半導(dǎo)體的檢測(cè)與分析

內(nèi)容概要

本書的內(nèi)容與1984年第一版的內(nèi)容完全不同。本書介紹補(bǔ)充了這二十年來半導(dǎo)體科研、生產(chǎn)中最常用的各種檢測(cè)、分析方法和原理。全書共分7章，包括引論，半導(dǎo)體的高分辨X射線衍射，光學(xué)檢測(cè)與分析，表面、薄膜成分分析，掃描探針顯微學(xué)在半導(dǎo)體中的運(yùn)用，透射電子顯微學(xué)及其在半導(dǎo)體中的應(yīng)用和半導(dǎo)體深中心的表征。書中根據(jù)實(shí)踐列舉了一些實(shí)例，同時(shí)附有大量參考文獻(xiàn)和常用的數(shù)據(jù)，以便讀者進(jìn)一步參考和應(yīng)用。  　本書可供從事半導(dǎo)體科研和生產(chǎn)的科研人員，大專院校老師和研究生使用。

書籍目錄

前言第1章 引論　1.1 科學(xué)內(nèi)容　1.2 實(shí)驗(yàn)技術(shù)　1.3 展望　參考文獻(xiàn)第2章 半導(dǎo)體晶體的高分辨X射線衍射　2.1 引言　2.2 半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)與結(jié)構(gòu)缺陷　2.3 X射線平面波的衍射　2.4 高分辨X射線衍射的限束　2.5 異質(zhì)外延多層膜的X射線雙晶衍射　2.6 三軸衍射　2.7 晶格參數(shù)的精確測(cè)量　2.8 鑲嵌結(jié)構(gòu)的測(cè)量　2.9 鏡面反射與面內(nèi)掠入射　參考文獻(xiàn)　附錄第3章 光學(xué)性質(zhì)檢測(cè)分析　3.1 引言　3.2 半導(dǎo)體光致發(fā)光　3.3 半導(dǎo)體的陰極熒光　3.4 吸引光譜及其相關(guān)的薄膜光譜測(cè)量方法　3.5 拉曼散射　參考文獻(xiàn)第4章 表面和薄膜成分分析　4.1 引言　4.2 俄歇電子能譜　4.3 X射線光電子譜　4.4 二次離子質(zhì)譜  4.5 盧瑟福背散射  參考文獻(xiàn)  附錄第5章 掃描探針顯微學(xué)在半導(dǎo)體中的運(yùn)用　5.1 引言　5.2 掃描隧道顯微鏡的基本原理　5.3 用STM分析表面結(jié)構(gòu)　5.4 掃描隧道譜　5.5 彈道電子發(fā)射顯微鏡　5.6 原子力顯微鏡　5.7 原子力顯微鏡用于表面分析　5.8 掃描電容顯微鏡　5.9 靜電力顯微鏡　5.10 磁力顯微鏡　5.11 掃描近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡　5.12 原子操縱與納米加工　參考文獻(xiàn)第6章 透射電子顯微學(xué)及其在半導(dǎo)體研究　6.1 引言　6.2 透射電子顯微鏡的基本構(gòu)造及工作原理　6.3 顯微像襯度　6.4 其他技術(shù)　6.5 應(yīng)用實(shí)例　6.6 結(jié)語　參考文獻(xiàn)　附錄第7章 半導(dǎo)體深中心的表征  7.1 深能級(jí)瞬態(tài)譜技術(shù)  參考文獻(xiàn)  7.2 熱激電流  參考文獻(xiàn)

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無

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