集成電路

內(nèi)容概要

　　《集成電路》是“OHM大學(xué)理工系列”之一。書(shū)中通俗易懂地介紹了支撐未來(lái)信息社會(huì)的集成電路技術(shù)?！都呻娐贰饭擦?。內(nèi)容包括器件的工作原理、基本電路的設(shè)計(jì)、LSI的制造技術(shù)，以及為了實(shí)現(xiàn)LSI的計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（CAD）技術(shù)和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)與中央處理器的結(jié)構(gòu)與功能等?！　　都呻娐贰房勺鳛橄到y(tǒng)學(xué)習(xí)集成電路技術(shù)的大學(xué)本科生就研究生的參考教材，亦可供相關(guān)專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的技術(shù)人員參考。

書(shū)籍目錄

第1章 集成電路基礎(chǔ)1.1 半導(dǎo)體集成電路與信息處理1.2 半導(dǎo)體與能量間隙1.3 n型、p型半導(dǎo)體與費(fèi)米能級(jí)1.4 pn結(jié)與能帶1.5 MOS結(jié)構(gòu)中耗盡層的形成1.6 MOS存儲(chǔ)器1.7 MOS邏輯電路練習(xí)題第2章 MOS器件的工作與微細(xì)化2.1 MOS晶體管的工作特性2.1.1 硅氧化膜與硅界面系統(tǒng)中的可動(dòng)電荷與固定電荷2.1.2 MOS晶體管的結(jié)構(gòu)與工作特性2.1.3 MOS晶體管的結(jié)構(gòu)及其引起的各種現(xiàn)象與面臨的課題2.2 MOS晶體管的工作模型與器件模擬2.2.1 MOS晶體管工作的基本模型2.2.2 MOS晶體管的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與器件模擬2.2.3 器件模擬的課題2.3 微細(xì)化的目的與設(shè)計(jì)指導(dǎo)思想，等比例縮小規(guī)則的出發(fā)點(diǎn)與現(xiàn)實(shí)2.3.1 MOS晶體管微細(xì)化的目的與設(shè)計(jì)指導(dǎo)思想2.3.2 等比例縮小規(guī)則的出發(fā)點(diǎn)與發(fā)展過(guò)程2.3.3 等比例縮小的限度與現(xiàn)代器件設(shè)計(jì)2.4 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的歷史與未來(lái)2.4.1 存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)與歷史2.4.2 信息積蓄電容與高介電常數(shù)薄膜，強(qiáng)電介質(zhì)薄膜練習(xí)題第3章 基本電路與版圖設(shè)計(jì)3.1 CMOS反相電路3.1.1 CMOS反相器的結(jié)構(gòu)3.1.2 直流傳輸特性3.1.3 CMOS的特性3.2 傳輸門(mén)（TG）3.3 CMOS邏輯電路舉例3.3.1 雙輸入與非門(mén)NAND3.3.2 雙輸入與或門(mén)NOR3.3.3 復(fù)合門(mén)3.3.4 雙輸入XOR（EXOR）門(mén)（異或邏輯）3.3.5 觸發(fā)器與鎖存器3.4 存儲(chǔ)器集成電路3.4.1 存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)及種類(lèi)3.4.2 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DRAM）3.4.3 靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）3.4.4 掩模ROM3.4.5 EPROM（Electrically ProgrammableROM）3.4.6 EEPROM（ElectricallyErasab1eandProgrammableROM）3.4.7 快閃只讀存儲(chǔ)器3.5 版圖設(shè)計(jì)3.5.1 設(shè)計(jì)規(guī)則3.5.2 LSI版圖設(shè)計(jì)方法練習(xí)題第4章 LSI制造技術(shù)4.1 基本工藝與工藝流程4.1.1 基本工藝4.1.2 工藝流程4.1.3 工藝一體化4.2 器件隔離4.2.1 LOCOS隔離與開(kāi)槽隔離4.2.2 共他隔離技術(shù)4.3 襯底與阱技術(shù)4.3.1 CMOS工藝與阱的形成4.3.2 可靠性與阱技術(shù)4.3.3 外延襯底與SOI襯底4.4 柵與源、漏結(jié)的形成4.4.1 柵工藝4.4.2 源、漏結(jié)的形成4.4.3 漏極技術(shù)4.5 接觸的形成與多層布線(xiàn)4.5.1 接觸的形成4.5.2 金屬化系統(tǒng)4.5.3 多層布線(xiàn)工藝與平坦化技術(shù)4.6 雙極工藝與BiCMOS工藝4.6.1 雙極工藝4.6.2 BiCMOS工藝練習(xí)題第5章 LSI設(shè)計(jì)與CAD5.1 LSI開(kāi)發(fā)與CAD5.1.1 LSI設(shè)計(jì)流程5.1.2 ASIC設(shè)計(jì)的方法5.1.3 模擬器5.2 功能設(shè)計(jì)、邏輯設(shè)計(jì)5.2.1 系統(tǒng)設(shè)計(jì)與功能設(shè)計(jì)5.2.2 邏輯設(shè)計(jì)5.2.3 邏輯模擬器5.2.4 邏輯綜合5.3 電路設(shè)計(jì)5.3.1 CMOS反相器的輸入輸出特性5.3.2 CMOS反相器的開(kāi)關(guān)特性5.3.3 CMOS反相器的功耗5.3.4 LSI的信號(hào)傳輸延遲時(shí)間5.3.5 電路模擬器5.4 設(shè)計(jì)驗(yàn)證5.4.1 LSI的故障與檢驗(yàn)5.4.2 測(cè)試簡(jiǎn)易化設(shè)計(jì)練習(xí)題第6章 中央處理器的基本結(jié)構(gòu)與工作原理6.1 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)概要6.2 中央處理器的結(jié)構(gòu)與功能6.2.1 數(shù)值數(shù)據(jù)的表示6.2.2 指令系統(tǒng)6.2.3 中央處理器的結(jié)構(gòu)6.2.4 中央處理器的工作6.3 中央處理器的性能6.3.1 性能的評(píng)價(jià)6.3.2 改善性能的手段練習(xí)題練習(xí)題簡(jiǎn)答參考文獻(xiàn)

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