電工學（下）

內(nèi)容概要

　　《電工學：電子技術(shù)（下）》是教育部“高等教育面向21世紀教學內(nèi)容和課程體系改革計劃”的研究成果，是面向21世紀課程教材和教育部工科電工學“九五”規(guī)劃教材。《電工學：電子技術(shù)（下）》（第五版）主要是根據(jù)教育部（前國家教育委員會）1995年頒發(fā)的高等工業(yè)學?！半姽ぜ夹g(shù)（電工學工）”和“電子技術(shù)（電工學Ⅱ）”兩門課程的教學基本要求修訂的。全書分上、下兩冊出版。上冊是電工技術(shù)部分；下冊是電子技術(shù)部分。各章均附有習題。另編有《電工學學習指導(dǎo)》（第二版），作為與《電工學：電子技術(shù)（下）》配套的教學參考書?！峨姽W：電子技術(shù)（下）》可作為高等學校非電類專業(yè)上述兩門課程的教材，也可供其他工科專業(yè)選用和社會讀者閱讀?！　　峨姽W：電子技術(shù)（下）》（第五版）由大連理工大學唐介教授和哈爾濱工程大學張保郁教授審閱?！　　峨姽W：電子技術(shù)（下）》第三版于1987年獲全國優(yōu)秀教材獎，第四版于1997年獲國家級教學成果二等獎和國家級科學技術(shù)進步獎三等獎。

