出版時間:2011-6 出版社:科學 作者:謝爾蓋·雷舍夫斯基 編 頁數(shù):1008
內(nèi)容概要
本書系統(tǒng)地論述了分子和納電子技術(shù)的方方面面——涵蓋基礎(chǔ)理論,報道最新進展,設(shè)計全新的解決方案,報道可能的技術(shù),預(yù)測具有深遠意義的發(fā)展,構(gòu)想新的范式等。
全書由四大部分、共26章構(gòu)成,內(nèi)容豐富,各章節(jié)既包括堅實的基礎(chǔ)理論又論述可行性技術(shù),在覆蓋面和實用性之間取得了較好的平衡。
本書可供分子和納電子技術(shù)及其相關(guān)領(lǐng)域的科研工作者和大專院校師生參考使用。
作者簡介
謝爾蓋·雷舍夫斯基(S. E.
Lyshevski),生于烏克蘭基輔。1980年和1 987年在基輔理工學院分別獲得電氣工程專業(yè)的碩士和博士學位。1980~1
993年,在基輔理工學院的電氣工程系和烏克蘭科學院任職。1989~1993年,擔任烏克蘭科學院微電子與機電系統(tǒng)部門主管。1993~2002年,在美國普渡大學電氣與計算機工程系任副教授。2002年,作為電氣工程教授加入到羅徹斯特理工學院。還在美國空軍研究實驗室和海軍作戰(zhàn)中心任正教授職位。撰寫了多部納米與微米方面的著作,發(fā)表期刊論文、會議論文以及手冊章節(jié)合計逾300篇。目前的研究重點包括分子電子學、分子處理平臺、納米工程、認知系統(tǒng)、新型組織/體系架構(gòu)、新型納電子器件、可重構(gòu)超高性能計算以及系統(tǒng)信息學等。在先進航天、電子、機電和海軍系統(tǒng)的合成、設(shè)計、應(yīng)用、驗證和實現(xiàn)方面,作出了重要貢獻。作過30余次國內(nèi)和國際邀請報告,并擔任《納米與微米科學、工程、技術(shù)與醫(yī)學》(Nano-and
Microscienc, Engineering, Technology, and Medicine)叢書的編委。
書籍目錄
《納米科學與技術(shù)》叢書序
譯者序
前言
第Ⅰ部分 分子與納電子技術(shù):器件級與系統(tǒng)級
1 自組裝單分子層的電學特性
2 分子電子學計算技術(shù)
3 單分子電子學:結(jié)論與展望
4 碳衍生物
5 納米存儲器與納米處理器的系統(tǒng)級設(shè)計與模擬
6 三維分子電子技術(shù)與用于信號和信息處理平臺的集成電路
第Ⅱ部分 納米尺度電子技術(shù)
7 電子學中的無機納米線
8 納電子器件中的量子點
9 利用納米級多孔氧化鋁模板自組裝納米結(jié)構(gòu)
10 尖峰神經(jīng)元的神經(jīng)形態(tài)網(wǎng)絡(luò)
11 電子學邁向TSI時代——分子電子學及未來
12 基于非可靠納米器件的納米架構(gòu)的計算
第Ⅲ部分 生物分子電子技術(shù)與處理
13 “G線”DNA的性質(zhì)
14 金屬蛋白電子技術(shù)
15 生物分子與半導體納米環(huán)中非線性和空間離散導致的電荷輸運與局域化?中性激子的Aharonov-Bohm效應(yīng)
16 蛋白質(zhì)光存儲
17 通過孤立波和隨機過程進行的亞神經(jīng)元信息處理
18 微管和肌絲的電子及離子導電性,與細胞信號的關(guān)系及在生物電子學中的應(yīng)用
第Ⅳ部分 分子與納電子學:器件層次建模與模擬
19 分子電子學的模擬工具
20 分子電子學器件中的電流整流、開關(guān)和缺陷影響的理論
21 分子電導問題的復(fù)雜性
22 作為開放量子體系的納米機電諧振子
23 分子接觸的相干電子輸運:一個易處理的模型實例
24 單分子第一性原理輸運計算的驕傲、偏見和窘境
25 分子電子器件
26 STM誘導單分子表面反應(yīng)的電子共隧穿模型
附錄 縮略語
彩圖
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