模擬電子技術(shù)

出版時(shí)間:2008-7  出版社:科學(xué)出版社  作者:邱麗芳 主編  頁(yè)數(shù):169  

內(nèi)容概要

全書共8章,主要介紹了:半導(dǎo)體器件的基本原理及使用方法;基本放大電路的組成、工作狀態(tài)及性能指標(biāo);功率放大電路的分類、特點(diǎn)及應(yīng)用;差動(dòng)放大電路和集成運(yùn)算放大器的組成及性能指標(biāo);負(fù)反饋放大電路的分類及應(yīng)用舉例;集成運(yùn)算放大器的線性與非線性應(yīng)用;波形產(chǎn)生電路;直流穩(wěn)壓電源。本書涵蓋了模擬電子技術(shù)的全部?jī)?nèi)容,各章配有小結(jié)及習(xí)題。全書以培養(yǎng)學(xué)生技術(shù)應(yīng)用能力為主線,體現(xiàn)高職高專特色;在內(nèi)容組織和編寫安排上有難有易,深入淺出,通俗易懂。    本書為高等職業(yè)教育“十一五”規(guī)劃教材,可作為高等職業(yè)院校、高等??茖W(xué)校、成人高等學(xué)校以及本科院校舉辦的二級(jí)職業(yè)技術(shù)學(xué)院的電氣、電子、通信、計(jì)算機(jī)、自動(dòng)化和機(jī)電等專業(yè)的“模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)”、“電子技術(shù)基礎(chǔ)”(模擬部分)課程的教材,也可供從事電子技術(shù)方面的工程技術(shù)人員參考。

書籍目錄

前言第1章  半導(dǎo)體元件基礎(chǔ)  1.1  半導(dǎo)體常識(shí)    1.1.1  本征半導(dǎo)體    1.1.2  雜質(zhì)半導(dǎo)體    1.1.3  PN結(jié)及其單向?qū)щ娦? 1.2  二極管    1.2.1  極管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)    1.2.2  二極管的伏安特性及主要參數(shù)    1.2.3  極管的測(cè)試    1.2.4  極管應(yīng)用電路舉例    1.2.5  特殊二極管  1.3  半導(dǎo)體三極管    1.3.1  三極管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)    1.3.2  三極管的電流分配原則及放大作用    1.3.3  三極管的特性曲線及主要參數(shù)    1.3.4  三極管的檢測(cè)    1.3.5  特殊三極管  1.4  場(chǎng)效應(yīng)管    1.4.1  結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管    1.4.2  絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管    1.4.3  各種場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)、電壓極性及特性曲線    1.4.4  場(chǎng)效應(yīng)管的性能特點(diǎn)及檢測(cè)與選用  小結(jié)  習(xí)題第2章  交流小信號(hào)放大器  2.1  放大器的基本組成    2.1.1  各元件的作用    2.1.2  電壓、電流等符號(hào)的規(guī)定    2.1.3  放大電路實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的實(shí)質(zhì)    2.1.4  基本放大電路的組成原則    2.1.5  放大電路的主要性能指標(biāo)  2.2  圖解分析法    2.2.1  靜態(tài)工作點(diǎn)Q    2.2.2  交流負(fù)載線    2.2.3  動(dòng)態(tài)工作范圍    2.2.4  非線性失真  2.3  微變等效電路    2.3.1  三極管微變等效電路模型    2.3.2  共射放大器微變等效電路  2.4  靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定措施    2.4.1  溫度變化對(duì)Q點(diǎn)的影響    2.4.2  分壓式偏置放大器  2.5  放大器三種組態(tài)    2.5.1  共集放大器    2.5.2  共基放大器    2.5.3  三種組態(tài)的性能比較  2.6  場(chǎng)效應(yīng)管放大器    2.6.1  場(chǎng)效應(yīng)管微變等效電路    2.6.2  自偏壓電路的動(dòng)態(tài)分析    2.6.3  分壓式自偏壓電路    2.6.4  共漏極放大電路  2.7  多級(jí)放大器    2.7.1  多級(jí)放大器的耦合方式    2.7.2  三個(gè)動(dòng)態(tài)性能指標(biāo)  2.8  復(fù)合管    2.8.1  復(fù)合管的結(jié)構(gòu)    2.8.2  復(fù)合管的特點(diǎn)  2.9  頻率響應(yīng)特性    2.9.1  單級(jí)頻率響應(yīng)特性    2.9.2  多級(jí)頻響特性曲線  小結(jié)  習(xí)題第3章  功率放大器  3.1  功放的特點(diǎn)和分類    3.1.1  功放主要性能指標(biāo)的要求    3.1.2  功放工作狀態(tài)的分類  3.2  OCL功放    3.2.1  乙類互補(bǔ)對(duì)稱電路的組成    3.2.2  性能指標(biāo)估算    3.2.3  功放管選取原則第4章  差動(dòng)放大器第5章  負(fù)反饋放大器第6章  集成運(yùn)放的應(yīng)用第7章  信號(hào)發(fā)生器第8章  穩(wěn)壓電源附錄1  半導(dǎo)體器件型號(hào)組成部分的符號(hào)及其意義附錄2  硅半導(dǎo)體器整流二極管選錄附錄3  國(guó)產(chǎn)某些硅穩(wěn)壓管的主要參數(shù)附錄4  國(guó)產(chǎn)某些半導(dǎo)體三極管的主要參數(shù)附錄5  部分國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)附錄6  各種集成運(yùn)算放大器參數(shù)表附錄7  集成功放型號(hào)速查表附錄8  W78XX系列三端穩(wěn)壓器性能參數(shù)部分習(xí)題答案參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

