GaAs光電陰極

內(nèi)容概要

《GaAs光電陰極》是著者承擔(dān)國(guó)家科研項(xiàng)目的總結(jié), 是論述GaAs 光電陰極的專(zhuān)著. 全書(shū)共分8 章, 介紹了三代微光像增強(qiáng)器、GaAs 和GaAlAs 材料及光電陰極的發(fā)展概況; 研究了GaAs 光電陰極的光電發(fā)射與光譜響應(yīng)理論、多信息量測(cè)控與評(píng)估系統(tǒng)、激活工藝及其優(yōu)化; 提出了變摻雜GaAs 光電陰極的物理概念, 探索了反射式和透射式變摻雜GaAs 光電陰極理論, 在三代微光像增強(qiáng)器中進(jìn)行了實(shí)踐; 最后針對(duì)新一代微光像增強(qiáng)器研究, 對(duì)GaAs 光電陰極進(jìn)行了回顧與展望.

作者簡(jiǎn)介

常本康，南京理工大學(xué)教授，博士生導(dǎo)師，國(guó)防科工委微光重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)副主任委員，主要從事光電發(fā)射材料，器件與多光譜融合的圖像探測(cè)系統(tǒng)的研究，培養(yǎng)碩士70多名、博士與博士后50多名，先后出版過(guò)的專(zhuān)著和教材有：《顯示技術(shù)》（1994），《多堿光電陰極機(jī)理、特性與應(yīng)用》（1995）、《紅外成像陣列與系統(tǒng)》 （2006）、《紅外成像陣列與系統(tǒng)（修訂版）》（2009）、《多堿光電陰極》（2011）以及《GaAs光電陰極》（2012）等。在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)期刊與會(huì)議發(fā)表論文400多篇，申報(bào)專(zhuān)利20多項(xiàng)。

書(shū)籍目錄

第1章  緒論          
  1．1  三代微光像增強(qiáng)器簡(jiǎn)介  
    1．1．1  三代微光像增強(qiáng)器的基本原理    
    1. 1．2  GaAlAs／GaAs光電陰極
    1．1．3  微通道板fMcP)
    1. 1. 4  積分靈敏度  
    1. 1. 5  分辨力、MTF    
    1. 1．6  信噪比   
  1．2  三代微光像增強(qiáng)器的應(yīng)用領(lǐng)域及國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀
    1. 2. 1  三代微光像增強(qiáng)器的應(yīng)用領(lǐng)域      
    1．2. 2  三代微光像增強(qiáng)器的國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀  
  1．3  GaAs光電陰極的發(fā)展概況    
    1．3．1  GaAs光電陰極的發(fā)現(xiàn)及特點(diǎn)
    1. 3. 2  GaAs光電陰極的制各      
  1．4  GaAs光電陰極的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀  
    1. 4. 1  GaAs光電陰極的材料特性
    1．4．2  GaAs光電陰極激活工藝的研究
    1．4. 3  GaAs光電陰極的穩(wěn)定性研究 
    1. 4. 4  GaAs光電陰極表面模型的研究
  1. 5  國(guó)內(nèi)外GaAs光電陰極的性能現(xiàn)狀
    1. 5. 1  國(guó)外GaAs光電陰極的技術(shù)水平現(xiàn)狀
    1. 5. 2  國(guó)內(nèi)GaAs光電陰極的技術(shù)水平現(xiàn)狀  
第2章  GaAs和GaAlAs光電陰極材料
第3章  GaAs光電陰極的光電發(fā)射與光譜響應(yīng)理論
第4章  GaAs光電陰極多信息量測(cè)控與評(píng)估系統(tǒng)    
第5章  反射式GaAs光電陰極的激活工藝及其優(yōu)化研究
第6章  反射式變摻雜GaAs光電陰極材料與量子效率理論研究
第7章  透射式變摻雜GaAs光電陰極理論與實(shí)踐
第8章  回顧與展望
參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

