電子線路基礎(chǔ)

前言

本書(shū)自1997年問(wèn)世以來(lái)，受到各兄弟院校師生和讀者的關(guān)注。為了適應(yīng)電子技術(shù)的飛速發(fā)展和培養(yǎng)高質(zhì)量人才的需要，我們?cè)诘谝话娴幕A(chǔ)上，總結(jié)多年的教學(xué)改革與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，對(duì)第一版進(jìn)行了全面的修訂。修訂時(shí)，注意保持多年來(lái)形成的比較成熟的集成化課程體系，體現(xiàn)本課程的基本要求，同時(shí)對(duì)電子線路的基本內(nèi)容作了進(jìn)一步的提煉，集中精力討論模擬集成電路中常用的基本電路、基本概念、基本原理和基本分析方法。適當(dāng)增加新器件、新技術(shù)的內(nèi)容，加強(qiáng)了MOS器件和MOS集成電路方面的介紹，盡量反映近年來(lái)模擬集成電路在理論和應(yīng)用等方面的新成果。力圖使新版教材具有系統(tǒng)性、先進(jìn)性和啟發(fā)性，有利于學(xué)生掌握基本理論、基本知識(shí)，培養(yǎng)分析問(wèn)題、解決問(wèn)題的能力和創(chuàng)新精神，為以后從事電子技術(shù)方面的工作打下良好的基礎(chǔ)。與第一版相比，新版主要作了如下修訂：1.半導(dǎo)體器件部分分為第1、2兩章。適當(dāng)?shù)鼐?jiǎn)器件物理基礎(chǔ)的內(nèi)容，進(jìn)一步突出器件的模型、電流方程和外部特性曲線，增加了器件應(yīng)用原理的討論，以期對(duì)常用器件的應(yīng)用得到初步的認(rèn)識(shí)。2.考慮到分析放大電路頻率響應(yīng)特性時(shí)要引入較多的新概念和新方法，是教學(xué)中的一個(gè)難點(diǎn)，為了分散學(xué)習(xí)難點(diǎn)，打好電路基礎(chǔ)，新版將雙極型放大電路頻率響應(yīng)的內(nèi)容單獨(dú)列為一節(jié)，且放在第3章較后的位置（第8節(jié)）進(jìn)行討論。3.近些年來(lái)，MOS集成電路的性能取得了重大突破，在當(dāng)代大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中已占據(jù)了主導(dǎo)地位。為了適應(yīng)這種發(fā)展趨勢(shì)，同時(shí)考慮國(guó)內(nèi)的實(shí)際情況，新版適當(dāng)加強(qiáng)了對(duì)MOS器件和MOS集成電路內(nèi)容的介紹，包括MOS管的特征頻率、MOS集成單元電路的高頻響應(yīng)特性、折疊式共源極一共柵極放大電路及折疊式CMOS運(yùn)放等。4.現(xiàn)代電子系統(tǒng)對(duì)集成運(yùn)放的精度、速度和頻帶的要求越來(lái)越高，因此，新版在第6、7章中加強(qiáng)了對(duì)超高速、超寬頻帶、超高精度集成運(yùn)放的介紹，并討論了提高集成運(yùn)放工作速度、頻帶與精度的基本方法，介紹折疊式結(jié)構(gòu)、用電流模電路設(shè)計(jì)電壓集成運(yùn)放等內(nèi)容。

內(nèi)容概要

　　根據(jù)近年來(lái)電子技術(shù)的新發(fā)展和教學(xué)改革與實(shí)踐，本書(shū)對(duì)第一版進(jìn)行了全面的修訂。修訂時(shí)，注意保持多年來(lái)形成的比較成熟的課程體系，精練了基礎(chǔ)內(nèi)容，加強(qiáng)了MOS器件和MOS集成電路方面的介紹，適當(dāng)擴(kuò)寬了知識(shí)面，盡量反映近年來(lái)模擬集成電路在理論和應(yīng)用等方面的新成果，力圖為正確使用和設(shè)計(jì)模擬集成電路芯片打好基礎(chǔ)。書(shū)中改編與新增了較多的例題與習(xí)題，并注意與教學(xué)內(nèi)容匹配，新增了習(xí)題參考答案，以便于教學(xué)。    全書(shū)的主要內(nèi)容包括：半導(dǎo)體二極管與雙極型晶體管，場(chǎng)效應(yīng)晶體管，雙極型模擬集成電路的基本單元電路，MOS模擬集成電路的基本單元電路，反饋放大電路，集成運(yùn)算放大器及其基本應(yīng)用電路，電流模電路基礎(chǔ)，脈沖波形的產(chǎn)生與處理電路以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器和數(shù)模轉(zhuǎn)換器等。    本書(shū)可作為高等學(xué)校電子信息、通信類(lèi)及其它相近專(zhuān)業(yè)本科生的教材，也可供從事電子技術(shù)工作的工程技術(shù)人員參考。

