2010高技術發(fā)展報告

前言

溫家寶總理2009年11月3日在對首都科技界發(fā)表的重要講話中提出要“把建設創(chuàng)新型國家作為戰(zhàn)略目標，把可持續(xù)發(fā)展作為戰(zhàn)略方向，把爭奪經(jīng)濟科技制高點作為戰(zhàn)略重點，逐步使戰(zhàn)略性新興產業(yè)成為經(jīng)濟社會發(fā)展的主導力量”。當今世界，經(jīng)濟競爭、社會進步、國家安全和人民富裕都高度依賴科技發(fā)展，科技已成為推動經(jīng)濟增長、引領社會發(fā)展的主導力量。如何提高自主創(chuàng)新能力，攻克與戰(zhàn)略性新興產業(yè)相關的科技問題，為培育和促進我國戰(zhàn)略性新興產業(yè)的發(fā)展提供強有力的科技創(chuàng)新支持，是我國科技界的一項重大戰(zhàn)略科技任務。我們要認清形勢，認清發(fā)展戰(zhàn)略性新興產業(yè)的重要意義，根據(jù)國情世情和科技發(fā)展與產業(yè)發(fā)展規(guī)律，遴選出我國戰(zhàn)略性新興產業(yè)的重點，采取有力措施，推動我國戰(zhàn)略性新興產業(yè)的發(fā)展。近現(xiàn)代以來的歷史表明，科技的突破性進展乃至革命，會催生和帶動戰(zhàn)略性新興產業(yè)的發(fā)展，極大提高社會生產力，乃至從根本上改變社會生產方式；會極大提高生活質量，從根本上改變人的生活方式，進而改變世界的經(jīng)濟與政治格局。全球性經(jīng)濟危機往往催生重大科技創(chuàng)新突破乃至科技革命。經(jīng)濟危機是社會生產、分配、消費之間矛盾日益尖銳的產物。一些傳統(tǒng)產業(yè)難以為繼，一些新興產業(yè)又應運而生，特別是一些具有廣泛影響和帶動作用的戰(zhàn)略性新興產業(yè)有可能萌生和發(fā)展。例如，1857年的世界經(jīng)濟危機后，電力和電氣產業(yè)成為帶動世界經(jīng)濟發(fā)展的戰(zhàn)略性新興產業(yè)；1929年的世界經(jīng)濟危機以及第二次世界大戰(zhàn)后，電子、航空航天和核能等戰(zhàn)略性新興產業(yè)帶動了戰(zhàn)后世界經(jīng)濟的發(fā)展。20世紀80年代，美國為了克服經(jīng)濟危機。

內容概要

本書是中國科學院面向公眾、面向決策人員的系列年度報告——《高技術發(fā)展報告》的第十一本。全書在綜述2009年高技術發(fā)展動態(tài)的同時，以新材料、新能源技術為主題，著重介紹新材料、新能源技術發(fā)展趨勢、產業(yè)化動態(tài)、產業(yè)創(chuàng)新能力與國際競爭力、高技術與社會等社會普遍關注的重大問題，提出促進中國高技術與產業(yè)發(fā)展的思路和政策建議。    本報告有助于社會公眾了解高技術特別是新材料、新能源技術發(fā)展動態(tài)，可供各級領導干部、有關決策部門和社會公眾參考。

