微電子概論

前言

　　微電子（Microelectronics）技術和集成電路（Integrated Circuit，IC）是20世紀的產(chǎn)物，是人類智慧的結晶和文明進步的體現(xiàn)。信息社會的發(fā)展，使得作為信息社會食糧的集成電路得到迅速發(fā)展。國民經(jīng)濟信息化、傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造、國家信息安全、民用電子和軍用電子等領域的強烈需求，使微電子技術繼續(xù)呈現(xiàn)高的增長勢頭。未來若干年，微電子技術仍然是發(fā)展最活躍和技術增長最快的高新科技領域之一。在這種情況下，越來越多的線路和系統(tǒng)設計人員參與到微電子系統(tǒng)的研制中，或者需要將其已開發(fā)的線路和系統(tǒng)實現(xiàn)集成化。微電子技術已成為非微電子專業(yè)的電子信息科學類和電氣信息類的本科生和研究生應該掌握的專業(yè)基礎知識，越來越多的大學為非微電子專業(yè)的同學開設了關于微電子基礎教育的課程，需要有相關的合適教材。本書編者于1995年出版了“八五”統(tǒng)編教材《微電子技術概論》，多次加印，使用至今。為了適應微電子技術的發(fā)展，現(xiàn)對該教材進行全面的補充、修訂，列入普通高等教育“十五”國家級規(guī)劃教材，由高等教育出版社正式出版?！　】紤]到未來20～30年內硅微電子技術仍然是微電子技術的主體，本教材以硅集成電路為中心，分7章，重點介紹集成器件物理基礎、集成電路制造工藝、集成電路設計和微電子系統(tǒng)設計、集成電路計算機輔助設計（CAD）。本教材的參考學時為46學時?！　”窘滩脑诰帉懼凶⒁怏w現(xiàn)下述特點：　　（1）從物理概念入手，結合工程實例，介紹集成器件物理基礎、集成工藝原理、集成電路和系統(tǒng)的設計特點和方法，對學生進行微電子基礎知識的教育，為以后參與微電子系統(tǒng)研制工作奠定基礎?！　。?）以物理概念為重點，介紹集成器件物理原理，同時給出定量結論，使同學們在理解器件原理時不致感到太抽象?！　。?）介紹工藝原理時，同時介紹雙極和CMOS工藝過程，以CMOS為主。在介紹工藝基本原理基礎上同時介紹微電子工藝技術的最新發(fā)展情況?！　。?）介紹集成電路設計時，一方面介紹底層設計中各種元器件圖形結構設計，使同學們能“看懂”基本的集成電路版圖；同時介紹專用集成電路（ASIC）基本設計方法，為從事集成化工作打下基礎。

內容概要

　　本書是普通高等教育“十五”國家級規(guī)劃教材。全書共7章，以硅集成電路為中心，重點介紹集成器件物理基礎、集成電路制作工藝、集成電路設計和微電子系統(tǒng)設計、集成電路計算機輔助設計（CAD）。
　　本書適用于非微電子專業(yè)的電子信息科學類和電氣信息類的本科生和研究生，也可供從事線路和系統(tǒng)集成化工作的技術人員參考。

書籍目錄

第1章 概論
　1.1 微電子技術和集成電路的發(fā)展歷程
　　1.1.1 電子技術與半導體集成電路
　　1.1.2 發(fā)展歷程
　　1.1.3 發(fā)展特點和技術經(jīng)濟規(guī)律
　1.2 集成電路的分類
　　1.2.1 按電路功能分類
　　1.2.2 按電路結構分類
　　1.2.3 按有源器件結構和工藝分類
　　1.2.4 按電路的規(guī)模分類
　1.3 集成電路制造特點和本書學習要點
　　1.3.1 電路系統(tǒng)設計
　　1.3.2 版圖設計和優(yōu)化
　　1.3.3 集成電路的加工制造
　　1.3.4 集成電路的封裝
　　1.3.5 集成電路的測試和分析
第2章 集成器件物理基礎
　2.1 半導體及其能帶模型
　　2.1.1 半導體及其共價鍵結構
　　2.1.2 半導體的能帶模型
　　2.1.3 費米分布函數(shù)
　2.2 半導體的導電性
　　2.2.1 本征半導體
　　2.2.2 非本征載流子
　　2.2.3 半導體中的漂移電流
　　2.2.4 半導體中的擴散電流
　　2.2.5 半導體中的電流
　　2.2.6 半導體基本方程
　2.3 PN結和晶體二極管
　　2.3.1 平衡狀態(tài)下的PN結
　　2.3.2 PN結的單向導電性
　　2.3.3 理想PN結模型及其伏－安特性
　　2.3.4 PN結電容
　　2.3.5 PN結擊穿
　　2.3.6 二極管等效電路模型和二極管應用
　　2.3.7 PN結應用
　　2.3.8 其他半導體二極管
　2.4 雙極型晶體管
　　2.4.1 雙極晶體管的直流放大原理
　　2.4.2 影響晶體管直流特性的其他因素
　　2.4.3 晶體管的擊穿電壓
　　2.4.4 晶體管的頻率特性
　　2.4.5 晶體管模型和模型參數(shù)
　　2.4.6 異質結雙極晶體管（HBT）
　2.5 JFIZT與MESFET器件基礎
　　2.5.1 器件結構與電流控制原理
　　2.5.2 JFET直流輪出特性的定性分析
　　2.5.3 JFET的直流轉移特性
　　2.5.4 JFET的器件類型和電路符號
　　2.5.5 JFET直流特性定量表達式
　　2.5.6 JFET等效電路和模型參數(shù)
　2.6 MOS場效應晶體管
　　2.6.1 MOS晶體管結構
　　2.6.2 MOS晶體管工作原理
　　2.6.3 MOS晶體管直流伏安特性定量結果
　　2.6.4 MOS晶體管的閾值電壓
　　2.6.5 MOS晶體管特點
　　2.6.6 MOS晶體管模型和模型參數(shù)
　　2.6.7 硅柵MOS結構和自對準技術
　　2.6.8 高電子遷移率晶體管（HEMT）
　習題
第3章 集成電路制造工藝
　3.1 硅平面工藝基本流程　
　……
第4章 集成電路設計
第5章 微電子系統(tǒng)設計
第6章 集成電路計算機輔助設計
第7章 IC設計舉例與設計實踐
參考文獻

圖書封面

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