電子線路

出版時(shí)間:2001-6  出版社:北京藍(lán)色暢想圖書發(fā)行有限公司(原高等教育出版社)  作者:梁明理等  頁數(shù):609  
Tag標(biāo)簽:無  

前言

  在本書與讀者見面的時(shí)候,迎來了百年一遇的2l世紀(jì)。新的歷史紀(jì)元,是一個(gè)信息與網(wǎng)絡(luò)的時(shí)代,知識(shí)型經(jīng)濟(jì)是這時(shí)代的領(lǐng)頭羊。本書力爭能夠滿足和反映這一新時(shí)代的狀況和要求?! ⌒掳媸窃诘谌娴幕A(chǔ)上,通過教學(xué)實(shí)踐、總結(jié)提高和修改編成的。由于理科的電子線路課必須及時(shí)反映電子技術(shù)在各應(yīng)用領(lǐng)域的飛速發(fā)展,而該課的教學(xué)計(jì)劃僅有72~90學(xué)時(shí),這就要求本書必須是一本簡明教材,并且確保有較高的教學(xué)效率。為了適應(yīng)信息與網(wǎng)絡(luò)的時(shí)代要求和教學(xué)改革的需要,在修訂本版時(shí)著重考慮了下述幾點(diǎn):  1.具有以集成電路為主干的體系,保證教材內(nèi)容有適合國情的先進(jìn)性?! ?.為了保持本書具有完整的而又十分自然的體系,不再把線性電路簡介設(shè)立為一章,而把其中必須學(xué)習(xí)的內(nèi)容,作為附錄安排在有關(guān)章節(jié)之中。  3.為保持教材的簡明性,刪棄了上一版中闡述比較膚淺的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一章。這部分的知識(shí),學(xué)生在后續(xù)計(jì)算機(jī)課程中,將會(huì)更加全面和系統(tǒng)地學(xué)到?! ?.為便于教學(xué),本版仍設(shè)置有較多的例題和習(xí)題,章末編入小結(jié),書末給出習(xí)題解答。 . 本書第一、二、三、五章由董尚斌編寫,第七、九、十、十一章由蘇利編寫,第四、六、八章由鄧仁清編寫。梁明理為主編,負(fù)責(zé)全書體系的確定和編寫組織工作,鄧仁清為副主編,負(fù)責(zé)全稿的審讀和定稿工作。

內(nèi)容概要

  為適應(yīng)信息與網(wǎng)絡(luò)時(shí)代的新形勢和教愛改革的迫切需要,在第三版的基礎(chǔ)上,經(jīng)過教學(xué)改革與實(shí)踐,多方征求意見,總結(jié)提高和修改而成。力求做到體系完整、內(nèi)容先進(jìn)、敘述簡明,有較高的教學(xué)效率?!  镀胀ǜ叩冉逃熬盼濉眹医涛攸c(diǎn)教材:電子線路(第4版)》主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件的特性、放大器基礎(chǔ)、集成運(yùn)算放大器、反饋放大器、信號(hào)運(yùn)算電路、波形發(fā)生器、功率電路、數(shù)字電路基礎(chǔ)、組合邏輯電路、時(shí)序數(shù)字電路、脈沖電路及綜合電路系統(tǒng),等等?!  镀胀ǜ叩冉逃熬盼濉眹医涛攸c(diǎn)教材:電子線路(第4版)》由清華大學(xué)諸昌清教授主審?!  镀胀ǜ叩冉逃熬盼濉眹医涛攸c(diǎn)教材:電子線路(第4版)》可作為高等學(xué)校理科物理專業(yè)電子線路課程的教材,也可供從事電子線路工作的工程技術(shù)人員參考。

