出版時間:2004-01-01 出版社:電子工業(yè)出版社 作者:韓鄭生等譯
內(nèi)容概要
在半導(dǎo)體領(lǐng)域,技術(shù)的變化遵循著摩爾定律的快速節(jié)奏,是以月而不是以年為單位計的。本書詳細(xì)追述了半導(dǎo)體發(fā)展的歷史并吸收了當(dāng)今最新技術(shù)資料,學(xué)術(shù)界和工業(yè)界都稱贊這是一本目前在市場上能得到的最全面、最先進(jìn)的教材。全書共分20章,章節(jié)根據(jù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的主要技術(shù)分類來安排,內(nèi)容包括:與半導(dǎo)體制作相關(guān)的基礎(chǔ)技術(shù)信息;總體流程圖的工藝模型概況,用流程圖將硅片制造的主要領(lǐng)域連接起來;具本講解每一個主要工藝;集成
書籍目錄
第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹第2章 半導(dǎo)體材料特性第3章 器件技術(shù)第4章 硅和硅片制備第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品第6章 硅片制造中的沾污控制第7章 測量學(xué)和缺陷檢查第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制第9章 集成電路制造工藝概況第10章 氧化第11章 淀積第12章 金屬化第13章 光刻:氣相成底膜到軟烘第14章 光刻:對準(zhǔn)和曝光第15章 光刻:光刻膠顯影和先進(jìn)的光刻技術(shù)第16章 刻蝕第17章 離子注入第18章
圖書封面
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