導電薄膜在長壽命電致發(fā)光器件上的應用    7.5.3  SnO2、ITO透明薄膜電極在PbO光電導靶上的應用    7.5.4  SnO2、ITO透明導電薄膜電極在液晶顯示器上的應用  7.6  在氣敏元件上的應用    7.6.1  甲烷和丙烷氣敏元件    7.6.2  一氧化碳探測器    7.6.3  氫氣敏元件    7.6.4  乙醇探測器    7.6.5  氮氧化物氣敏元件    7.6.6  其他氣體的氣敏元件  7.7  ZnO薄膜在壓電器件中的應用    7.7.1  ZnO壓電薄膜的制備    7.7.2  壓電性能    7.7.3  壓電薄膜的應用  7.8  其他應用    7.8.1  In2O3、ITO透明導電薄膜在航空航天、汽車、高速列車上的應用    7.8.2  透明導電薄膜在電子器件上的應用    7.8.3  在防護涂層方面的應用  7.9  透明導電薄膜今后應著力研究解決的重要科學技術  參考文獻

章節(jié)摘錄

插圖：

圖書封面

圖書標簽Tags

無

評論、評分、閱讀與下載

---

    透明導電氧化物薄膜 PDF格式下載

---