電子技術(shù)

前言

　　本書是普通高等教育“十五”國家級規(guī)劃教材，它是根據(jù)2002年11月在大連召開的“高職高專電類教材研討會(huì)”精神，遵照教育部制定的“高職高專教育模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課程教學(xué)基本要求”和“高職高專教育數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)課程教學(xué)基本要求”，并在第一版基礎(chǔ)上，經(jīng)多方征求意見后修訂的。考慮到高等職業(yè)教育的培養(yǎng)目標(biāo)是技術(shù)應(yīng)用專門人才，在重新編寫中更注重應(yīng)用能力和基本技能的培養(yǎng)，注重職業(yè)素質(zhì)和創(chuàng)新能力的培養(yǎng)，更適應(yīng)新的高等職業(yè)教育發(fā)展的需要。本書具有以下特點(diǎn)：　　1.在重點(diǎn)保證基礎(chǔ)理論、基本知識夠用的前提下，注重實(shí)踐和應(yīng)用，并突出了基本技能的培養(yǎng)。書中引進(jìn)很多應(yīng)用實(shí)例，每章均有實(shí)驗(yàn)與技能操作訓(xùn)練，第15章為課程設(shè)計(jì)和制作?！　?.努力反映現(xiàn)代電子技術(shù)的新技術(shù)、新成果。教材中增加了電力電子技術(shù)和可編程器件的內(nèi)容，同時(shí)適當(dāng)加重了集成器件的內(nèi)容，使教材盡可能跟上電子技術(shù)領(lǐng)域的新發(fā)展?！　?.突出高等職業(yè)教育的角色，注重職業(yè)素質(zhì)和創(chuàng)新精神的培養(yǎng)，把職業(yè)崗位所必需的知識、技能編入教材，便于激發(fā)學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣，使讀者倍感親切，有利于教與學(xué)?！　?.每章后配有練習(xí)題和自我檢測題，幫助讀者復(fù)習(xí)所學(xué)內(nèi)容，了解自己對本章掌握的情況。　　本書是以電類各專業(yè)的需要為基礎(chǔ)編寫的，內(nèi)容較全，能為教師和學(xué)生提供較大的信息量。教師在實(shí)際教學(xué)中可結(jié)合具體情況選擇取舍?！　”窘滩挠商旖蚵殬I(yè)大學(xué)、沈陽工程學(xué)院和天津渤海職業(yè)技術(shù)學(xué)院教師共同編寫，其中付植桐編寫第l、2、5、6章，羅月紅編寫第3、4、7章，韓睿群編寫第8、9、10、14章，尹常永編寫第11、12、13、15章。全書由付植桐統(tǒng)稿，由沈陽工程學(xué)院郝波副教授主審，他對初稿提出了很多寶貴的意見和建議，高等教育出版社的同志給予了大力支持，在此一并表示衷心的感謝?！　∮捎诰幷咚剿蓿瑫须y免存在一些問題，希望讀者批評指正。

內(nèi)容概要

本書是普通高等教育“十五”國家級規(guī)劃教材，是在第一版基礎(chǔ)上，根據(jù)2002年11月在大連召開的“高職高專教材研討會(huì)”精神，多方征求意見后修訂的。    本書在編寫中注重應(yīng)用能力和基本技能的培養(yǎng)，注重職業(yè)素質(zhì)和創(chuàng)新能力的培養(yǎng)，更適應(yīng)高等職業(yè)教育發(fā)展的需要。    全書共15章，分“模擬電子技術(shù)”和“數(shù)字電子技術(shù)”兩大部分。模擬電子技術(shù)部分包括半導(dǎo)體元件及其特性、基本放大電路、負(fù)反饋放大器與集成運(yùn)算放大器、功率放大器及其應(yīng)用、振蕩器、直流穩(wěn)壓電源、電力電子技術(shù)；數(shù)字電子技術(shù)部分包括邏輯代數(shù)基礎(chǔ)、基本門電路、組合邏輯電路、時(shí)序邏輯電路、脈沖波形的產(chǎn)生和整形、存儲器與可編程器件、數(shù)模轉(zhuǎn)換與模數(shù)轉(zhuǎn)換、課程設(shè)計(jì)與制作。本書還配有習(xí)題、自我檢測和實(shí)驗(yàn)與技能操作訓(xùn)練。

