低溫多晶硅

內(nèi)容概要

LTPS是新一代薄膜晶體管液晶顯示器（TFT-LCD）的制造工藝，與傳統(tǒng)的非晶硅顯示器最大差異在于LTPS反應(yīng)速度較快，且有高亮度、高清晰度等優(yōu)點(diǎn)。    本書共分三部分，第1部分介紹LTPS結(jié)構(gòu)，第2部分介紹低溫多晶硅技術(shù)開發(fā)與現(xiàn)狀，第3部分介紹新一代顯示技術(shù)開發(fā)。本書以簡(jiǎn)明易懂的語(yǔ)言將低溫多晶硅特性與結(jié)構(gòu)及應(yīng)用完整地呈現(xiàn)在讀者面前，內(nèi)容包括低溫多晶硅的特性與結(jié)構(gòu)，低溫多晶硅的可靠性，LTPS氧化層技術(shù)，LTPS多晶硅成膜技術(shù)，LTPS離子注入技術(shù)，低溫多晶硅面板開發(fā)現(xiàn)況，低功耗顯示技術(shù)，有源有機(jī)電致發(fā)光顯示技術(shù)等。    本書可作為相關(guān)專業(yè)領(lǐng)域的研究開發(fā)人員、技術(shù)人員的參考用書，亦可供大學(xué)相關(guān)專業(yè)高年級(jí)學(xué)生及研究生參考。

書籍目錄

第1章 緒論——低溫多晶硅的時(shí)代　1.1 概述　1.2 平面顯示器的分類　1.3 低溫多晶硅開發(fā)歷史　1.4 低溫多晶硅的優(yōu)勢(shì)　　1.4.1 高清晰度與高開口率　　1.4.2 電磁干擾　　1.4.3 周邊驅(qū)動(dòng)IC　　1.4.4 低功率消耗　　1.4.5 窄框化與高集成度第2章 低溫多晶硅特性與結(jié)構(gòu)　2.1 概述　2.2 LTPS薄膜晶體管的特性　　2.2.1 特性曲線　　2.2.2 等效載流子遷移率　　2.2.3 閾值電壓　　2.2.4 亞閾值擺幅　　2.2.5 漏電流　2.3 低溫多晶硅像素的結(jié)構(gòu)　　2.3.1 八次光刻的倒柵工藝流程　　2.3.2 九次光刻的頂柵工藝流程　　2.3.3 五次光刻的頂柵工藝流程　　2.3.4 內(nèi)建電路架構(gòu)第3章 低溫多晶硅的可靠性　3.1 概述　3.2 LTPS器件可靠性　　3.2.1 熱載流子效應(yīng)　　3.2.2 動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試　　3.2.3 短溝道效應(yīng)　　3.2.4 窄溝道效應(yīng)　　3.2.5 駝峰效應(yīng)　　3.2.6 扭曲效應(yīng)　　3.2.7 自發(fā)熱效應(yīng)　　3.2.8 低頻噪聲特性　　3.2.9 輻射效應(yīng)　3.3 LTPS陣列可靠性　　3.3.1 靜電泄放傷害　　3.3.2 環(huán)境與工藝過(guò)程中的ESD防護(hù)　　3.3.3 陣列與內(nèi)建電路的防護(hù)　3.4 陣列測(cè)試　　3.4.1 接觸式測(cè)試　　3.4.2 非接觸式測(cè)試　　3.4.3 陣列修補(bǔ)第4章 LTPS氧化層技術(shù)　4.1 概述　4.2 玻璃基板　　4.2.1 玻璃種類　　4.2.2 玻璃特性　4.3 緩沖層　4.4 柵絕緣層　　4.4.1 氧化硅層　　4.4.2 氮化硅層　　4.4.3 其他柵氧化層　　4.4.4 表面粗糙度　　4.4.5 清洗技術(shù)　4.5 層間絕緣層　　4.5.1 上部透明導(dǎo)電電極結(jié)構(gòu)　　4.5.2 平坦化工藝　　4.5.3 氫化工藝第5章 LTPS多晶硅成膜技術(shù)……第6章 LTPS離子注入技術(shù)第7章 低溫多晶硅面板開發(fā)現(xiàn)況第8章 低功耗顯示技術(shù)第9章 大面積低溫多晶硅的挑戰(zhàn)第10章 有源有機(jī)電致發(fā)光顯示技術(shù)第11章 可彎曲低溫多晶硅顯示技術(shù)第12章 低溫多晶硅的未來(lái)附錄 半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)（SEMI）標(biāo)準(zhǔn)

編輯推薦

《低溫多晶硅(LTPS)顯示技術(shù)》可作為相關(guān)專業(yè)領(lǐng)域的研究開發(fā)人員、技術(shù)人員的參考用書，亦可供大學(xué)相關(guān)專業(yè)高年級(jí)學(xué)生及研究生參考。

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