出版時(shí)間:2009-3 出版社:Picture Window Books 作者:Koontz, Robin/ Harrad, Matthew (ILT)
內(nèi)容概要
《低壓開(kāi)關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備 第2部分:斷路器》內(nèi)容簡(jiǎn)介:本部分是《低壓開(kāi)關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備》的第2部分,是產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),它包括了斷路器的基本要求和試驗(yàn)方法。有關(guān)斷路器的一般要求,如通用名詞術(shù)語(yǔ)、試驗(yàn)電路、方法在第1部分中規(guī)定。本部分必須與第1部分結(jié)合使用。
本部分代替GB 14048.2—2001《低壓開(kāi)關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備低壓斷路器》。
本部分與GB 14048.2—2001的主要區(qū)別:
——明確提出斷路器須公布沖擊耐受電壓Uimp
__—明確對(duì)絕緣材料耐非正常熱和火的要求:
在主回路中固定導(dǎo)體的絕緣材料 960℃;
其他絕緣材料 650℃。
——對(duì)復(fù)位時(shí)間t進(jìn)一步明確:
£不小于3 min,實(shí)際值應(yīng)記錄在試驗(yàn)報(bào)告中,最大復(fù)位時(shí)間為15min或制造商規(guī)定的較長(zhǎng)時(shí)
間,但不超過(guò)1 h。在此時(shí)間內(nèi)斷路器不應(yīng)被移動(dòng),在復(fù)位時(shí)問(wèn)內(nèi)試合閘至少應(yīng)隔1mn;
——對(duì)電磁兼容提出更高要求:
除電子式過(guò)電流保護(hù)斷路器外,對(duì)其輔助元件,如:欠電壓脫扣器、分勵(lì)脫扣器、閉合線(xiàn)圈、遠(yuǎn)程
狀態(tài)指示器等規(guī)定了電磁兼容要求,規(guī)定在附錄N中;
——在型式試驗(yàn)中,電磁式和電子式脫扣器驗(yàn)證區(qū)別對(duì)待(見(jiàn)8.3.3.1.2);
——增加附錄L、附錄M、附錄N、附錄O:
附錄L、附錄M、附錄O規(guī)定了三種新產(chǎn)品的要求和試驗(yàn)方法:
附錄L無(wú)過(guò)電流保護(hù)要求的斷路器,簡(jiǎn)稱(chēng)CBI;
附錄M剩余電流裝置模塊(無(wú)內(nèi)部電流分?jǐn)嘌b置),簡(jiǎn)稱(chēng)MRCD;
附錄O瞬時(shí)脫扣斷路器,簡(jiǎn)稱(chēng)1CB;
附錄N 電磁兼容——不包括在附錄B、附錄F和附錄M中附件的附加要求和試驗(yàn)。
本部分的附錄A、附錄B、附錄c、附錄F、附錄G、附錄H、附錄J、附錄L、附錄M、附錄N和附錄O為規(guī)范性附錄,附錄E和附錄K為資料性附錄。
本部分由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出。
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