半導(dǎo)體器件新工藝

內(nèi)容概要

　　本書為“表面組裝與貼片式元器件技術(shù)”叢書之一。本書主要介紹了單晶硅圓片的加工技術(shù)，大規(guī)模集成電路的設(shè)計(jì)制版、芯片加工與封裝檢驗(yàn)技術(shù)，多種類型的半導(dǎo)體材料與器件的應(yīng)用，及其未來(lái)的展望等內(nèi)容。本書在內(nèi)容上，力圖盡可能地向讀者傳遞國(guó)際上先進(jìn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)方面的前沿知識(shí)，避免冗長(zhǎng)的理論探討，體現(xiàn)了本書的實(shí)用性?！　”緯梢宰鳛殡娮与娐贰⑽㈦娮?、半導(dǎo)體材料與器件、電子科學(xué)與技術(shù)等領(lǐng)域的工程技術(shù)人員以及科研單位研究人員的參考資料，也可以作為工科院校相關(guān)專業(yè)師生的參考用書。

書籍目錄

第1章　概述　1.1　半導(dǎo)體器件的發(fā)展史　1.2　半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)　　1.2.1　本征半導(dǎo)體的電阻率較高　　1.2.2　利用摻雜的方法降低半導(dǎo)體的電阻率　　1.2.3　半導(dǎo)體的電阻率隨著溫度升高而迅速下降　　1.2.4　半導(dǎo)體的電阻率隨著光照度的增加而下降　　1.2.5　半導(dǎo)體材料的光生伏特效應(yīng)　　1.2.6　半導(dǎo)體材料具有場(chǎng)致發(fā)光效應(yīng)　　1.2.7　不同類型半導(dǎo)體材料之間的帕爾帖效應(yīng)　　1.2.8　半導(dǎo)體材料其他可供利用的效應(yīng)　　1.2.9　半導(dǎo)體材料可以制作成集成電路　1.3　大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀第2章　單晶硅圓片　2.1　高純度硅材料的制備　2.2　單晶硅錠的加工　　2.2.1　單晶硅圓片的工藝流程及制作方法　　2.2.2　用提拉法制作單晶硅錠的過(guò)程　2.3　單晶硅圓片的加工　　2.3.1　單晶硅的切片工藝　　2.3.2　單晶硅片的倒角加工　　2.3.3　單晶硅片的機(jī)械研磨　　2.3.4　單晶硅片的化學(xué)研磨　　2.3.5　單晶硅片的退火　　2.3.6　單晶硅片的鏡面研磨　　2.3.7　單晶硅片的清洗　　2.3.8　單晶硅片的檢查與包裝　　2.3.9　單晶硅片的外延生長(zhǎng)　　2.3.10　絕緣層上的單晶硅圓片SOI第3章　大規(guī)模集成電路的設(shè)計(jì)與制版　3.1　大規(guī)模集成電路的一般知識(shí)　　3.1.1　集成電路的發(fā)明　　3.1.2　集成電路的集成度分類法　　3.1.3　大規(guī)模集成電路的功能分類法　　3.1.4　大規(guī)模集成電路的工作原理分類法　　3.1.5　大規(guī)模集成電路的主要制造工藝　3.2　大規(guī)模集成電路的設(shè)計(jì)　　3.2.1　大規(guī)模集成電路的設(shè)計(jì)綜述　　3.2.2　電子電路設(shè)計(jì)　　3.2.3　圖版設(shè)計(jì)與原圖工藝　3.3　大規(guī)模集成電路的制版工藝　　3.3.1　制版工藝綜述　　3.3.2　玻璃基板的選擇與加工處理　　3.3.3　鍍膜　　3.3.4　涂布感光膠　　3.3.5　描圖曝光　　3.3.6　堅(jiān)膜　　3.3.7　顯影　　3.3.8　腐蝕　　3.3.9　圖版檢查、修正與覆蓋保護(hù)膜　　3.3.10　相位移光掩模與光學(xué)仿真矯正光掩模第4章　大規(guī)模集成電路的芯片加工　4.1　芯片加工工藝流程　　4.1.1　芯片加工工藝綜述　　4.1.2　芯片加工的主要工藝　　4.1.3　大規(guī)模集成電路的芯片加工工藝流程　　4.1.4　超凈工作室　4.2　不同性質(zhì)的加工工藝　　4.2.1　清洗　　4.2.2　氧化　　4.2.3　化學(xué)氣相沉積　　4.2.4　光刻　　4.2.5　干式腐蝕　　4.2.6　離子注入　　4.2.7　退火　　4.2.8　濺射　　4.2.9　化學(xué)機(jī)械研磨　　4.2.10　階段性工藝檢查　4.3　不同加工對(duì)象的加工工藝　　4.3.1　不同加工對(duì)象的加工工藝概述　　4.3.2　形成隔離區(qū)　　4.3.3　形成阱　　4.3.4　形成晶體管　　4.3.5　形成位線　　4.3.6　形成電容器　　4.3.7　形成互連線第5章　大規(guī)模集成電路的封裝與檢驗(yàn)　5.1　集成電路封裝概述　　5.1.1　集成電路封裝形式的發(fā)展　　5.1.2　雙列直插封裝DIP　　　5.1.3　方形扁平封裝QFP　　5.1.4　球柵陣列封裝BGA　　5.1.5　芯片尺寸封裝CsP　　5.1.6　多芯片封裝模塊MCM　5.2　大規(guī)模集成電路的封裝工藝　　5.2.1　大規(guī)模集成電路封裝工藝的流程　　5.2.2　單晶硅圓片背面研磨　　5.2.3　劃片　　5.2.4　將芯片固定在基座上　　5.2.5　焊接引線　　5.2.6　塑料封裝　　5.2.7　引腳表面鍍層處理　　5.2.8　引腳切斷、成型、打印標(biāo)志　5.3　大規(guī)模集成電路封裝的檢驗(yàn)　　5.3.1　電子元器件的失效曲線　　5.3.2　老化　　5.3.3　條件循環(huán)試驗(yàn)第6章　多種類型的半導(dǎo)體材料　6.1　元素半導(dǎo)體　6.2　化合物半導(dǎo)體　　6.2.1　化合物半導(dǎo)體的分類　　6.2.2　砷化鎵　　6.2.3　其他Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體　　6.2.4?、?Ⅵ族化合物半導(dǎo)體　　6.2.5?、?Ⅳ族與Ⅳ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體　6.3　非晶半導(dǎo)體　　6.3.1　非晶半導(dǎo)體是原子排列不規(guī)則的半導(dǎo)體　　6.3.2　發(fā)展初期的非晶半導(dǎo)體　　6.3.3　非晶半導(dǎo)體研究中的難題　　6.3.4　新的學(xué)科門類——固體化學(xué)　　6.3.5　非晶半導(dǎo)體的種類　　6.3.6　非晶半導(dǎo)體的特點(diǎn)　　6.3.7　非晶半導(dǎo)體的應(yīng)用　6.4　固溶體半導(dǎo)體　　6.4.1　含砷鎵的固溶體半導(dǎo)體　　6.4.2　含碲的固溶體半導(dǎo)體　　6.4.3　含碲鉍的固溶體半導(dǎo)體　　6.4.4　多元化固溶體半導(dǎo)體的研發(fā)方向　6.5　半導(dǎo)體陶瓷　　6.5.1　半導(dǎo)體陶瓷的共性　　6.5.2　高溫還原氣氛造成的陶瓷半導(dǎo)體化　　6.5.3　不同化合價(jià)的元素置換造成陶瓷半導(dǎo)體化　　6.5.4　正溫度系數(shù)熱敏電阻陶瓷　　6.5.5　負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻陶瓷　　6.5.6　臨界值熱敏電阻陶瓷　　6.5.7　壓敏電阻陶瓷　　6.5.8　氣敏電阻陶瓷　　6.5.9　濕敏電阻陶瓷　　6.5.10　多功能半導(dǎo)體陶瓷　6.6　有機(jī)半導(dǎo)體　　6.6.1　有機(jī)半導(dǎo)體的現(xiàn)狀與分類　　6.6.2　共軛雙鍵有機(jī)化合物半導(dǎo)體　　6.6.3　電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物　　6.6.4　高分子有機(jī)化合物　6.7　超晶格半導(dǎo)體第7章　半導(dǎo)體材料與器件的未來(lái)展望　7.1　摩爾定律　　7.1.1　硅集成電路發(fā)展過(guò)程中所遵循的摩爾定律　　7.1.2　摩爾定律將會(huì)失靈　　7.1.3　摻雜均勻性對(duì)摩爾定律的限制　　7.1.4　集成電路的功耗密度對(duì)摩爾定律的限制　　7.1.5　光刻技術(shù)對(duì)摩爾定律的限制　　7.1.6　互連線對(duì)摩爾定律的限制　7.2　半導(dǎo)體器件的深入發(fā)展　　7.2.1　發(fā)展砷化鎵和磷化銦單晶材料　　7.2.2　開(kāi)發(fā)寬帶隙半導(dǎo)體材料　　7.2.3　開(kāi)發(fā)低維半導(dǎo)體材料　　7.2.4　未來(lái)展望參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