書籍目錄

第一章 半導(dǎo)體器件的特性1.1、半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性1.1.1、本征半導(dǎo)全的導(dǎo)電特征1.1.2、雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性1.2、PN結(jié)1.2.1、PN結(jié)的形成、1.2. 2、PN結(jié)的單向?qū)щ娚?.3、二極管1.3.1 、二極管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)1.3.2、二極管的伏安特性1.3.3、二極管的主要參數(shù)、1.3.4、穩(wěn)壓二極管1.3.5、二極管電路1.4、雙極型晶體管1.4.1、晶體管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)1.4.2、晶體管內(nèi)載流子的傳輸過程1.4.3、晶體管真流電流傳輸方程1.4.4、晶體管的共射組態(tài)特性曲線1.4.5、晶體管的主要參數(shù)1.5、場效應(yīng)管1.5.1、結(jié)型場效應(yīng)管1.5.2、絕緣柵場效應(yīng)管1.5.3、場效應(yīng)管的主要參數(shù)1.5.4、場效應(yīng)管使用注意思事項(xiàng)1.5.5、場效應(yīng)管與雙極型晶體管的比較附錄半導(dǎo)體器件的命名方法小節(jié)習(xí)題與思考題第二章 放大器基礎(chǔ)2.1、放大器的組成及工作原理2.1.1、放大器的功能及組成2.1.2、共發(fā)射極放大器2.1.3、放大器的性能指標(biāo)2.2、放大器的圖解分析法2.2.1、用圖解法確定靜態(tài)工作點(diǎn)2.2.2、用圖解法分析動(dòng)態(tài)工作情況2.2.3、用圖解法分析放大器的非線性失真附錄電壓源和電流源戴維寧定理和諾頓定理2.3、放大器工作點(diǎn)的穩(wěn)定2.3.1、溫度變化對工作點(diǎn)的影響2.3.2、分壓式偏置穩(wěn)定電路2.4、放大器的微變等效電路分析法2.4.1、晶體管的h參數(shù)及其等效電路2.4.2、用h參數(shù)等效電路分析基本放大器2.4.3、帶Re的共發(fā)射極放大器的分析2.5、共集電極放大器——射極輸出器2.6、共基極放大器2.7、場效應(yīng)管放大器2.7.1、場效應(yīng)管的低頻小信號(hào)交流等效電路2.7.2、等效電路法分析碭效應(yīng)管放大器2.8、單管放大器的頻率特征2.8.1 放大器頻率特性的概念2.8.2 晶體管的混合參數(shù)7c型等效電路2.8.3 單管放大器的頻率特性附錄2.8.1 疊加定理和密勒定理§2.9 多級放大器2.9.1 多級放大器的耦合方式2.9.2 多級放大器的電壓放大倍數(shù)2.9.3 多級放大器的頻率特性附錄2.9.1 信號(hào)的頻譜分析小結(jié)習(xí)題與思考題第三章 集成運(yùn)算放大器§3.1 差分放大器3.1.1 基本差分放大器3.1.2 帶恒流源的差分放大器§3.2 集成運(yùn)算放大器的基本單元電路3.2.1 差分輸人級3.2.2 中間級3.2.3 輸出級3.2.4 偏置電路§3.3 集成運(yùn)放的典型電路和參數(shù)3.3.1 集成運(yùn)放典型電路的分析3.3.2 集成運(yùn)放的主要參數(shù)小結(jié)習(xí)題與思考題第四章 反饋放大器§4.1 反饋的基本概念與分類4.1.1 反饋的基本概念4.1.2 反饋的基本類型4.1.3 反饋的一般表達(dá)式§4.2 負(fù)反饋對放大器性能的改善4.2.1 提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性4.2.2 擴(kuò)展頻帶4.2.3 減小非線性失真4.2.4 削弱噪聲§4.3 負(fù)反饋對放大器輸入電阻和輸出電阻的影響4.3.1 負(fù)反饋對輸入電阻的影響4.3.2 負(fù)反饋對輸出電阻的影響§4.4 負(fù)反饋放大器的分析方法4.4.1 深度負(fù)反饋放大器的計(jì)算4.4.2 方框圖分析法§4.5 負(fù)反饋放大器的自激振蕩4.5.1 負(fù)反饋放大器的自激現(xiàn)象4.5.2 負(fù)反饋放大器穩(wěn)定工作的條件4.5.3 負(fù)反饋放大器的校正方法小結(jié)習(xí)題與思考題第五章 信號(hào)運(yùn)算電路§5.1 運(yùn)算放大器的基本電路5.1.1 理想運(yùn)放的特性5.1.2 運(yùn)算放大器組成的基本電路§5.2 信號(hào)運(yùn)算電路5.2.1 加、減法運(yùn)算電路5.2.2 積分和微分運(yùn)算電路5.2.3 對數(shù)和反對數(shù)運(yùn)算電路§5.3 非理想運(yùn)放理想化的誤差分析……第六章 波形發(fā)生器第七章 功率電路第八章 數(shù)字電路基礎(chǔ)第九章 組合邏輯電路第十章 時(shí)序數(shù)字電路第十一章 脈沖電路及綜合電路系統(tǒng)參考文獻(xiàn)部分習(xí)題答案

章節(jié)摘錄

  §1.3二極管  1.3.1二極管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)  半導(dǎo)體二極管是由一個(gè)PN結(jié)及它所在的半導(dǎo)體再加上電極引線和管殼構(gòu)成。半導(dǎo)體二極管按其不同結(jié)構(gòu),可分為點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型等?! ↑c(diǎn)接觸型二極管的結(jié)構(gòu)如圖1.3.1(a)所示。它由一根含3價(jià)元素鎵的金屬觸絲壓在N型硅或鍺晶片上,經(jīng)過電處理,使觸絲尖端的鎵原子摻入到N型硅或鍺片中,將觸絲尖端附近的N型材料轉(zhuǎn)變成P型材料,形成PN結(jié)。點(diǎn)接觸型二極管PN結(jié)的面積很小,因而結(jié)電容小,工作頻率較高,但不能承受較高的反向電壓和較大的電流。這類管子適用于作高頻檢波和脈沖數(shù)字電路中的開關(guān)元件。例如,點(diǎn)接觸型二極管2AP,最大整流電流僅為16mA,而最高工作頻率高達(dá)150MHz?! ∶娼佑|型二極管的結(jié)構(gòu)如圖1.3.1(b)所示。將3價(jià)元素鋁球置于N型硅片上,加熱使鋁球與硅片互相熔合和滲透,形成合金,從而使接觸的那部分硅片轉(zhuǎn)變成P型,形成PN結(jié)。面接觸型二極管PN結(jié)面積大,允許通過較大的電流,但結(jié)電容也大,因此,這類管子適用于整流等低頻電路中。例如,硅面接觸型二極管2CPL,最大整流電流為400mA,而最高工作頻率只有3kHz。  平面型二極管是用制造平面管的工藝制成的。它是在N型硅片上生成一層氧化膜,再用照相、腐蝕等一套光刻技術(shù)開出一個(gè)窗口,通過窗口進(jìn)行濃硼擴(kuò)散,形成P型區(qū),從而形成PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)如圖1.3.1(c)所示。

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