電子技術(shù)基礎(chǔ)

內(nèi)容概要

這本由唐程山主編的《電子技術(shù)基礎(chǔ)》是新世紀(jì)高職高專教改項(xiàng)目成果教材，是在多年教學(xué)改革與實(shí)踐的基礎(chǔ)上，依據(jù)教育部最新制定的“高職高專電子技術(shù)基礎(chǔ)課程教學(xué)基本要求”編寫而成。
《電子技術(shù)基礎(chǔ)》內(nèi)容分模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)兩大部分。模擬部分包括：半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用、半導(dǎo)體三極管及其放大電路、場效應(yīng)管及其放大電路、負(fù)反饋放大電路：集成運(yùn)算放l大器及其應(yīng)_用、功率放大電路、正弦波振蕩電路、直流穩(wěn)壓電源、光電子器件及其應(yīng)用等。數(shù)字部分包括：數(shù)字電路基礎(chǔ)知識、邏輯門電路、組合邏輯電路、觸發(fā)器、時(shí)序邏輯電路、脈沖波形的產(chǎn)生與變換、數(shù)/模和模/數(shù)轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)器和可編程邏輯器件簡介等。本書內(nèi)容以集成電路為主，內(nèi)容新、覆蓋面寬，淡化理論、注重應(yīng)用，深入淺出、通俗易懂，各章均有思考題和習(xí)題，并有實(shí)驗(yàn)和技能訓(xùn)練內(nèi)容。
本書可作為高等職業(yè)學(xué)校、高等?？茖W(xué)校、成人高校、民辦高校的電氣、電子信息、自動(dòng)化、機(jī)電一體化、汁算機(jī)等專業(yè)的“模擬電子技術(shù)”、“
數(shù)字電子技術(shù)”、“電子技術(shù)”、“電子技術(shù)基礎(chǔ)”等課程的教材，也可供從事電子技術(shù)工作的工程技術(shù)人員參考。

書籍目錄

緒論
第1章  半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用
  1.1 半導(dǎo)體二極管
  1.2 特殊二極管
  1.3 整流與濾波電路
  本章小結(jié)
  實(shí)驗(yàn)  半導(dǎo)體二極管的簡單測試
  思考題與習(xí)題
第2章  半導(dǎo)體三極管及其放大電路
  2.1 三極管基本知識
  2.2 共發(fā)射極放大電路
  2.3 共集電極、共基極放大電路
  2.4 多級放大電路
  2.5 放大電路的頻率響應(yīng)
  本章小結(jié)
  實(shí)驗(yàn)  半導(dǎo)體三極管的簡單測試和放大電路的測試與調(diào)整
  思考題與習(xí)題
第3章  場效應(yīng)管及其放大電路
  3.1 結(jié)型場效應(yīng)管
  3.2 絕緣柵場效應(yīng)管
  3.3 場效應(yīng)管放大電路
  本章小結(jié)
  思考題與習(xí)題
第4章  負(fù)反饋放大電路
  4.1 反饋的基本概念與分類
  4.2 負(fù)反饋放大電路的組態(tài)和方框圖表示法
  4.3 負(fù)反饋對放大電路性能的影響
  4.4 深度負(fù)反饋放大電路
  4.5 負(fù)反饋放大電路的穩(wěn)定性
  本章小結(jié)
  思考題與習(xí)題
第5章  集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用
  5.1 集成運(yùn)放的特點(diǎn)及組成原理
  5.2 集成運(yùn)放的基本單元電路
  5.3 集成運(yùn)放簡介
  5.4 集成運(yùn)放的應(yīng)用電路
  5.5 集成運(yùn)放的使用知識
  本章小結(jié)
  實(shí)驗(yàn)  集成運(yùn)放及其應(yīng)用
  思考題與習(xí)題
第6章  功率放大電路
  6.1 功率放大電路的一般問題
  6.2 低頻功率放大電路
  6.3 集成功率放大器及其應(yīng)用
  本章小結(jié)
  實(shí)驗(yàn)  OTL電路參數(shù)測試和集成功放的應(yīng)用
  思考題與習(xí)題
第7章  正弦波振蕩電路
  7.1 正弦波振蕩電路的基本原理
  7.2 RC正弦波振蕩電路
  7.3 LC正弦波振蕩電路
  7.4 石英晶體振蕩器
  本章小結(jié)
  實(shí)驗(yàn)  正弦波振蕩電路測試
  思考題和習(xí)題
第8章  直流穩(wěn)壓電源
  8.1 概述
  8.2 直流穩(wěn)壓電路
  8.3 三端集成穩(wěn)壓器
  8.4 開關(guān)穩(wěn)壓電源
  本章小結(jié)
  實(shí)驗(yàn)  集成直流穩(wěn)壓電源的測試
  思考題與習(xí)題
第9章  光電子器件及其應(yīng)用
  9.1 發(fā)光二極管
  9.2 光電器件及其應(yīng)用
  9.3 光電耦合器及其應(yīng)用
  本章小結(jié)
  思考題與習(xí)題
第10章  數(shù)字電路基礎(chǔ)知識
  10.1 數(shù)字電路概述
  10.2 數(shù)制及編碼
  10.3 邏輯函數(shù)及其化衙
  本章小結(jié)
  思考題與習(xí)題
第11章  邏輯門電路
  11.1 二極管及三極管的開關(guān)特性
  11.2 基本邏輯門電路
  11.3 TTL反相器
  11.4 其他類型TTL門電路
  11.5 CMOS門電路
  11.6 CMOS門電路和TTL門電路的使用知識及相互連接
  本章小結(jié)
  實(shí)驗(yàn)  測試集成門電路的邏輯功能和主要參數(shù)
  思考題與習(xí)題
第12章  組合邏輯電路
  12.1 組合邏輯電路的分析和設(shè)計(jì)
  12.2 編碼器
  12.3 譯碼器
  12.4 數(shù)據(jù)選擇器
  12.5 加法器
  12.6 數(shù)值比較器
  本章小結(jié)
  實(shí)驗(yàn)  組合邏輯電路
  思考題與習(xí)題
第13章  觸發(fā)器
  13.1 基本RS觸發(fā)器
  13.2 同步觸發(fā)器
  13.3 觸發(fā)器的邏輯功能
  13.4 集成觸發(fā)器及其應(yīng)用
  本章小結(jié)
  實(shí)驗(yàn)  集成觸發(fā)器邏輯功能測試
  思考題與習(xí)題
第14章  時(shí)序邏輯電路
  14.1 寄存器
  14.2 二進(jìn)制計(jì)數(shù)器
  14.3 任意進(jìn)制計(jì)數(shù)器
  14.4 中規(guī)模集成計(jì)數(shù)器及其應(yīng)用
  本章小結(jié)
  實(shí)驗(yàn)  中規(guī)模集成計(jì)數(shù)器及其應(yīng)用
  思考題與習(xí)題
第15章  脈沖波形的產(chǎn)生與變換
  15.1 RC電路
  15.2 施密特觸
  15.3 單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
  15.4 多諧振蕩器
  15.5 555定時(shí)器及其應(yīng)用
  本章小結(jié)
  實(shí)驗(yàn)  555定時(shí)器的應(yīng)用
  思考題與習(xí)題
第16章  數(shù)/模和模/數(shù)轉(zhuǎn)換
  16.1 D/A轉(zhuǎn)換
  16.2 A/D轉(zhuǎn)換
  本章小結(jié)
  思考題與習(xí)題
第17章  存儲(chǔ)器和可編程邏輯器件簡介
  17.1 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
  17.2 可編程邏輯器件簡介
  本章小結(jié)
  思考題與習(xí)題
參考文獻(xiàn)
附錄
  附錄A  半導(dǎo)體器件型號及參數(shù)
  附錄B  半導(dǎo)體集成電路型號及參數(shù)
  附錄C  常用邏輯符號對照表

