出版時(shí)間:2008-3 出版社:科學(xué) 作者:Michelmardiguia 頁數(shù):260 譯者:陳愛新
內(nèi)容概要
本書是一部關(guān)于電磁兼容(輻射發(fā)射控制)設(shè)計(jì)的經(jīng)典著作。全書共分13章,主要內(nèi)容包括:輻射干擾概論、簡單電路的電場和磁場、非正弦波源的輻射聲、設(shè)計(jì)低輻射產(chǎn)品的基本策略、芯片和集成電路級(jí)輻射發(fā)射控制、印制電路板設(shè)計(jì)、母板和背板的發(fā)射控制、控制開關(guān)電源的輻射場、通過內(nèi)部布線和封裝減小輻射電磁干擾、機(jī)箱屏蔽、控制外部線纜的輻射、主要輻射發(fā)射規(guī)范和測試方法、輻射電磁干擾問題排故。 本書的重點(diǎn)不在基礎(chǔ)論上,而是側(cè)重于實(shí)際應(yīng)用。近200幅圖表以及大量的工程實(shí)例便于讀者更加形像地理解本書所講述的知識(shí),并針對(duì)在工程設(shè)計(jì)中所遇到的問題給出了正確有效的解決方案。 本書可供從事電磁兼容設(shè)計(jì)的科研人員、工程技術(shù)人員、教師和研究生參考,也可作為相關(guān)專業(yè)研究生的教材。
書籍目錄
第1章 輻射干擾概論 1.1 輻射EMI問題 1.2 輻射EMI的基本知識(shí) 1.3 EMI術(shù)語和單位 1.4 美國和世界其他國家應(yīng)對(duì)輻射EMI的措施和標(biāo)準(zhǔn) 1.4.1 世界民用標(biāo)準(zhǔn) 1.4.2 FCC發(fā)射標(biāo)準(zhǔn) 1.4.3 相互認(rèn)可協(xié)議(MRA:Mutual Recognition Agreement) 1.4.4 其他美國政府標(biāo)準(zhǔn)(非軍方) 1.4.5 軍方發(fā)射標(biāo)準(zhǔn) 1.5 系統(tǒng)內(nèi)和系統(tǒng)間EMI第2章 簡單電路的電場和磁場 2.1 環(huán)路的輻射場 2.2 直導(dǎo)線的輻射場 2.3 推廣至實(shí)際真實(shí)電路 2.4 簡單電路的差模輻射 2.5 外部線纜的共模輻射 2.5.1 怎樣估計(jì)線纜上的CM電流 2.5.2 輻射幾何結(jié)構(gòu)的正確近似 2.5.3 長線輻射 第3章 非正弦波源的輻射場 3.1 周期脈沖的頻譜和輻射 3.2 寬帶源的頻譜和輻射 3.3 隨機(jī)與周期頻譜 3.4 某些頻譜的特殊性 3.4.1 窄帶隨機(jī)信號(hào) 3.4.2 重復(fù)符號(hào)增強(qiáng)電磁干擾(EMI)輻射 3.4.3 展布頻譜時(shí)鐘(SSC)減小EMI 3.4.4 占空比不為0.5時(shí)的偶次與奇次諧波 第4章 設(shè)計(jì)低輻射產(chǎn)品的基本策略 4.1 影響EMI控制的基本系統(tǒng)決策 4.2 輻射發(fā)射減縮的設(shè)計(jì)控制區(qū)域 4.3 輻射EMI控制的設(shè)計(jì)關(guān)鍵點(diǎn) 4.4 常駐軟件對(duì)輻射EMI的影響 第5章 芯片和集成電路級(jí)輻射發(fā)射控制 5.1 邏輯系列 5.2 理想旁路電容的計(jì)算 5.3 IC地彈反射共模的產(chǎn)生 5.4 減小IC自身產(chǎn)生的EMI 5.4.1 微處理器的EMI控制 5.4.2 時(shí)鐘振蕩器的EMI影響 5.4.3 IC發(fā)射測量的標(biāo)準(zhǔn)方法 5.5 IC封裝的影響 5.6 IC級(jí)屏蔽 5.7 芯片和IC級(jí)輻射控制小結(jié) 第6章 印制電路板設(shè)計(jì) 6.1 電路板分區(qū) 6.2 導(dǎo)體的自感 6.3 單層板 6.3.1 電源分布去耦 6.3.2 平行旁路電容的問題 6.3.3 卡式電源輸入去耦 6.3.4 Vcc和地的布線(單層板) 6.3.5 地平面和地面積需求(單層板) 6.3.6 走線到外殼的寄生去耦 6.3.7 時(shí)鐘線 6.4 多層板 6.4.1 多層堆疊 6.4.2 多層板需要的去耦電容 6.4.3 穿孔平面:瑞士乳酪綜合征 6.4.4 適當(dāng)?shù)牟劭p 6.4.5 高速走線的布置 