模擬集成電路的分析與設(shè)計(jì)

內(nèi)容概要

本書(shū)的主要內(nèi)容包括：集成電路有源器件模型，雙極型、MOS、BiCMOS集成電路技術(shù)，單晶體管和多晶體管放大器，電流鏡、有源負(fù)載及其電壓和電流參考值，輸出級(jí)，單端輸出的運(yùn)算放大器，集成電路的頻率響應(yīng)，反饋，反饋放大器的頻率響應(yīng)與穩(wěn)定性，非線性模擬電路，集成電路中的噪聲，全差分運(yùn)算放大器。本書(shū)可用作高等學(xué)校電子信息類本科生的教材或參考書(shū)。

書(shū)籍目錄

CHAPTER 1Models for Integrated-Circuit ActiveDevices 11.1Introduction 11.2Depletion Region of a pn Junction 11.2.1 Depletion-RegionCapacitance 51.2.2 Junction Breakdown 61.3Large-Signal Behavior of Bipolar Transistors 81.3.1 Large-Signal Models in the Forward-Active Region 91.3.2 Effects of Collector Voltage on Large-Signal Characteristics in the Forward-Active Region 141.3.3 Saturation and Inverse Active Regions 161.3.4 Transistor Breakdown Voltages 201.3.5 Dependence of Transistor Current Gain/3r on Operating Conditions 231.4Small-Signal Models of Bipolar Transistors 261.4.1 Transconductance 271.4.2 Base-ChargingCapacitance 281.4.3 Input Resistance……

圖書(shū)封面

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