  第1章 半導(dǎo)體元件基礎(chǔ)  1.1 半導(dǎo)體常識(shí)  自然界中的物質(zhì),按其導(dǎo)電能力可分為三大類:導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體,其主要制造材料是硅(Si)、鍺(Ge)或砷化鎵(GaAs)等?! “雽?dǎo)體具有熱敏性、光敏性和摻雜性的特點(diǎn),即受光照和熱激發(fā)便能增強(qiáng)導(dǎo)電能力,摻人微量的三價(jià)或五價(jià)元素(雜質(zhì))能顯著增強(qiáng)導(dǎo)電能力。  1.1.1本征半導(dǎo)體  完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體材料稱為本征半導(dǎo)體。純凈的硅和鍺都是四價(jià)元素,其原子核最外層電子數(shù)為4個(gè)(價(jià)電子)。在單結(jié)晶結(jié)構(gòu)中,由于原子排列的有序性,價(jià)電子為相鄰的原子所共有?! ?.本征半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)及共價(jià)鍵  共價(jià)鍵內(nèi)的兩個(gè)電子由相鄰的原子各用一個(gè)價(jià)電子組成,稱為束縛電子。  2.本征激發(fā)和兩種載流子——自由電子和空穴  在室溫和光照下,少數(shù)價(jià)電子獲得足夠的能量擺脫共價(jià)鍵的束縛成為自由電子。束縛電子脫離共價(jià)鍵成為自由電子后,在原來(lái)的位置留出一個(gè)空位,稱此空位為空穴。溫度升高,半導(dǎo)體材料中產(chǎn)生的自由電子便增多。本征半導(dǎo)體中,自由電子和空穴成對(duì)出現(xiàn),數(shù)目相同?! 】昭ǔ霈F(xiàn)以后,鄰近的束縛電子可能獲取足夠的能量來(lái)填補(bǔ)這個(gè)空穴,而在這個(gè)束縛電子的位置又出現(xiàn)一個(gè)新的空位,另一個(gè)束縛電子又會(huì)填補(bǔ)這個(gè)新的空位,這樣就形成束縛電子填補(bǔ)空穴的運(yùn)動(dòng)。  ……

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