集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程 第二版 上冊（普通高等教育十一五國家級規(guī)劃教材）

內(nèi)容概要

本書為普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材。在原面向2l世紀課程教材——《集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程》(鄭家龍，王小海，章安元主編)的基礎(chǔ)上，結(jié)合多年來對教材結(jié)構(gòu)、教學(xué)內(nèi)容、教學(xué)方法和教學(xué)手段改革的實踐經(jīng)驗，按照“教育部電子電氣基礎(chǔ)課程教學(xué)指導(dǎo)分委員會”制訂的教學(xué)基本要求修訂而成。修訂后的教材繼續(xù)保留原教材“模數(shù)”緊密結(jié)合的特點，結(jié)構(gòu)上分為4篇。上冊包含一、二兩篇。第一篇為電子器件基礎(chǔ)，內(nèi)容包括電子器件的特性與模型、半導(dǎo)體器件的工作機理等兩章。第二篇為模擬電子電路，共有8章，內(nèi)容包括：放大電路分析入門、放大電路動態(tài)分析、集成運算放大器、負反饋放大電路、放大電路的頻率響應(yīng)與穩(wěn)定性分析、正弦波發(fā)生電路、功率變換電路、模擬信號處理電路等。    本書可作為高等學(xué)校電氣信息類、機電類專業(yè)電子技術(shù)基礎(chǔ)課程教材，也可供遠程教育、成人和職業(yè)教育相關(guān)專業(yè)選用。

書籍目錄

第一篇 電子器件基礎(chǔ)  本篇導(dǎo)讀  第1章  電子器件的特性與模型    1.1.1  常用電路元件的伏安特性    1.1.2  半導(dǎo)體二極管的伏安特性及其模型    1.1.3  穩(wěn)壓二極管的伏安特性及其模型    1.1.4  雙極型三極管的伏安特性及其模型    1.1.5  場效應(yīng)管的伏安特性及其模型    習(xí)題  第2章  半導(dǎo)體器件的工作機理    1.2.1  半導(dǎo)體材料與PN結(jié)    1.2.2  半導(dǎo)體二極管    1.2.3  特種二極管    1.2.4  雙極型三極管    1.2.5  場效應(yīng)管    1.2.6  集成電路中的電子器件    1.2.7  半導(dǎo)體器件的制造工藝簡介    習(xí)題第二篇 模擬電子電路  本篇導(dǎo)讀  第1章  放大電路分析入門    2.1.1  怎樣分析交直流共存的放大電路    2.1.2  放大電路中等效輸入、輸出內(nèi)阻的計算    2.1.3  基本放大電路的組成及其靜態(tài)分析    習(xí)題  第2章  放大電路動態(tài)分析    2.2.1  放大電路的動態(tài)性能指標    2.2.2  三極管的低頻小信號模型    2.2.3  基本放大電路的動態(tài)分析    2.2.4  多級放大電路    習(xí)題  第3章  集成運算放大器    2.3.1  集成運算放大器概述    2.3.2  集成運放中的電流源偏置電路    2.3.3  差分放大電路    2.3.4  集成運放的中間級和輸出級    2.3.5  集成運放的主要性能指標    習(xí)題  第4章  負反饋放大電路    2.4.1  反饋的基本概念與分類    2.4.2  負反饋對放大電路性能的影響    2.4.3  集成運放構(gòu)成的負反饋電路    2.4.4  分立元件構(gòu)成的負反饋電路    習(xí)題  第5章  放大電路的頻率響應(yīng)與穩(wěn)定性分析    2.5.  1頻率響應(yīng)概述    2.5.2  三極管的高頻小信號模型    2.5.3  放大電路的分頻段分析法    2.5.4  多級放大電路和集成運放的頻率響應(yīng)    2.5.5  負反饋放大電路的穩(wěn)定性    習(xí)題  第6章  正弦波發(fā)生電路    2.6.1  產(chǎn)生正弦振蕩的條件    2.6.2  RC正弦波振蕩器    2.6.3  LC正弦波振蕩器    2.6.4  石英晶體振蕩器    習(xí)題  第7章  功率變換電路    2.7.1  功率放大電路的特點和基本類型    2.7.2  功率放大電路的分析計算    2.7.3  集成功率放大器    2.7.4  整流、濾波、穩(wěn)壓電路    2.7.5  線性集成穩(wěn)壓電源    習(xí)題  第8章  模擬信號處理電路    2.8.1  信號處理電路概述    2.8.2  儀用放大器    2.8.3  有源濾波器    2.8.4  模擬乘法器    2.8.5  在系統(tǒng)可編程模擬電路(ispPAc)    習(xí)題名詞術(shù)語漢英對照部分習(xí)題答案參考文獻

章節(jié)摘錄

　　硅制成單晶后，它的原子都按一定的規(guī)律整齊地排列著，原子之間靠得很近，價電子不僅受到自身原子核的吸引，而且還受到相鄰原子核的作用，使價電子為兩個相鄰原子所共有，形成了晶體中的共價鍵結(jié)構(gòu)，其示意圖如圖1.2.2所示。每個原子都有4個價電子，通過共價鍵結(jié)構(gòu)與相鄰4個原子結(jié)合在一起，形成排列整齊的晶體?！　≡跓崃W(xué)溫度零度和無外界能量激發(fā)的條件下，由于價電子被共價鍵束縛著，不存在自由運動的電子，所以半導(dǎo)體呈現(xiàn)絕緣體的特性。但在常溫下或受到光照時，某些共價鍵中的價電子從外界獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛而成為帶負電荷的自由電子。同時，在共價鍵中留下了空位，它因失去電子而帶正電荷（電量與電子電荷相等，但符號相反），常稱之為空穴。這種現(xiàn)象稱為本征激發(fā)（即熱激發(fā)），如圖1.2.2所示。自由電子和空穴總是成對地出現(xiàn)，常稱之為電子一空穴對?！　‘敼矁r鍵中出現(xiàn)了空穴后，鄰近共價鍵中的價電子就較易填補到這個空位上，而在該價電子的原來位置上出現(xiàn)了新的空穴，繼而其他價電子又可能來到這個新的空穴。這種過程的持續(xù)進行，就相當于一個空穴在晶體中移動，如圖1.2.3所示。原子本來是電中性的，自由電子攜帶負電荷離開后，空穴可看成是攜帶正電荷的載流子。因此，本征半導(dǎo)體中，有自由電子和空穴兩種載流子參加導(dǎo)電。但是，在本征激發(fā)的同時，半導(dǎo)體中還存在著自由電子受原子核吸引而重新回到共價鍵中的機會，從而使部分電子一空穴對消失，這種現(xiàn)象稱為復(fù)合。在一定溫度下，電子一空穴對的產(chǎn)生和復(fù)合是同時進行的，達到動態(tài)平衡時，電子一空穴對便維持一定的濃度值。如果用p；表示本征硅中的空穴濃度，n；表示自由電子的濃度，則它們的濃度可用下式表示。

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