章節(jié)摘錄

　　1.物質(zhì)的導(dǎo)電性　　自然界的物體按其導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體三大類?！　?dǎo)體如銅、鋁、銀等，其內(nèi)部存在大量的擺脫了原子核束縛的自由電子，在外電場作用下，這些自由電子將逆著電場方向定向運(yùn)動(dòng)而形成較大的電流，因此導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很強(qiáng)。人們把在電場作用下，能運(yùn)載電荷形成電流的帶電粒子稱為載流子。顯然，自由電子是一種載流子?！　〗^緣體如云母、塑料、橡皮等，其原子核對最外層電子的束縛力很大，常溫下自由電子很少，因此導(dǎo)電能力很差?！　?dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。常用的半導(dǎo)體材料有硅（si）、鍺（Ge）、硒（Se）和砷化鎵（GaAs）及其他金屬氧化物和硫化物等，半導(dǎo)體一般呈晶體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體之所以引起人們的注意并得到了廣泛的應(yīng)用，主要原因是它的導(dǎo)電能力在不同條件下（如摻雜、光照、受熱等）有很大差別，據(jù)此，可以制成各種半導(dǎo)體器件?！　?.本征半導(dǎo)體　　純凈的不含任何雜質(zhì)、晶體結(jié)構(gòu)排列整齊的半導(dǎo)體叫做本征半導(dǎo)體。常用的半導(dǎo)體材料有硅和鍺，它們都是四價(jià)元素，其最外層有四個(gè)價(jià)電子。硅或鍺簡化的原子結(jié)構(gòu)模型如圖1-1所示。以硅為例，在純凈的硅晶體中，由于原子之間的距離很近，原子的價(jià)電子不僅受到本原子的原子核作用，而且還受到相鄰原子核的吸引，即一個(gè)價(jià)電子為相鄰的兩個(gè)原子核所共有。這樣相鄰原子之間通過共有價(jià)電子的形成而結(jié)合起來，即形成“共價(jià)鍵”結(jié)構(gòu)。共價(jià)鍵是指兩個(gè)相鄰原子各拿出一個(gè)價(jià)電子作為共有價(jià)電子所形成的束縛作用。因此，每個(gè)硅原子都以對稱的形式和其相鄰的四個(gè)原子通過共價(jià)鍵緊密地聯(lián)系起來，圖1-2所示為硅原子間的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。這樣，每個(gè)原子的每一個(gè)價(jià)電子除了受自身原子核的束縛外，還受到共價(jià)鍵的束縛，因此，每個(gè)價(jià)電子都處于較為穩(wěn)定的狀態(tài)?！　?hellip;…

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