用于惡劣環(huán)境的碳化硅微機(jī)電系統(tǒng)

前言

　　首先，我要感謝所有對(duì)本書作出貢獻(xiàn)的專家。沒有他們，就不可能有本書。我也要向蘇格蘭微電子中心的同行表示最深切的感謝，他們用多種方法為本書第1章描述的科學(xué)和技術(shù)作出了貢獻(xiàn)。編寫這樣一本關(guān)于SiC MEMS手稿的目的是把最新的信息濃縮成易于被學(xué)術(shù)界和商業(yè)公司接受的書的形式。本書總結(jié)了與惡劣環(huán)境應(yīng)用SiC MEMS相關(guān)的高質(zhì)量信息，供從事此領(lǐng)域及相關(guān)研究的學(xué)生、學(xué)者和科研人員使用。我也希望本書能夠?qū)φ麄€(gè)MEMS領(lǐng)域的發(fā)展貢獻(xiàn)力量?！　EMS是微小尺度的機(jī)械器件／傳感器，其有非常廣泛的應(yīng)用，如小型化的加速度傳感器和壓力傳感器、模仿蟋蟀纖毛的風(fēng)速傳感器、用于生物醫(yī)學(xué)的微流體泵等。與SiC相比，SiC的主要優(yōu)點(diǎn)自然是材料的機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性。一旦這些材料性能在高溫和惡劣環(huán)境等應(yīng)用中體現(xiàn)出來，就將對(duì)科學(xué)和工程的促進(jìn)產(chǎn)生推動(dòng)，導(dǎo)致最終產(chǎn)品的出現(xiàn)。本書闡述從SiC材料的發(fā)明到最終應(yīng)用到MEMS中整個(gè)過程中相關(guān)的科學(xué)和技術(shù)?！　”緯謩e在SiC加工、生長(zhǎng)、接觸和腐蝕等技術(shù)和工藝現(xiàn)狀方面做了精彩闡述，并在最后一章論述了SiC MEMS的應(yīng)用。

內(nèi)容概要

　　碳化硅以其優(yōu)異的溫度特性、電遷移特性、機(jī)械特性等，越來越被微電子和微機(jī)電系統(tǒng)研究領(lǐng)域所關(guān)注，不斷有新的研究群體介入這一材料及其應(yīng)用的研究?！队糜趷毫迎h(huán)境的碳化硅微機(jī)電系統(tǒng)》是目前譯者見到的唯一一本系統(tǒng)論述碳化硅微機(jī)電系統(tǒng)的著作，作者是來自英國(guó)、美國(guó)從事碳化硅微機(jī)電系統(tǒng)研究的幾位學(xué)者，他們系統(tǒng)綜述了碳化硅生長(zhǎng)、加工、接觸、腐蝕和應(yīng)用等環(huán)節(jié)的技術(shù)和現(xiàn)狀，匯聚了作者大量的經(jīng)驗(yàn)和智慧?！　　队糜趷毫迎h(huán)境的碳化硅微機(jī)電系統(tǒng)》可供從事微電子、微機(jī)械研究的科研人員參考閱讀，也可以作為研究生專業(yè)課程教材或參考書目。

書籍目錄

譯者序前言第1章 SiCMEMS概述　1.簡(jiǎn)介　2.SiC材料性能　3.制作微機(jī)電(MEM)器件　4.表面改性　5.SiCMEMS的頻率調(diào)諧　6.MEMS的機(jī)械測(cè)試　7.應(yīng)用舉例　8.小結(jié)　參考文獻(xiàn)第2章 SiCMEMS沉積技術(shù)　1.概述　2.與SiC沉積相關(guān)的問題　3.APCVD　4.PE(2VD　5.LPCVD　6.LPCⅧSiC薄膜的摻雜　7.其他沉積方法　8.小結(jié)　參考文獻(xiàn)第3章 與SiC接觸開發(fā)相關(guān)的問題綜述　1.概述　2.熱穩(wěn)定性　3.p型SiC的歐姆接觸　4.使用Ni的歐姆接觸　5.肖特基接觸缺陷的影響　6.小結(jié)　參考文獻(xiàn)第4章 SiC的干法刻蝕　1.概述　2.等離子刻蝕基礎(chǔ)　3.SiC的等離子刻蝕　4.等離子體化學(xué)　5.掩膜材料　6.近期發(fā)展及未來展望　7.小結(jié)　參考文獻(xiàn)第5章 SiCMEMS的設(shè)計(jì)、性能和應(yīng)用　1.概述　2.SiCMEMS器件　3.結(jié)論和展望參考文獻(xiàn)附錄

章節(jié)摘錄

　　由于SiC的特性，所以，SiC是一種比多晶Si更難合成的材料。SiC的形成需要在合適的熱學(xué)、化學(xué)條件下，Si原子和C原子發(fā)生反應(yīng)才能得到。形成化學(xué)意義上的SiC薄膜一般需要高于700℃的溫度，而多晶SiC則需要更高的溫度（大于800℃）。SiC和SiC最普通的MEMS基底）之間晶格和熱性質(zhì)的不一致會(huì)導(dǎo)致SiC薄膜里的殘余應(yīng)力。對(duì)微結(jié)構(gòu)來說，SiC在高溫下是熱力學(xué)穩(wěn)定的，因而限制了退火這種減小無定形SiC薄膜應(yīng)力技術(shù)的應(yīng)用。由于幾乎所有元素在SiC里的擴(kuò)散系數(shù)是極其低的，使得固態(tài)源擴(kuò)散成為一種不實(shí)用的摻雜技術(shù)，只剩下離子注入和原位摻雜成為可行的選擇。然而，對(duì)Si晶片上的SiC薄膜，離子注人也是很有挑戰(zhàn)性的，這是因?yàn)楣に囍凶钣行У淖⑷牒屯嘶饻囟冉咏嘶椎娜埸c(diǎn)。

圖書封面

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