　　第1章　概述　　半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)晚于導(dǎo)體與絕緣體，其導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間，因而將其稱之為半導(dǎo)體，也曾經(jīng)有人將其稱之為半絕緣體。目前對(duì)半導(dǎo)體最常見(jiàn)的理解是，半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的非離子性導(dǎo)電物質(zhì)，這類物質(zhì)一般為固體。從電學(xué)的角度來(lái)看，世界上的任何物質(zhì)都可以按超導(dǎo)體、導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體進(jìn)行區(qū)分，如果進(jìn)一步地將它們進(jìn)行量化區(qū)分，則如圖1.1所示。

編輯推薦

　　“表面組裝與貼片式元器件技術(shù)”叢書采用圖文并茂的圖解方式，其目的就是要讓讀者在沒(méi)有條件一一目睹和體驗(yàn)各類表面組裝實(shí)物以及各種貼片式電子元器件的情況下，通過(guò)圖（有些是照片）文對(duì)照的方式，更好地理解與應(yīng)用本叢書傳遞的知識(shí)與信息。 本書主要介紹了單晶硅圓片的加工技術(shù)，大規(guī)模集成電路的設(shè)計(jì)制版、芯片加工與封裝檢驗(yàn)技術(shù)，多種類型的半導(dǎo)體材料與器件的應(yīng)用，及其未來(lái)的展望等內(nèi)容。

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