6.4.6 模擬數(shù)字混合 6.4.7 薄箔PCB 6.5 串?dāng)_ 6.5.1 容性串?dāng)_ 6.5.2 磁性串?dāng)_ 6.6 阻抗匹配 6.7 卡式連接器的管腳分配 6.7.1 串?dāng)_ 6.7.2 特性阻抗和失配 6.7.3 連接阻抗 6.8 0V參考接地至外殼 6.9 用于PCB設(shè)計(jì)的EMC軟件工具 6.10 PCB級(jí)輻射控制小結(jié)第7章 母板和背板的發(fā)射控制 7.1 繞線背板 7.2 帶有Vcc和地平面的單層或多層母板 7.3 串?dāng)_和阻抗匹配 7.3.1 串?dāng)_ 7.3.2 阻抗匹配 7.4 背板接口處的連接器區(qū)域 7.5 連接器區(qū)域增加的輻射 第8章 控制開關(guān)電源的輻射場 8.1 基本輻射源 8.2 實(shí)際電流波形影響 8.3 封裝與電路布局 8.3.1 變壓器和扼流圈的磁泄漏 8.3.2 供電PC板 8.3.3 次級(jí)環(huán)路 8.3.4 機(jī)電封裝 8.4 屏蔽電源模塊 8.5 電源濾波器對(duì)輻射EMI的影響 第9章 通過內(nèi)部布線和封裝減小輻射EMI 9.1 卡一卡及背板互連 9.2 內(nèi)部同軸和屏蔽線纜 9.3 某些隱蔽的輻射天線 9.4 參考地和相應(yīng)的環(huán)路的內(nèi)部連接 9.5 I/O連接器區(qū)域 9.6 其他的輻射EMI源 第10章 機(jī)箱屏蔽 10.1 如何確定機(jī)箱衰減要求 10.2 材料的屏蔽效能 10.3 導(dǎo)電塑料的屏蔽效能 10.4 場衰減槽形孔縫 10.5 改變理想的“墻洞”模型 10.5.1 源接近孔縫對(duì)泄漏的影響 10.5.2 機(jī)箱的固有諧振效應(yīng) 10.6 減少泄漏和孔縫處理的方法 10.6.1 接合面板和蓋的接縫 10.6.2 冷卻孔縫的屏蔽 10.6.3 部件孔洞的屏蔽 10.6.4 線纜入口、連接器及非導(dǎo)電穿孔的屏蔽 10.6.5 線纜穿孔附近的機(jī)箱泄漏的不利影響 10.7 特殊屏蔽處理的設(shè)備機(jī)殼 10.8 應(yīng)用實(shí)例:給定SE目標(biāo)值的機(jī)箱設(shè)計(jì) 10.9 用于大批量生產(chǎn)的消費(fèi)產(chǎn)品的屏蔽組件 10.10 機(jī)箱屏蔽輻射控制小結(jié) 第11章 控制外部線纜的輻射 11.1 平衡接口的優(yōu)點(diǎn) 11.2 線路平衡器件 11.2.1 信號(hào)隔離變壓器 11.2.2 縱向非隔離變壓器 11.3 通過加裝鐵氧體減小CM輻射 11.4 采用絞合減小DM輻射 11.5 通過屏蔽減小線纜輻射 11.5.1 同軸電纜的輻射場 11.5.2 屏蔽對(duì)或多芯屏蔽線纜的輻射場 11.5.3 屏蔽扁平電纜 11.5.4 屏蔽連接的重要性 11.5.5 由SE目標(biāo)設(shè)定Zt 11.6 關(guān)于屏蔽與非屏蔽雙絞線的討論 11.7 采用光纖消除電纜輻射 第12章 主要輻射發(fā)射規(guī)范和測試方法 12.1 MIL-STD 461-C,D和462 12.2 CISPR國際限制標(biāo)準(zhǔn)、測試儀器和方法 12.3 FCC第15部分的子部分B 12.4 歐洲標(biāo)準(zhǔn)(EN)55022 12.5 德國VDE 871 12.6 EN 55014/CISPR 14 12.7 日本非官方干擾控制委員會(huì)(VCCI) 12.8 FCC第18部分 12.9 CISPR 25:汽車電子 12.10 RTCA/DO-160 第13章 輻射EMI問題排故 13.1 符合規(guī)范的線纜輻射與機(jī)箱輻射 13.2 產(chǎn)品不能通過輻射發(fā)射測試時(shí)的策略:確定dB減縮量 13.3 I/O線纜CM電流(VHF頻段)的輻射RFI電平的近似附錄A 修正的偶極子模型 附錄B 一些支持簡化輻射模型的驗(yàn)證結(jié)果附錄C PCB走線的電感和電容 附錄D 幾個(gè)由SPICE、MicroCap或類似仿真工具建立的元件模型的等效電路參考文獻(xiàn)
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