書籍目錄

下冊 電子技術(shù)第15章 半導(dǎo)體二極管和三極管15．1 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性15．1．1 本征半導(dǎo)體15．1．2 N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體15．2 PN結(jié)15. 2．1 PN結(jié)的形成15．2．2 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?5．3半導(dǎo)體二極管15．3．1 基本結(jié)構(gòu)15．3．2 伏安特性15．3．3 主要參數(shù)15．4 穩(wěn)壓管15．5 半導(dǎo)體三極管15．5．1 基本結(jié)構(gòu)15．5．2 電流分配和放大原理15．5．3 特性曲線15．5．4 主要參數(shù)習題第16章 基本放大電路16．1 基本放大電路的組成16．2 放大電路的靜態(tài)分析16．2．1 用放大電路的直流通路確定靜態(tài)值16．2．2 用圖解法確定靜態(tài)值16．3 放大電路的動態(tài)分析16．3．1 微變等效電路法16．3．2 圖解法16．4 靜態(tài)工作點的穩(wěn)定16．5 射極輸出器16．5．1 靜態(tài)分析16．5. 2 動態(tài)分析16．6 放大電路中的負反饋16．6．1 什么是放大電路中的負反饋16．6．2 負反饋的類型16．6. 3 負反饋對放大電路工作性能的影響16．7 放大電路的頻率特性16．8 多級放大電路及其級間耦合方式16．8．1 阻容耦合16．8．2 直接耦合16．9 差動放大電路16．9．1 差動放大電路的工作情況16．9．2 典型差動放大電路16．10 互補對稱功率放大電路16．10．1 對功率放大電路的基本要求16．10．2 互補對稱放大電路16．11 場效應(yīng)管及其放大電路16．11．1 絕緣柵場效應(yīng)管16．11．2 功率絕緣柵場效應(yīng)管16．11．3 場效應(yīng)管放大電路習題第17章 集成運算放大器17．1 集成運算放大器的簡單介紹17．1．1 集成運算放大器的特點17．1．2 電路的簡單說明17．1．3 主要參數(shù)17．1．4 理想運算放大器及其分析依據(jù)17．2 運算放大器在信號運算方面的應(yīng)用17．2．1 比例運算17．2．2 加法運算17．2．3 減法運算17．2．4 積分運算17．2．5 微分運算17．3 運算放大器在信號處理方面的應(yīng)用17．3．1 有源濾波器17．3．2 采樣保持電路17．3．3 電壓比較器*17．4 運算放大器在波形產(chǎn)生方面的應(yīng)用17．4．1 矩形波發(fā)生器17．4．2 三角波發(fā)生器17．4．3 鋸齒波發(fā)生器*17．5 運算放大器在信號測量方面的應(yīng)用17．6 集成功率放大器17．7 運算放大器電路中的負反饋17．7．1 并聯(lián)電壓負反饋17．7．2 串聯(lián)電壓負反饋17．7．3 串聯(lián)電流負反饋17．7．4 并聯(lián)電流負反饋17．8 使用運算放大器應(yīng)注意的幾個問題17．8．1 選用元件17．8．2 消振17．8．3 調(diào)零17．8．4 保護17．8．5 擴大輸出電流習題第18章 正弦波振蕩電路18．1 自激振蕩18．2 RC振蕩電路18．3 LC振蕩電路18．3．1 工作原理18．3．2 三點式振蕩電路習題第19章 直流穩(wěn)壓電源19．1 整流電路19．1．1 單相半波整流電路19．1．2 單相橋式整流電路*19．1．3 三相橋式整流電路19．2 濾波器19．2．1 電容濾波器(C濾波器)19．2．2 電感電容濾波器(比濾波器)19．2．3 形濾波器19．3 直流穩(wěn)壓電源19．3．1 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路19．3．2 恒壓源19．3．3 串聯(lián)型穩(wěn)壓電路19．3．4集成穩(wěn)壓電源習題△第20章 晶閘管及其應(yīng)用20．1 晶閘管20．1．1 基本結(jié)構(gòu)20．1．2 工作原理20．1．3 伏安特性20．1. 4 主要參數(shù)20．2 可控整流電路20．2．1 單相半波可控整流電路20．2．2 單相半控橋式整流電路20．3 晶閘管的保護20．3．1 晶閘管的過電流保護20．3．2 晶閘管的過電壓保護20．4 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路20．4．1 單結(jié)晶體管20．4．2 單結(jié)晶體管觸發(fā)電路20．5 晶閘管直流調(diào)速系統(tǒng)20．5．1 反饋方式20．5．2 調(diào)速系統(tǒng)實例*20．6 晶閘管交流調(diào)壓*20．7 晶閘管逆變器20．7．1 電壓型單相橋式逆變電路20．7．2 電壓型三相橋式逆變電路20．7．3 正弦波脈寬調(diào)制習題第21章 門電路和組合邏輯電路21．1 脈沖信號21．2 晶體管的開關(guān)作用21．3 分立元件門電路21．3．1 門電路的基本概念21．3．2 二極管"與"門電路21．3．3 二極管"或"門電路21．3．4 晶體管"非"門電路21．4 TTL門電路21．4．1 TTL"與非"門電路21．4．2 三態(tài)輸出"與非"門電路21．4．3 集電極開路"與非"門電路21．5 MOS門電路21．5．1 NMOS門電路21．5．2 CMOS門電路21．6 邏輯代數(shù)21．6．1 邏輯代數(shù)運算法則21．6．2 邏輯函數(shù)的表示方法21．6．3 邏輯函數(shù)的化簡21．7 組合邏輯電路的分析和綜合21．7．1 組合邏輯電路的分析21．7．2 組合邏輯電路的綜合21．8 加法器21．8．1 二進制21．8．2 半加器21．8．3 全加器21．9 編碼器21．9．1 二進制編碼器21．9．2 二-十進制編碼器21．9．3 優(yōu)先編碼器21．10 譯碼器和數(shù)字顯示21．10．1 二進制譯碼器21．10．2 二-十進制顯示譯碼器△21．11 數(shù)據(jù)分配器和數(shù)據(jù)選擇器21．11．1 數(shù)據(jù)分配器21．11．2 數(shù)據(jù)選擇器*21．12 應(yīng)用舉例21．12．1 交通信號燈故障檢測電路21．12．2 故障報警電路21．12．3 兩地控制一燈的電路21．12．4 水位檢測電路習題第22章 觸發(fā)器和時序邏輯電路22．1 雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器22．1．1 RS觸發(fā)器22．1．2 JK觸發(fā)器22．1．3 D觸發(fā)器22．1．4 CMOS D觸發(fā)器22．1．5 觸發(fā)器邏輯功能的轉(zhuǎn)換22．2 寄存器22．2．1 數(shù)碼寄存器22．2．2 移位寄存器22．3 計數(shù)器22 3．1 二進制計數(shù)器22．3．2 十進制計數(shù)器*22．3．3 環(huán)形計數(shù)器*22．3．4 環(huán)形分配器22．4 單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器△22．4．1 CMOS積分型單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器22．4．2 由555集成定時器組成的單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器22．5 多諧振蕩器△22．5．1 RC環(huán)形多諧振蕩器22．5．2 由555集成定時器組成的多諧振蕩器*22．6 應(yīng)用舉例22．6．1 優(yōu)先裁決電路22．6．2 沖床保安電路22．6．3 數(shù)字鐘22．6．4 四人搶答電路22．6．5 數(shù)字測速系統(tǒng)22．6．6 溫度控制電路習題△第23章 存儲器和可編程邏輯器件23．1 只讀存儲器23．1．1 ROM的結(jié)構(gòu)框圖23．1．2 ROM的工作原理23．1．3 ROM的應(yīng)用舉例23．2 隨機存取存儲器23．2．1 RAM的結(jié)構(gòu)和工作原理23．2．2 2114靜態(tài)RAM23．3 可編程邏輯器件23．3．1 可編程只讀存儲器23．3．2 可編程邏輯陣列23．3．3 通用陣列邏輯習題第24章 模擬量和數(shù)字量的轉(zhuǎn)換24．1 數(shù)-模轉(zhuǎn)換器24．1．1 T形電阻網(wǎng)絡(luò)數(shù)-模轉(zhuǎn)換器24．1．2 數(shù)-模轉(zhuǎn)換器的主要技術(shù)指標24．2 模-數(shù)轉(zhuǎn)換器24．2．1 逐次逼近型模-數(shù)轉(zhuǎn)換器24．2．2 模-數(shù)轉(zhuǎn)換器的主要技術(shù)指標習題附錄附錄A 半導(dǎo)體分立器件型號命名方法附錄B 常用半導(dǎo)體分立器件的參數(shù)附錄C 半導(dǎo)體集成電路型號命名方法附錄D 常用半導(dǎo)體集成電路的參數(shù)和符號附錄E TTL門電路、觸發(fā)器和計數(shù)器的部分品種型號附錄F 電阻器標稱阻值系列部分習題答案中英名詞對照參考文獻

