低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備 第2部分

內(nèi)容概要

《低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備 第2部分：斷路器》內(nèi)容簡介：本部分是《低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備》的第2部分，是產(chǎn)品標準，它包括了斷路器的基本要求和試驗方法。有關(guān)斷路器的一般要求，如通用名詞術(shù)語、試驗電路、方法在第1部分中規(guī)定。本部分必須與第1部分結(jié)合使用。
本部分代替GB 14048．2—2001《低壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備低壓斷路器》。
本部分與GB 14048．2—2001的主要區(qū)別：
——明確提出斷路器須公布沖擊耐受電壓Uimp
__—明確對絕緣材料耐非正常熱和火的要求：
在主回路中固定導體的絕緣材料    960℃；
其他絕緣材料    650℃。
——對復(fù)位時間t進一步明確：
￡不小于3 min，實際值應(yīng)記錄在試驗報告中，最大復(fù)位時間為15min或制造商規(guī)定的較長時
間，但不超過1 h。在此時間內(nèi)斷路器不應(yīng)被移動，在復(fù)位時問內(nèi)試合閘至少應(yīng)隔1mn；
——對電磁兼容提出更高要求：
除電子式過電流保護斷路器外，對其輔助元件，如：欠電壓脫扣器、分勵脫扣器、閉合線圈、遠程
狀態(tài)指示器等規(guī)定了電磁兼容要求，規(guī)定在附錄N中；
——在型式試驗中，電磁式和電子式脫扣器驗證區(qū)別對待(見8．3．3．1．2)；
——增加附錄L、附錄M、附錄N、附錄O：
附錄L、附錄M、附錄O規(guī)定了三種新產(chǎn)品的要求和試驗方法：
附錄L無過電流保護要求的斷路器，簡稱CBI；
附錄M剩余電流裝置模塊（無內(nèi)部電流分斷裝置），簡稱MRCD；
附錄O瞬時脫扣斷路器，簡稱1CB；
附錄N  電磁兼容——不包括在附錄B、附錄F和附錄M中附件的附加要求和試驗。
本部分的附錄A、附錄B、附錄c、附錄F、附錄G、附錄H、附錄J、附錄L、附錄M、附錄N和附錄O為規(guī)范性附錄，附錄E和附錄K為資料性附錄。
本部分由中國電器工業(yè)協(xié)會提出。

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