集成電路中的現(xiàn)代半導(dǎo)體器件

內(nèi)容概要

　　《集成電路中的現(xiàn)代半導(dǎo)體器件(英文版)》主要介紹與集成電路相關(guān)的幾種主流半導(dǎo)體器件的基本原理，包括PN結(jié)二極管、MOSFET器件和雙極型晶體管（BJT），同時(shí)介紹了與這些半導(dǎo)體器件相關(guān)的集成工藝制造技術(shù)?！都呻娐分械默F(xiàn)代半導(dǎo)體器件(英文版)》作者是美國加州伯克利大學(xué)的終身教授、美國工程院院士、中國科學(xué)院外籍院士，多年從事半導(dǎo)體器件與集成電路領(lǐng)域的前沿性研究工作?！都呻娐分械默F(xiàn)代半導(dǎo)體器件(英文版)》內(nèi)容簡(jiǎn)明扼要、重點(diǎn)突出，深度掌握適宜，講解深入淺出，理論聯(lián)系實(shí)際?！都呻娐分械默F(xiàn)代半導(dǎo)體器件(英文版)》可作為微電子及相關(guān)專業(yè)本科生教材，也可以作為微電子及相關(guān)領(lǐng)域工程技術(shù)人員的參考書。

作者簡(jiǎn)介

　　胡正明(Chenming Calvin Hu)，IEEE
Fellow、美國工程院院士、中國科學(xué)院外籍院士，多年從事半導(dǎo)體器件與集成電路領(lǐng)域的前沿性研究工作.對(duì)半導(dǎo)體器件的開發(fā)及未來的微型化做出了重大貢獻(xiàn)。2001年至2004年在全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司——臺(tái)積電擔(dān)任CTO，1997年因在元件可靠性方面的貢獻(xiàn)而獲得IEEE電子元件獎(jiǎng)(Jack
Morton
Award)，2002年因發(fā)展了第一個(gè)國際標(biāo)準(zhǔn)的晶體管電路仿真模型而獲得IEEE固態(tài)電路獎(jiǎng)，2009年因在器件物理和尺寸方面的杰出貢獻(xiàn)而獲得西澤潤一獎(jiǎng)(Jun-ichi
Nishizawa
Medal)，發(fā)表論文800余篇，擁有美國專利100余項(xiàng)，由他指導(dǎo)發(fā)表的博士論文60余篇。同時(shí)，還獲得了美國加帥0大學(xué)伯克利分校教育方面的最高獎(jiǎng)項(xiàng)——伯克利杰出教育獎(jiǎng)。

書籍目錄

Preface
1 Electrons and Holes in Semiconductors
　1.1 Silicon Crystal Structure
　1.2 Bond Model of Electrons and Holes
　1.3 Energy Band Model
　1.4 Semiconductors, Insulators, and Conductors
　1.5 Electrons and Holes
　1.6 Density of States
　1.7 Thermal Equilibrium and the Fermi Function
　1.8 Electron and Hole Concentrations
　1.9 General Theory ofnandp
　1.10 Carrier Concentrations at Extremely High and Low
Temperatures
　1.11 Chapter Summary
　PROBLEMS
　REFERENCES
　GENERAL REFERENCES
2 Motion and Recombination of Electrons and Holes
　2.1 Thermal Motion
　2.2 Drift
　2.3 Diffusion Current
　2.4 Relation Between the Energy Diagram and V,%
　2.5 Einstein Relationship Between D and u
　2.6 Electron-Hole Recombination
　2.7 Thermal Generation
　2.8 Quasi-Equilibrium and Quasi-Fermi Levels
　2.9 Chapter Summary
　PROBLEMS
　REFERENCES
　GENERAL REFERENCES
3 Device Fabrication Technology
　3.1 Introduction to Device Fabrication
　3.2 Oxidation of Silicon
　3.3 Lithography
　3.4 Pattern Transfer-Etching
　3.5 Doping
　3.6 Dopant Diffusion
　3.7 Thin-Film Deposition
　3.8 Interconnect-The Back-End Process
　3.9 Testing, Assembly, and Qualification
　3.10 Chapter Summary-A Device Fabrication Example
　PROBLEMS
　REFERENCES
　GENERAL REFERENCES
4 PN and Metal-Semiconductor Junctions
　Part 1 PN Junction
　4.1 Building Blocks of the PN Junction Theory
　4.2 * Depletion-Layer Model
　4.3 Reverse-Biased PN Junction
　4.4 Capacitance-Voltage Characteristics
　4.5 Junction Breakdown
　4.6 Carrier Injection Under Forward Bias——Quasi-Equilibrium
Boundary Condition
　4.7 Current Continuity Equation
　4.8 Excess Carriers in Forward-Biased PN Junction
　4.9 PN Diode IV Characteristics
　4.10 Charge Storage
　4.11 Small-Signal Model of the Diode
　Part 2 Application to Optoelectronic Devices
　4.12 Solar Cells
　4.13 Light-Emitting Diodes and Solid-State Lighting
　……
5 MOS Capacitor
6 MOS Transistor
7 MOSFETs in ICs-Scaling, Leakage, and Other Topics
8 Bipolar Transistor

圖書封面

圖書標(biāo)簽Tags

無

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