書籍目錄

上篇  模擬電子技術(shù)  第l章  半導(dǎo)體元件及其特性    1.1  半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識與PN結(jié)      1.1.1  半導(dǎo)體的特點(diǎn)      1.1.2  PN結(jié)的形成與特性    1.2  二極管      1.2.1  二極管的結(jié)構(gòu)和類型      1.2.2  二極管的特性及參數(shù)      1.2.3  二極管的應(yīng)用電路舉例      1.2.4  發(fā)光二極管及其應(yīng)用    1.3  晶體管      1.3.1  晶體管的結(jié)構(gòu)和類型      1.3.2  晶體管電流分配和放大作用      1.3.3  晶體管的特性曲線      1.3.4  晶體管的主要參數(shù)      1.3.5  復(fù)合晶體管    1.4  場效應(yīng)晶體管      1.4.1  絕緣柵型場效應(yīng)晶體管的原理和特性      1.4.2  場效應(yīng)晶體管主要參數(shù)      1.4.3  場效應(yīng)晶體管與雙極型晶體管比較    習(xí)題    自我測試    實(shí)驗(yàn)與技能操作訓(xùn)練  第2章  基本放大電路    2.1  基本放大電路的組成及工作原理      2.1.1  放大器的電路組成      2.1.2  放大器的工作原理工作點(diǎn)      2.1.4  放大器的主要性能指標(biāo)    2.2  放大器的分析方法      2.2.1  圖解法      2.2.2  放大器的偏置電路      2.2.3  微變等效電路分析法    2.3  常見的放大電路      2.3.1  共集電極放大電路      2.3.2  共基極放大電路      2.3.3  場效應(yīng)晶體管放大電路    2.4  放大器的頻率特性      2.4.1  頻率特性的基本概念      2.4.2  放大器的低頻特性      2.4.3  放大器的高頻特性    2.5  多級放大器      2.5.1  多級放大器的耦合方式      2.5.2  多級放大器的增益    習(xí)題    自我測試    實(shí)驗(yàn)與技能操作訓(xùn)練  第3章  負(fù)反饋放大器與集成運(yùn)算放大器    3.1  反饋的基本原理      3.1.1  反饋的基本概念      3.1.2  反饋的分類及判別      3.1.3  四類基本反饋組態(tài)的識別與分析      3.1.4  負(fù)反饋對放大器性能的影響    3.2  差分放大器      3.2.1  直接耦合放大器中的特殊問題      3.2.2  基本差分放大器      3.2.3  差分放大器的幾種接法    3.3  集成運(yùn)算放大器      3.3.1  運(yùn)算放大器概述      3.3.2  集成運(yùn)放的內(nèi)部電路組成      3.3.3  集成運(yùn)放的主要技術(shù)指標(biāo)    3.4  集成運(yùn)算放大器的應(yīng)用      3.4.1  理想集成運(yùn)放及其分析方法      3.4.2  基本運(yùn)算電路      3.4.3  信號處理電路      3.4.4  波形發(fā)生器      ……  第4章  功率放大器及其應(yīng)用  第5章  振蕩器  第6章  直流穩(wěn)壓電源  第7章  電力電子技術(shù)下篇  數(shù)字電子技術(shù)  第8章  邏輯代數(shù)基礎(chǔ)  第9章  基本門電路  第10章  組合邏輯電路  第11章  時(shí)序邏輯電路  第12章  脈沖波形的產(chǎn)生和整形  第13章  存儲器與可編程器件  第14章  數(shù)/模轉(zhuǎn)換與模/數(shù)轉(zhuǎn)換  第15章  課程設(shè)計(jì)與制作

章節(jié)摘錄

　　自然界的物質(zhì)就其導(dǎo)電性能可分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，其電阻率約為導(dǎo)體的1000億倍?！　“雽?dǎo)體是制造晶體管的原料，之所以能得到廣泛應(yīng)用，主要原因并不在于它的電阻率大小，而在于其電阻率隨溫度、光照以及所含雜質(zhì)的種類、濃度等條件的不同而出現(xiàn)顯著的差別。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能有如下一些顯著特點(diǎn)：　?。?）半導(dǎo)體的電阻率隨溫度上升而明顯下降，呈負(fù)溫度系數(shù)的特性。半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度上升而顯著增加。利用半導(dǎo)體的溫度特性，可以把它作為熱敏材料制成熱敏元件。　?。?）半導(dǎo)體的電阻率隨光照的不同而改變。利用半導(dǎo)體的這一特性，可以用它作為光敏材料制成光敏元件?！　。?）半導(dǎo)體的電阻率與所含微量雜質(zhì)的濃度有很大關(guān)系。利用半導(dǎo)體的這一特性，通過工藝手段，可以生產(chǎn)各種性能和用途的半導(dǎo)體器件?！　“雽?dǎo)體一般分為本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體兩種類型?！　?.本征半導(dǎo)體　　常用的半導(dǎo)體材料有硅（Si）和鍺（Ge），高純度的硅和鍺都是單晶結(jié)構(gòu)，它們的原子整齊地按一定的規(guī)律排列著，原子之間的距離不僅很小，而且是相等的。這種非常純凈的且原子排列整齊的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體，圖1.1.1（a）和（b）所示分別為鍺和硅的原子結(jié)構(gòu)示意圖。從圖中看出，它們最外層電子數(shù)都是4，故稱為4價(jià)元素。正常情況下，它們的原子都呈中性。

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