書(shū)籍目錄

第1章　半導(dǎo)體二極管與雙極型晶體管  1.1　半導(dǎo)體中的載流子及其運(yùn)動(dòng)    1.1.1　本征半導(dǎo)體    1.1.2　雜質(zhì)半導(dǎo)體    1.1.3　半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動(dòng)  1.2　PN結(jié)    1.2.1　動(dòng)態(tài)平衡情況下的PN結(jié)    1.2.2  PN結(jié)的伏安特性    1.2.3  PN結(jié)的溫度特性    1.2.4  PN結(jié)的反向擊穿特性    1.2.5  PN結(jié)的電容效應(yīng)  1.3　半導(dǎo)體二極管    1.3.1　二極管的結(jié)構(gòu)    1.3.2　二極管的伏安特性    1.3.3　二極管的主要參數(shù)    1.3.4　二極管的等效電阻    1.3.5　二極管的模型    1.3.6　二極管電路的分析方法    1.3.7　二極管應(yīng)用電路舉例  1.4　雙極型晶體管    1.4.1　晶體管的結(jié)構(gòu)    1.4.2　放大狀態(tài)下晶體管的工作原理    1.4.3　晶體管的Ebers-Moll模型    1.4.4　晶體管的特性曲線    1.4.5　溫度對(duì)晶體管特性的影響    1.4.6　晶體管的主要參數(shù)　  1.4.7　晶體管的應(yīng)用原理  1.5　模擬集成電路中的元件    1.5.1　集成NPN型晶體管　  1.5.2　集成PNP型晶體管    1.5.3　集成電路中的二極管    1.5.4　集成電路中的電阻和電容  1.5.5　集成電路中元器件的特點(diǎn)　習(xí)題第2章　場(chǎng)效應(yīng)晶體管　2.1　MOS場(chǎng)效應(yīng)管    2.1.1  N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管    2.1.2  N溝道耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管    2.1.3  P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管    2.1.4  MOS場(chǎng)效應(yīng)管的模型　2.2　結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管　  2.2.1　結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)　  2.2.2  N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理　  2.2.3  N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線與電流方程　  2.2.4　結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的模型　2.3　場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)　2.4　場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用原理　  2.4.1　場(chǎng)效應(yīng)管放大電路　  2.4.2　場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)電路　  2.4.3　場(chǎng)效應(yīng)管電流源　習(xí)題第3章  雙極型模擬集成電路的基本單元電路  3.1　基本共發(fā)射極放大電路的組成及工作原理    3.1.1　基本共發(fā)射極放大電路的組成    3.1.2　基本共發(fā)射極放大電路的工作原理　3.2　放大電路的主要性能指標(biāo)    3.2.1　輸入阻抗和輸出阻抗    3.2.2　增益    3.2.3　頻率響應(yīng)    3.2.4　非線性失真    3.2.5　最大輸出幅度    3.2.6　最大輸出功率與效率　3.3　放大電路的分析方法    3.3.1　圖解法　  3.3.2　等效電路法  3.4　共集電極放大電路與共基極放大電路    3.4.1　共集電極放大電路    3.4.2　共基極放大電路　……第4章　MOS模擬集成電路的基本單元電路第5章　反饋放大電路第6章　集成運(yùn)算放大器及其基本應(yīng)用電路　第7章　電流模電路基礎(chǔ)第8章　脈沖波形的產(chǎn)生與處理電路第9章　模數(shù)轉(zhuǎn)換器與數(shù)模轉(zhuǎn)換器部分習(xí)題參考答案參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

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