章節(jié)摘錄

　　半導(dǎo)體二極管和三極管是最常用的半導(dǎo)體器件。它們的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、特性和參數(shù)是學習電子技術(shù)和分析電子電路必不可少的基礎(chǔ)，而PN結(jié)又是構(gòu)成各種半導(dǎo)體器件的共同基礎(chǔ)。因此，本章從討論半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性和PN結(jié)的基本原理（特別是它的單向?qū)щ娦裕╅_始，然后介紹二極管和三極管，為以后的學習打下基礎(chǔ)?！　?5.1半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性　　所謂半導(dǎo)體，顧名思義，就是它的導(dǎo)電能力介乎導(dǎo)體和絕緣體之間。如硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物都是半導(dǎo)體?！　『芏喟雽?dǎo)體的導(dǎo)電能力在不同條件下有很大的差別。例如有些半導(dǎo)體（如鈷、錳、鎳等的氧化物）對溫度的反應(yīng)特別靈敏，環(huán)境溫度增高時，它們的導(dǎo)電能力要增強很多。利用這種特性就做成了各種熱敏電阻。又如有些半導(dǎo)體（如鎘、鉛等的硫化物與硒化物）受到光照時，它們的導(dǎo)電能力變得很強；當無光照時，又變得像絕緣體那樣不導(dǎo)電。利用這種特性就做成了各種光敏電阻。　　更重要的是，如果在純凈的半導(dǎo)體中摻人微量的某種雜質(zhì)后，它的導(dǎo)電能力就可增加幾十萬乃至幾百萬倍。例如在純硅中摻人百萬分之一的硼后，硅的電阻率就從大約2×103 Q·m減小到4×10-3 Q·m左右。利用這種特性就做成了各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如半導(dǎo)體二極管、三極管、場效應(yīng)管及晶閘管等。　　半導(dǎo)體何以有如此懸殊的導(dǎo)電特性呢？根本原因在于事物內(nèi)部的特殊性。下面簡單介紹一下半導(dǎo)體物質(zhì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電機理?！　?5.1.1本征半導(dǎo)體　　用得最多的半導(dǎo)體是鍺和硅。圖15.1.1是鍺和硅的原子結(jié)構(gòu)圖，它們各有四個價電子，都是四價元素。將鍺或硅材料提純（去掉無用雜質(zhì)）并形成單晶體后，所有原子便基本上整齊排列，其立體結(jié)構(gòu)圖與平面示意圖分別如圖15.1.2和圖15.1.3所示。半導(dǎo)體一般都具有這種晶體結(jié)構(gòu)，所以半導(dǎo)體也稱為晶體，這就是晶體管名稱的由來。

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