書籍目錄

提高自主創(chuàng)新能力，支撐戰(zhàn)略性新興產業(yè)的發(fā)展（代序）前言第一章  2009年高技術發(fā)展綜述第二章  材料技術新進展  2.1  高性能鎂合金的研發(fā)與應用新進展  2.2  新型陶瓷材料技術新進展  2.3  先進高分子材料研究新進展  2.4  復合材料技術新進展  2.5  納米材料研究的若干新進展  2.6  超導科學技術新進展第三章  能源技術新進展  3.1  潔凈煤技術新進展  3.2  先進核能技術新進展  3.3  燃料電池技術新進展  3.4  智能電網(wǎng)新進展  3.5  分布式能源技術新進展第四章  能源和材料技術產業(yè)化  4.1  光伏產業(yè)化現(xiàn)狀和前景  4.2  風能技術產業(yè)化現(xiàn)狀和前景  4.3  我國生物能源產業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與問題  4.4  液晶顯示技術及產業(yè)發(fā)展狀況  4.5  我國納米材料產業(yè)現(xiàn)狀和發(fā)展機遇第五章  產業(yè)國際競爭力評價  5.1  中國制造業(yè)創(chuàng)新能力評價  5.2  中國高技術產業(yè)國際競爭力評價第六章  高技術與社會  6.1  現(xiàn)代技術的社會風險及其應對  6.2  我國新能源產業(yè)發(fā)展的倫理考量：以光伏產業(yè)為例  6.3  關于加強中國納米技術的社會和倫理問題研究的思考  6.4  技術政策的倫理維度第七章  專家論壇  7.1  關于創(chuàng)新型國家建設的若干問題思考  7.2  “十二五”國家重大創(chuàng)新基地建設的基本考慮  7.3  中國中長期能源戰(zhàn)略思考  7.4  我國加快發(fā)展電驅動汽車產業(yè)的戰(zhàn)略思考  7.5  我國發(fā)展低碳經(jīng)濟的思路與對策  7.6  關于我國發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)若干戰(zhàn)略問題的思考

章節(jié)摘錄

插圖：憶阻器可能改變半導體產業(yè)。由于晶體管縮小導致功耗增加，且難以安排所有必需的互聯(lián)，在一個芯片上集成更多的晶體管已變得越來越困難。憶阻器是一種有記憶功能的非線性電阻，由于結構更簡單，更易在一個芯片上進行高密度封裝，因此基于億阻器的內存芯片開發(fā)成為半導體產業(yè)重要的發(fā)展方向，其密度要比目前基于晶體管的芯片至少高出一個數(shù)量級（10倍）。2009年4月，美國密歇根大學的科研人員發(fā)出了一種由納米級憶阻器構成的芯片，能存儲1000比特的信息。該技術易于擴展以存儲更多數(shù)據(jù)，為通用內存的開發(fā)提供了可能，給仿生邏輯電路帶來了希望，有可能改變半導體產業(yè)。4.信息儲存與顯示技術信息儲存向體積更小、容量更大、壽命更長方面發(fā)展。數(shù)據(jù)呈爆炸式增長，全球每天約有15千兆字節(jié)的數(shù)據(jù)產生，2010年全球編碼信息數(shù)據(jù)庫每隔11小時就會增加一倍。有效存儲和管理數(shù)據(jù)成為未來信息技術領域需要著重解決的問題，縮小存儲器體積、提高儲存量、延長存儲壽命是信息存儲技術發(fā)展的三個重要方向。在縮小存儲器體積方面，英國諾丁漢大學的科學家發(fā)現(xiàn)，將兩根碳納米管套在一起將能夠最終產生使用二進制編碼保存信息所需的“1”或“0”狀態(tài)，可以用來生產低成本、小體積的存儲器元件，且具有耗電量極低、記錄信息高速的特點。在提高信息儲存量方面，美國通用電氣公司的研究人員利用顯微全息存儲技術，制造出儲容量可達500GB的光盤，是目前DVD光盤的存儲容量100倍左右。目前的DVD光盤一般僅將信息存儲在光盤表面，而顯微全息存儲技術利用三維的全息圖來編碼信息，將全息圖刻人光盤表面以及內部，大大提高數(shù)據(jù)存儲能力。在存儲壽命極限方面，當前酚性記錄存儲技術大約為10年，膠卷拍攝的照片大約能夠保存60年，提高信息儲存時間一直是科學家們努力的方向，能永久保存數(shù)據(jù)的存儲器問世有可能徹底解決此問題。2009年5月，美國加利福尼亞大學伯克利分校的科學家開發(fā)出了一種技術，將只有幾十億分之一米寬的鐵單晶放人一個空的納米管的內部，發(fā)現(xiàn)在碳納米管內部移動的鐵晶體能夠永久地保存計算機數(shù)據(jù)。

編輯推薦

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