半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)物理

內(nèi)容概要

本書總結(jié)了國內(nèi)外半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)方面的研究成果，系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的基本物理原理和特性。全書共分10章，內(nèi)容包括半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)材料特性，能帶圖，伏安特性，異質(zhì)結(jié)晶體管，二維電子氣及調(diào)制摻雜器件，異質(zhì)結(jié)結(jié)中非平衡載流子特性、半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)激光器、半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的光電特性、氮化鎵異質(zhì)結(jié)、超晶格和多量子阱。    本書可供已學(xué)過半導(dǎo)體物理的高年級本科生、研究生及相關(guān)人員閱讀。

書籍目錄

第二版前言第一版前言第1章 序言   參考文獻第2章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的組成與生長 　2.1 材料的一般特性 　　2.1.1 晶格結(jié)構(gòu) 　　2.1.2 能帶結(jié)構(gòu) 　　2.1.3 有效質(zhì)量和等效態(tài)密度 　2.2 異質(zhì)結(jié)界面的晶格失配 　2.3 異質(zhì)結(jié)的生長 　　2.3.1 液相外延法(LPE) 　　2.3.2 金屬有機化學(xué)氣相沉積法(M0cvD) 　　2.3.3 分子束外延(MBE) 　思考題 　參考文獻第3章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的能帶圖 　3.1 理想突變異質(zhì)結(jié)的能帶圖 　　3.1.1 異型異質(zhì)結(jié)——Anderson模型 　　3.1.2 同型異質(zhì)結(jié) 　　3.1.3 對pN異質(zhì)結(jié)的修正 　3.2 異質(zhì)結(jié)的能帶帶階 　　3.2.1 Anderson定則及有關(guān)爭議 　　3.2.2 測量能帶帶階的方法 　3.3 有界面態(tài)的突變異質(zhì)結(jié)能帶圖 　　3.3.1 界面態(tài)密度較小 　　3.3.2 界面態(tài)密度較大 　　3.3.3 界面態(tài)密度很大 　3.4 漸變異質(zhì)結(jié)的能帶圖 　思考題 　參考文獻第4章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的伏安特性和異質(zhì)結(jié)晶體管 　4.1 異質(zhì)結(jié)的注入比 　4.2 異質(zhì)結(jié)中的超注入現(xiàn)象 　4.3 理想突變異質(zhì)結(jié)的伏安特性 　　4.3.1 pN異質(zhì)結(jié) 　　4.3.2 nN異質(zhì)結(jié) 　4.4 有界面態(tài)的異質(zhì)結(jié)的伏安特性 　　4.4.1 熱電子發(fā)射和多階隧道的并聯(lián)模型 　　4.4.2 界面能級的電離對伏安特性的影響 　　4.4.3 空間電荷區(qū)的復(fù)合電流 　　4.4.4 完全經(jīng)由界面態(tài)的復(fù)合電流 　　4.4.5 表面復(fù)合對伏安特性的影響 　4.5 伏安特性的微商研究法 　4.6 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 　　4.6.1 理論分析 　　4.6.2 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制備 　4.7 GezSi-x／Si異質(zhì)結(jié)器件 　　4.7.1 GexSi-／Si異質(zhì)結(jié)的基本特性 　　4.7.2 遷移率和輸運特性 　　4.7.3 GexSi-x／Si雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管 　思考題 　參考文獻第5章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的二維電子氣及調(diào)制摻雜器件 　5.1 方形勢阱中粒子運動的特性 　　5.1.1 一維方形勢阱 　　5.1.2 方形溝道勢阱中的粒子 　5.2 異質(zhì)結(jié)量子勢阱中的二維電子氣 　　5.2.1 方形勢阱的簡單分析　　5.2.2 異質(zhì)結(jié)界面的量子阱 　　5.2.3 勢阱中的面電子密度 　　5.2.4 界面組分漸變對勢阱的影響 　5.3 二維電子氣的輸運 　　5.3.1 二維弛豫時間近似 　　5.3.2 二維電子氣的散射 ……第6章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)中的非平衡載流子 第7章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)激光器及光波導(dǎo) 第8章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的光電特性第9章 氮化鎵材料及其異質(zhì)結(jié)特性第10章 半導(dǎo)體超晶格和多量子阱 部分參考答案常用物理常數(shù)表

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