反射高能電子衍射在薄膜生長(zhǎng)中的表面分析

內(nèi)容概要

　　《反射高能電子衍射在薄膜生長(zhǎng)中的表面分析》以固態(tài)薄膜表面為研究對(duì)象，主要論述了反射高能電子衍射在監(jiān)測(cè)薄膜生長(zhǎng)中的應(yīng)用。本書從表面晶體學(xué)和表面結(jié)構(gòu)形貌分析的原理與方法出發(fā)，基于反射電子衍射原理，介紹了其衍射圖案的標(biāo)定、強(qiáng)度振蕩及在薄膜生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)中的定量分析，最后還總結(jié)了近年來(lái)反射高能電子衍射的一些新應(yīng)用。本書注重物理圖像的說(shuō)明，易于理解，較為實(shí)用?！　　斗瓷涓吣茈娮友苌湓诒∧どL(zhǎng)中的表面分析》可作為從事薄膜材料及器件、表面物理研究的高校教師與研究生教學(xué)用書，也可供相關(guān)專業(yè)師生、科研人員與技術(shù)人員參考使用。

書籍目錄

序言前言第1章 固體表面與表面分析方法1.1 表面的定義與分類1.1.1 表面的定義1.1.2 表面的分類1.1.3 清潔表面1.2 表面分析方法1.2.1 掃描隧道顯微鏡和原子力顯微鏡1.2.2 電子顯微鏡1.2.3 X射線衍射1.2.4 低能電子衍射1.3 RHEED的回顧與發(fā)展1.3.1 早期實(shí)驗(yàn)中的靜態(tài)分析1.3.2 RHEED在薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的應(yīng)用1.3.3 RHEED的發(fā)展參考文獻(xiàn)第2章 表面原子結(jié)構(gòu)與倒易點(diǎn)陣2.1 二維晶體學(xué)2.1.1 二維晶體的周期性2.1.2 二維晶體的對(duì)稱性及點(diǎn)群2.1.3 平面群2.1.4 倒易點(diǎn)陣2.2 理想表面的原子結(jié)構(gòu)2.2.1 晶面與晶向2.2.2 面心立方結(jié)構(gòu)2.2.3 體心立方結(jié)構(gòu)2.2.4 纖鋅礦結(jié)構(gòu)2.3 清潔表面的原子結(jié)構(gòu)2.3.1 臺(tái)階表面模型2.3.2 表面重構(gòu)2.3.3 表面弛豫參考文獻(xiàn)第3章 RHEED的構(gòu)造與原理3.1 超高真空系統(tǒng)與清潔表面準(zhǔn)備3.1.1 超高真空的獲得3.1.2 薄膜制備系統(tǒng)3.1.3 清潔表面的準(zhǔn)備3.2 電子光學(xué)系統(tǒng)3.2.1 電子槍3.2.2 電子的波長(zhǎng)3.2.3 采集系統(tǒng)3.3 高能電子與固體表面的作用3.3.1 原子對(duì)電子的散射3.3.2 晶體對(duì)電子的衍射3.3.3 折射3.4 RHEED的衍射原理3.4.1 反射和透射3.4.2 RHEED衍射譜特征參考文獻(xiàn)第4章 RHEED衍射譜的標(biāo)定4.1 單晶衍射譜的標(biāo)定4.1.1 立方晶體表面4.1.2 消光與二次衍射4.1.3 密堆六方晶體表面4.2 孿晶衍射譜的標(biāo)定4.2.1 疇結(jié)構(gòu)的外延4.2.2 近重位點(diǎn)陣模型4.2.3 孿晶衍射譜4.3 準(zhǔn)晶衍射譜4.3.1 準(zhǔn)晶薄膜4.3.2 退火制備準(zhǔn)晶4.3.3 準(zhǔn)晶襯底上的外延生長(zhǎng)4.4 多晶衍射譜的標(biāo)定4.4.1 隨機(jī)取向多晶薄膜4.4.2 擇優(yōu)取向多晶薄膜4.5 菊池線參考文獻(xiàn)第5章 RHEED對(duì)薄膜生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)的分析5.1 外延生長(zhǎng)過(guò)程中的晶格5.1.1 衍射強(qiáng)度分布5.1.2 衍射條紋間距計(jì)算5.1.3 晶格應(yīng)變與弛豫5.2 薄膜外延生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)5.2.1 生長(zhǎng)模式5.2.2 二維生長(zhǎng)模式與Matthews-Blakeslee公式5.2.3 臨界厚度的實(shí)驗(yàn)觀察5.2.4 生長(zhǎng)模式之間的競(jìng)爭(zhēng)5.2.5 SK生長(zhǎng)模式的實(shí)驗(yàn)觀察5.2.6 SK生長(zhǎng)模式下的面內(nèi)面外晶格的精確計(jì)算5.2.7 壓應(yīng)力與張應(yīng)力的比較5.3 多晶薄膜取向的分析5.3.1 單軸織構(gòu)薄膜的電子衍射5.3.2 衍射強(qiáng)度的弧度分布5.3.3 雙軸織構(gòu)薄膜的電子衍射5.4 織構(gòu)薄膜生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)5.4.1 單軸織構(gòu)5.4.2 雙軸織構(gòu)參考文獻(xiàn)第6章 RHEED強(qiáng)度振蕩6.1 基本原理6.1.1 原始模型6.1.2 層與晶胞6.1.3 晶格振蕩與衍射條紋寬度的振蕩6.2 沉積條件對(duì)強(qiáng)度振蕩的影響6.2.1 生長(zhǎng)溫度6.2.2 沉積速率6.2.3 氣氛6.3 表面弛豫6.3.1 RHEED振蕩與表面弛豫6.3.2 表面擴(kuò)散活化能6.3.3 間歇式層狀生長(zhǎng)6.4 相位移6.4.1 實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象6.4.2 影響因素6.4.3 理論模型參考文獻(xiàn)第7章 RHEED的新應(yīng)用7.1 高壓RHEED的應(yīng)用7.1.1 背景與要求7.1.2 技術(shù)與應(yīng)用7.2 RHEED的表面極圖7.2.1 引言7.2.2 RHEED極圖的構(gòu)建7.2.3 在織構(gòu)薄膜分析的應(yīng)用7.2.4 RHEED Φ掃描在外延薄膜中的應(yīng)用7.2.5 與XRD極圖的對(duì)比7.3 RHEED在量子結(jié)構(gòu)中的分析7.3.1 引言7.3.2 量子點(diǎn)幾何與RHEED形狀7.3.3 量子結(jié)構(gòu)的形成機(jī)制參考文獻(xiàn)

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