版權(quán)頁(yè)：   插圖：   （2）生長(zhǎng)溫度對(duì)材料性能的影響 生長(zhǎng)溫度對(duì)材料性能的影響很大，除對(duì)材料的光學(xué)、電學(xué)、缺陷性能有直接影響外，還會(huì)影響摻雜控制、組分控制、異質(zhì)結(jié)界面控制。因此，需要根據(jù)光電陰極材料的結(jié)構(gòu)和各層材料關(guān)注性能，采用不同的生長(zhǎng)溫度或變溫生長(zhǎng)技術(shù)，達(dá)到整體結(jié)構(gòu)材料性能的要求，由于GaAlAs的最佳生長(zhǎng)溫度與Al組分含量有關(guān)，而且GaAlAs的生長(zhǎng)溫度比GaAs的生長(zhǎng)溫度要高，所以?xún)?yōu)化襯底溫度從而獲得原子級(jí)平整的GaAlAs／GaAs界面是材料生長(zhǎng)的關(guān)鍵工藝之一。 （3）摻雜工藝控制 MBE摻雜控制包括摻雜濃度精確控制和雜質(zhì)擴(kuò)散抑制技術(shù)，摻雜濃度精確控制又分為均勻摻雜控制、平面摻雜控制、變摻雜控制，由于摻雜濃度和雜質(zhì)擴(kuò)散不僅和摻雜源的束流相關(guān)，還受到生長(zhǎng)溫度、Ⅴ／Ⅲ比的影響，因此需要注意各種工藝參數(shù)對(duì)摻雜水平的影響，同時(shí)須兼顧材料的其他性能。 （4）各類(lèi)缺陷的能級(jí)狀態(tài)及對(duì)載流子擴(kuò)散的影響 材料中載流子的壽命除和材料本身性能相關(guān)外，主要和材料中的缺陷相關(guān)，不同缺陷具有不同的缺陷能級(jí)，對(duì)載流子的復(fù)合影響不同。光電陰極結(jié)構(gòu)材料中的活性層GaAs的主要缺陷為位錯(cuò)和點(diǎn)缺陷，點(diǎn)缺陷有空位、反位和間隙位，通過(guò)熱激電流譜研究缺陷能級(jí)的位置和相對(duì)濃度，從而判斷缺陷類(lèi)型，結(jié)合MBE生長(zhǎng)工藝控制，減少缺陷濃度或改變?nèi)毕蓊?lèi)型。結(jié)合時(shí)間分辨PL測(cè)試技術(shù)或電子束感應(yīng)技術(shù)，通過(guò)測(cè)試載流子壽命或電子擴(kuò)散長(zhǎng)度，研究了不同缺陷對(duì)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的影響。 （5）材料結(jié)構(gòu)性能的分析 光陰極材料包括多層結(jié)構(gòu)，生長(zhǎng)過(guò)程中應(yīng)注意各層之間的界面控制和異質(zhì)結(jié)的晶格匹配問(wèn)題，采用X射線雙晶衍射技術(shù)，研究了AlGaAs層的合金組分以及界面的質(zhì)量，采用電化學(xué)電容一電壓（ECV）和二次離子質(zhì)譜（SIMS），分析了摻雜控制和界面的組分互擴(kuò)散，還采用掃描電鏡（SEM）研究了材料的界面和表面結(jié)構(gòu)性能。 6.3.3 MBE外延變摻雜光電陰極材料測(cè)試評(píng)價(jià)研究 采用MBE技術(shù)生長(zhǎng)了梯度摻雜GaAs NEA光電陰極材料，由于Be元素具有接近統(tǒng)一的吸附系數(shù)，低的蒸氣壓和在GaAs中高的溶解性等優(yōu)點(diǎn)，因此Be被認(rèn)為是最合適用來(lái)高摻雜和階梯雜質(zhì)分布的受主雜質(zhì)，考慮到加熱過(guò)程中變摻雜外延薄層中雜質(zhì)分布可能會(huì)發(fā)生變化，為此利用電化學(xué)電容一電壓儀（ECV）測(cè)試了600℃加熱前后梯度摻雜GaAs光電陰極中的載流子濃度變化情況，并分析討論了其對(duì)陰極性能的影響。

編輯推薦

《GaAs光電陰極》可作為大專(zhuān)院校光學(xué)工程、電子科學(xué)與技術(shù)和光信息科學(xué)與技術(shù)等專(zhuān)業(yè)本科生和研究生的教學(xué)用書(shū)，也可供從事光電陰極及電子源研究的科研人員和工程技術(shù)人員、教師閱讀，同時(shí)也可供從事光電陰極和電子源生產(chǎn)以及使用光電器件或電子槍的有關(guān)人員參考。

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